SU1332205A1 - Датчик дл измерени параметров полупроводниковых материалов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к радиоизмерительной технике и обеспечивает неразрушающий контроль образцов произвольной формы. Датчик содержит магнитную систему и приемный и передающий тракты, выполненные в виде диэл. подложки 1, на одной стороне которой нанесено заземл ющее основание 2, а на другой - два взаимно перпендикул рных полосковых проводника (ПП) 3, 4, выполненные с зазором 5 в области их пересечени . Магнитна  система состоит из источника 6 питани  и электромагнита , на полюсе 7 которого размещено заземл ющее основание 2. Исследуемый полупроводниковый материал (ИМ) 8 накладывают на ПП 3, 4. В отсутствие магн. пол  электромагнитна  волна распростран етс  только в передающем тракте и не проходит в приемный тракт. В ИМ 8 над зазором 5. протекает эл. ток плотностью, пропорциональной уд. проводимости ИМ 8, Мощность сигнала на выходе ПП 4 пропорциональна плотности этого тока. При наложении внешнего магн. пол  в ИМ 8 возникает эл. поле, которое наводит в другой полосковой линии сигнал . Мощность сигнала пропорциональна наведенной ЭДС Холла. По формулам определ ютс  коэф. Холла, дрейфова  подвижность и концентраци  носителей. 1 ил. о 9 (/) 00 tsD tsD СП

Description

1332205

зобретение относитс  к радиоизмепо го ру ис эл с н р

рительной технике и может использоватьс  дл  определени  электрофизических параметров пластин и эпитакси- апьных структур полупроводниковых материалов .

Цель изобретени  - обеспечение неразрушающего контрол  материалов произвольной формы.

На чертеже приведена конструкци  датчика дл  измерени  параметров полупроводниковых материалов.

Датчик дл  измерени  параметров полупроводниковых материалов содержит приемный и передающий тракты, выполненные в виде диэлектрической подложки 1 , на одной стороне которой нанесено заземл ющее основание 2, а на другой - два взаимно перпендикул рных полосковых проводника.3 и 4, выполненные с зазором 5 в области их пересечени , магнитную систему, состо щую из источника 6 питани  и электромагнита , на одном из полюсов 7 которого размещено заземл ющее основание 2.

Датчик дл  измерени  параметров полупроводниковых материалов работает следующим образом.

На поверхность полосковых проводников 3 и 4, образующих две полоско- вые линии, перекрыва  область их пересечени , накладывают исследуемый полупроводниковый материал 8. В отсутствии магнитного пол  В электромагнитна  волна от генератора распростран етс  только в передающем тракте и не проходит в приемный. В области исследуемого материала 8 над зазором 5 в полосковом проводнике 3 протекает Электрический ток с частотой возбуждающей электромагнитной волны и плотностью , пропорциональной напр женности электрического пол  Е и удельной проводимости 6 исследуемого материала В j со 6 Е. .

Если напр женность возбуждающего электрического пол  Е пропорциональн а мощности Р

8X1

сигнала на входе по- 6X1 Ё , то

лоскового проводника мощность сигнала на его выходе HBUKI оказываетс  пропорциональной плотности тока в исследуемом материгше 8 над аазором в проводнике 4.

ВИНИЛИ Заказ 3825/39 Тираж 776

Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4

При наложении внешнего магнитного пол  с индукцией В, перпендикул рного исследуемому материалу 8. и вектору наведенного тока jy, в плоскости исследуемого материала 8 возникает электрическое поле Е,, измен ющеес  с частотой возбуткдающего тока, вектор напр женности которого направлен параллельно оси X Е у2

л

где RH - коэффициент Холла, определ емый свойствами материала 8) xt - холловскаЯ подвижность носителей зар да.

Электрическое поле Ё, наводит в другой полосковой линии сигнал, мощность которого пропорциональна наве- денной ЭДС Холла . Ё.

Коэффициент Холла определ етс  из следующего выражени :

т. Рейх 2 RU 5 Рри 2

Холловска  подвижность носителей зар да /и. 6 R . Дрейфова  подвижность вычисл етс  с помощью выражени 

|Ц«

lud -.-. Концентрацию носителей зар  А

да п вычисл ют из соотношени  п

д -р г де А - Холл-фактор, в слабых

еКц

магнитных пол х составл ющий величину ,93, а в сильных - равен 1.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Датчик дл  измерени  параметров полупроводниковых материалов, содержащий приемный и передающий тракты и магнитную систему, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  неразрушающего контрол  материалов произвольной формы, приемный и передающий тракты выполнены в виде диэлектрической подложки, на одной стороне которой нанесено заземл ющее основание, а на другой - два взаимно перпендикул рных полосковых проводника , выполненных с зазором в области их пересечени , при этом заземл ющее основание размещено на одном из полюсов магнитной системы.

   Подписное