SU134728A1 - Способ измерени критической чистоты коэффициента усилени по току и эффективного времени жизни неосновных носителей полупроводниковых триодов - Google Patents

Description

Известны способы измерени  критической частоты коэффициента усилени  но току и эффективного времени жизни неосновных носителей полупроводниковых триодов. Недостаток известных способов заключаетс  в сложности и невысокой точности процесса измерени .

В описываемом способе эти недостатки устранены тем, что определ ют величину зар д-а, создаваемого неосновнЫ М 1 носител ми в базе в режимах усилени  и насыщени  при подаче на вход исследуемого триода импульсных сигналов и расчетным путем наход т критическую частоту коэффициента усилени  - /а и эффективное врем  жизни неосновных носителей в баз& - - ,а дл  устранени  ошибок, св занных с рекомбинацией носителей, в режиме насыодени  запирают коллекторный переход ь момент прекращени  тока в цепи эмиттера.

На фиг. 1 изображена принципиальна  схема измерени  зар да в базе , создаваемого неосновными носител ми в режиме усилени  и насыщени  при их вытекании из базы; на фиг. 2 показано изменение тока базы.

На входные зажимы 1 и 2 подаютс  пр моугольные импульсы тока 1,, с заданной частотой повторени . Длительность импульсов выбрана такой, чтобы все ироцессы в базе установились- Изменение тока базы Ig показано с учетом посто нных составл ющих в результате обратного тока коллекторного перехода и рекомбинациоиного тока базы. Площади заштрихованных участков равны между собой и равны величине зар да Q ,.. Диоды 3 и 4 включены в цепь базы 5 так, что дл  положительного напр жени  тока базы диод 5 открыт, а диод 4 закрыт. Измерительный прибор 6, например микроамперметр с малым внутренним сопротивлением, включаетс  последовательно с диодом 4. Источник посто нного тока 7 и сопротивление 8 введены дл  компенсации обратного тока / „„ коллекторного перехода при отсутствии входного сигнала.

№ 134728- 2 После прекращени  входного импульса дырки, составл ющие зар д неосновных носителей в базе за врем  переходного процесса, вытекают из базы через коллекторный переход. Равное количество электронов, нейтрализующее объемный зар д базы, за то же врем  вытекает из базы через последовательно включенные диод 4 и измерительный прибор 6.

Показани  прибора 6 градуированы в единицах зар да:

П -- f -р

где F - частота повторени  входного сигнала на зажимах 1,2; -показани  прибора.

Емкость конденсатора 9 выбираетс  такой, чтобы он успел разр дитьс  в течение паузы между входными импульсами. При измерении зар да в режиме насыщени  Q параллельно нагрузке 10 включаетс  диод //, который открываетс  входным импульсом, продифференцированным конденсатором 12 и сопротивлением 13, и щунтирует сопротиБлепие нагрузки 10. В результате происходит быстрое рассасывание дырок в базе. Емкость конденсатора 12 и сопротивление 13 дифференцирующей цепи выбираютс  такой величины, чтобы в течение действи  насыщающего импульса диод 11 был закрыт.

Критическа - частота /а коэффициента усилени  по току при включении полупроводникового триода 14 с общей базой определ етс  из выражени :

-Эффективное врем  жизни неосновных носителей в базе определ етс  из выражени :

,--..0-

/./«

где /к- ток KojuieKTOpa,

Точность измерени  т зависит от степени насыщени  S триода и будет более высокой при .

Предмет изобретени 

Способ измерени  критической частоты коэффициента усилени  по току и эффективного времени жизпи неосновных носителей полупроводниковых триодов, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  процесса , измерени  и повыщени  точности измерени , определ ют величину зар да, создаваемого неосновными носител ми в базе в режимах усилени  и насыщени  при подаче на вход исследуемого триода импульсных сигналов и расчетным путем наход т /о, и t, а дл  устранени  ощибок, св занных с рекомбинацией носителей .в режиме насыщени , запирают коллекторный переход в момент прекращени  тока в цепи эмиттера.

ус

Лоел (o

V КО