Специальное конструкторско-технологическое бюро монокристаллов СО АН СССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Специальное конструкторско-технологическое бюро монокристаллов СО АН СССРfiledCriticalСпециальное конструкторско-технологическое бюро монокристаллов СО АН СССР
Priority to SU3853656/26ApriorityCriticalpatent/SU1345685A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU1345685A1publicationCriticalpatent/SU1345685A1/ru
Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита с удаленным нарушенным поверхностным слоем в водном растворе соединения щелочного металла при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности ориентации граней {110} методом световых фигур, травление осуществляют в 20-50%-ном водном растворе углекислого калия в течение 30-60 мин.
"procedimento di pretrattamento ad alta temperatura tramite una soluzione acquosa alcalina di minerali a ganga argillosa contenenti almeno un elemento valorizzabile"