SU1320890A1 - Transistor switch - Google Patents

Transistor switch Download PDF

Info

Publication number
SU1320890A1
SU1320890A1 SU864006635A SU4006635A SU1320890A1 SU 1320890 A1 SU1320890 A1 SU 1320890A1 SU 864006635 A SU864006635 A SU 864006635A SU 4006635 A SU4006635 A SU 4006635A SU 1320890 A1 SU1320890 A1 SU 1320890A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
control unit
output
emitter
Prior art date
Application number
SU864006635A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виталий Александрович Цишевский
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5374
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5374 filed Critical Предприятие П/Я М-5374
Priority to SU864006635A priority Critical patent/SU1320890A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1320890A1 publication Critical patent/SU1320890A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при построении различных высоковольтных усилителей мощности. Цель изобретени  - повышение надежности транзисторного ключа. Так, например, при возникновении перегрузки транзистор 1 выходит из режима насыщени . Возрастает падение напр жени  между его коллектором и эмиттером. Уменьшаетс  ток базы транзистор 2, протекающий от блока 4 управлени  через диод 6. Возрастает падение напр жени  между его коллектором и эмиттером и уменьшаетс  ток базы транзистора 1, протекающий от щины 8 положительного смещени  к шине 9. В результате этого увеличиваетс  падение напр жени  между коллектором и эмиттером транзистора 1 до величины, при которой выключаетс  транзистор 2. Затем процесс протекает так же, как и при обычном включении транзисторного ключа. Надежность предложенного транзисторного ключа будет вьщге, чем у известных, за счет обеспечени  его защиты от перегрузок по току. 1 ил. i СЛ ьо о 00 (;оThe invention relates to a pulsed technique and can be used in the construction of various high-voltage power amplifiers. The purpose of the invention is to increase the reliability of the transistor switch. For example, when an overload occurs, transistor 1 goes out of saturation mode. The voltage drop between its collector and emitter increases. The base current of the transistor 2 flowing from the control unit 4 through diode 6 decreases. The voltage drop between its collector and emitter increases and the base current of transistor 1 decreases, flowing from positive bias 8 to bus 9. As a result, the voltage drop between the collector increases. and the emitter of transistor 1 to the value at which the transistor 2 is turned off. The process then proceeds in the same way as when the transistor switch is normally turned on. The reliability of the proposed transistor switch will be higher than that of the known ones, by ensuring its protection against overcurrent. 1 il. i СЛьо о 00 (; о

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при построении различных высоковольтных усилителей мощности.The invention relates to a pulse technique and can be used in the construction of various high-voltage power amplifiers.

Цель изобретени  - повышение на-- дежйости транзисторного ключа путем обеспечени  его защиты от перегрузок по току.The purpose of the invention is to increase the reliability of the transistor switch by ensuring its protection against overcurrent.

На чертеже представлена схема транзисторного ключа.The drawing shows a diagram of a transistor switch.

Транзисторный ключ содержит первый и второй 2 транзисторы разного типа проводимости, ограничитель 3 напр жени , блок 4 управлени  с двум  вьшодами, цепь 5 запуска и диод 6, причем коллектор первого транзистора 1 подключен к первой выходной шине 7, а база соединена с шиной 8 смещени  и через ограничитель 3 напр жени  с второй выходной шиной 9, первый вьтод блока 4 управлени  подключен к базе второго транзистора 2, коллектор первого транзистора 1 через диод 6 соединен с вторым выводом блока 4 управлени , который через цепь 5 запуска подключен к эмиттерам первого 1 и второго 2 транзисторов коллектор второго транзистора 2 соединен с второй выходной шиной 9.The transistor switch contains the first and second 2 transistors of different conductivity types, a voltage suppressor 3, a control unit 4 with two outputs, a starting circuit 5 and a diode 6, the collector of the first transistor 1 being connected to the first output bus 7, and the base connected to the offset bus 8 and through the voltage limiter 3 with the second output bus 9, the first step of the control unit 4 is connected to the base of the second transistor 2, the collector of the first transistor 1 is connected via diode 6 to the second output of the control unit 4, which is connected to Tteram first 1 and second 2 transistors, the collector of the second transistor 2 is connected to the second output bus 9.

Транзисторный ключ работает следующим образом.Transistor key works as follows.

При возникновении на выходе блока 4 управлени  отпирающего сигнала с пол рностью, указанной на чертеже, отпираетс  транзистор 2. Как только включаетс  транзистор 2, от шины 8 положительного смещени  протекает ток по контуру: шина 8, база транзистора 1, эмиттер транзистора 1, эмиттер транзистора 2, коллектор транзистора 2, шина 9, Этот ток отпирает транзистор 1 о только транзистор 1 входит в режим насыщени , через диод 6 начинает протекать отпирающий транзистор 2 ток по контуру: второй вывод блока 4 управлени , диод 6, силова  цепь транзистора 1, переход база-эмиттер транзистора 2, первый вывод блока 4 управлени . На этом переходный процесс включени  транзисторного ключа заканчиваетс .When the output of the control unit 4 of the unlocking signal with the polarity indicated in the drawing, the transistor 2 is unlocked. As soon as transistor 2 is turned on, a current flows along the circuit: bus 8, base of transistor 1, transistor emitter 1, transistor emitter 2, the collector of transistor 2, bus 9, This current unlocks transistor 1 and only transistor 1 enters saturation mode, through the diode 6 the opening transistor 2 flows through the circuit: the second output of control unit 4, diode 6, the power circuit of transistor 1, trans Base-emitter drive of transistor 2, first output of control unit 4. This completes the transient switching on transistor switch.

При возникновении на выходе блоа 4 управлени  сигнала включени , оторый может быть либо в виде нул , ибо в виде напр жени  обратной по рности , транзистор 2 выключаетс  о базовой, цепи, при ;этом обрываетWhen a turn-on control signal appears at the output of block 4, it can either be in the form of a zero, because in the form of a reverse voltage, the transistor 2 turns off on the base circuit, in which case it breaks

J5J5

32089023208902

с  цепь эмиттера транзистора 1, а ток его коллектора, протекай по контуру: переход коллектор-база тран зистора 1, ограничитель 3 напр же- 5 ни , шина 9, э(})фективно выносит зар д избыточных носителей в базе,from the emitter circuit of transistor 1, and the current of its collector, flow through the circuit: the collector-base transition of transistor 1, the limiter 3 for example, bus 9, e (}) effectively carries the charge of excess carriers in the base,

окончани  процесса расса- сьшани  транзистор 1 выключаетс  и the end of the dissipation process, the transistor 1 is turned off and

ток между выходными шинами 7 и 9 irt транзисторного ключа прекращаетс .the current between the output lines 7 and 9 of the transistor switch is terminated.

На этом загканчиваетс  переходный процесс выключени  транзисторного ключа,This transient turns off the transistor switch

при включенном транзисторном ключе возникает перегрузка, то при определенном токе коллектора транзистор 1 выходит из режима насыщени , возрастает падение напр жен и  между его коллектором и эмиттером, When the transistor switch is turned on, an overload occurs, then at a certain collector current, transistor 1 goes out of saturation mode, and the voltage drop increases between its collector and emitter,

уменьшаетс  ток базы транзистора 2, протекающий от блока 4 управлени  через диод 6, возрастает падение напр жени  между его коллектором и эмиттером, уменьшаетс  ток базы транзистора 1, протекающий от шины 8 положительного смещени  к шине 9, увеличиваетс  падение напр жени  между коллектором и эмиттером транзистора 1 до величины, при которой выключаетс  транзистор 2. Далее процессы протекают так же, как при обычном вьжлючении транзисторного ключа. the base current of the transistor 2 flowing from the control unit 4 through the diode 6 decreases, the voltage drop between its collector and emitter increases, the base current of transistor 1 flowing from the bus 8 of positive bias to the bus 9 decreases, the voltage drop between the collector and the transistor emitter increases 1 to the value at which the transistor 2 is turned off. Further, the processes proceed in the same way as with the usual switching of the transistor switch.

Надежность предлагаемого транзисторного ключа выше по сравнению сThe reliability of the proposed transistor switch is higher compared to

Claims (1)

35 известными за счет обеспечени  его защиты от перегрузок по току. Формула изобретени 35 known by providing its protection against overcurrent. Invention Formula 30thirty Транзисторный кхточ, содержашуйTransistor khtoch contain первый и второй транзисторы, ограничитель напр жени  и блок управлени  с двум  выводами, коллектор первого Транзистора подключен к первой выходной шине, а база соединена с шинойthe first and second transistors, a voltage limiter and a two-pin control unit, the collector of the first Transistor is connected to the first output bus, and the base is connected to the bus смещени  и через ограничитель напр жени  с второй выходной шиной, первый вывод блока управлени  подключен к базе второго транзистора, о т - личаюшийс  тем, что, с целью повьшени  надежности, в него введены цепь запуска и диод, причем первый и второй транзисторы имеют разный тип проводимости, коллектор первого транзистора через диод соединенbias and through a voltage limiter with a second output bus, the first output of the control unit is connected to the base of the second transistor, about the fact that, in order to increase reliability, a start circuit and a diode are inserted in it, the first and second transistors having different types conduction, the collector of the first transistor through the diode is connected с вторым выводом блока управлени , который через цепь запуска подключен к эмиттерам первого и второго транзисторов 5,коллсктор второго транзистора соединен с второй выходной 0шной.with the second output of the control unit, which is connected through the start circuit to the emitters of the first and second transistors 5, the second transistor collator is connected to the second output terminal.
SU864006635A 1986-01-14 1986-01-14 Transistor switch SU1320890A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864006635A SU1320890A1 (en) 1986-01-14 1986-01-14 Transistor switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864006635A SU1320890A1 (en) 1986-01-14 1986-01-14 Transistor switch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1320890A1 true SU1320890A1 (en) 1987-06-30

Family

ID=21216039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864006635A SU1320890A1 (en) 1986-01-14 1986-01-14 Transistor switch

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1320890A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Будинский Я. Транзисторные переключающие схемы, М.: Св зь, 1965, с. 209, рис. 128.. IEEE Transaction on Aerospace ала Electronic System, Vol. AES 20, ff 5, September, p. 660, Fig 1(ъ), *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4500801A (en) Self-powered nonregenerative fast gate turn-off FET
US5200878A (en) Drive circuit for current sense igbt
US4492883A (en) Unpowered fast gate turn-off FET
KR900006046B1 (en) An overcurrent protective circuit for modulated-conductivity type mosfet
EP0181148B1 (en) Semiconductor device
US4481434A (en) Self regenerative fast gate turn-off FET
US4954917A (en) Power transistor drive circuit with improved short circuit protection
GB2195506A (en) Cascode bimos driving circuit
US4547686A (en) Hybrid power semiconductor switch
EP0181201B1 (en) A driver circuit for a bipolar darlington power transistor
SU1320890A1 (en) Transistor switch
US4456836A (en) Gate circuit for gate turn-off thyristor
JPH051652B2 (en)
JP3066754B2 (en) Gate drive circuit
KR0171711B1 (en) Overcurrent protection circuit of a power semiconductor transistor
SU1458970A1 (en) Transistor gate
SU1051717A1 (en) Semiconductor switch
EP0715409A1 (en) Circuit for limiting the output voltage of a power transistor
SU949816A1 (en) Switch
RU2035841C1 (en) Transistor key with overload protection
SU1182661A1 (en) Semiconductor switch
SU1203657A1 (en) Transistor switch
SU1188873A1 (en) Method of power transistor switch control
SU1547054A2 (en) Transistor gate
SU1439724A1 (en) Control device with short-circuiting protection