SU1320890A1 - Transistor switch - Google Patents
Transistor switch Download PDFInfo
- Publication number
- SU1320890A1 SU1320890A1 SU864006635A SU4006635A SU1320890A1 SU 1320890 A1 SU1320890 A1 SU 1320890A1 SU 864006635 A SU864006635 A SU 864006635A SU 4006635 A SU4006635 A SU 4006635A SU 1320890 A1 SU1320890 A1 SU 1320890A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- control unit
- output
- emitter
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано при построении различных высоковольтных усилителей мощности. Цель изобретени - повышение надежности транзисторного ключа. Так, например, при возникновении перегрузки транзистор 1 выходит из режима насыщени . Возрастает падение напр жени между его коллектором и эмиттером. Уменьшаетс ток базы транзистор 2, протекающий от блока 4 управлени через диод 6. Возрастает падение напр жени между его коллектором и эмиттером и уменьшаетс ток базы транзистора 1, протекающий от щины 8 положительного смещени к шине 9. В результате этого увеличиваетс падение напр жени между коллектором и эмиттером транзистора 1 до величины, при которой выключаетс транзистор 2. Затем процесс протекает так же, как и при обычном включении транзисторного ключа. Надежность предложенного транзисторного ключа будет вьщге, чем у известных, за счет обеспечени его защиты от перегрузок по току. 1 ил. i СЛ ьо о 00 (;оThe invention relates to a pulsed technique and can be used in the construction of various high-voltage power amplifiers. The purpose of the invention is to increase the reliability of the transistor switch. For example, when an overload occurs, transistor 1 goes out of saturation mode. The voltage drop between its collector and emitter increases. The base current of the transistor 2 flowing from the control unit 4 through diode 6 decreases. The voltage drop between its collector and emitter increases and the base current of transistor 1 decreases, flowing from positive bias 8 to bus 9. As a result, the voltage drop between the collector increases. and the emitter of transistor 1 to the value at which the transistor 2 is turned off. The process then proceeds in the same way as when the transistor switch is normally turned on. The reliability of the proposed transistor switch will be higher than that of the known ones, by ensuring its protection against overcurrent. 1 il. i СЛьо о 00 (; о
Description
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано при построении различных высоковольтных усилителей мощности.The invention relates to a pulse technique and can be used in the construction of various high-voltage power amplifiers.
Цель изобретени - повышение на-- дежйости транзисторного ключа путем обеспечени его защиты от перегрузок по току.The purpose of the invention is to increase the reliability of the transistor switch by ensuring its protection against overcurrent.
На чертеже представлена схема транзисторного ключа.The drawing shows a diagram of a transistor switch.
Транзисторный ключ содержит первый и второй 2 транзисторы разного типа проводимости, ограничитель 3 напр жени , блок 4 управлени с двум вьшодами, цепь 5 запуска и диод 6, причем коллектор первого транзистора 1 подключен к первой выходной шине 7, а база соединена с шиной 8 смещени и через ограничитель 3 напр жени с второй выходной шиной 9, первый вьтод блока 4 управлени подключен к базе второго транзистора 2, коллектор первого транзистора 1 через диод 6 соединен с вторым выводом блока 4 управлени , который через цепь 5 запуска подключен к эмиттерам первого 1 и второго 2 транзисторов коллектор второго транзистора 2 соединен с второй выходной шиной 9.The transistor switch contains the first and second 2 transistors of different conductivity types, a voltage suppressor 3, a control unit 4 with two outputs, a starting circuit 5 and a diode 6, the collector of the first transistor 1 being connected to the first output bus 7, and the base connected to the offset bus 8 and through the voltage limiter 3 with the second output bus 9, the first step of the control unit 4 is connected to the base of the second transistor 2, the collector of the first transistor 1 is connected via diode 6 to the second output of the control unit 4, which is connected to Tteram first 1 and second 2 transistors, the collector of the second transistor 2 is connected to the second output bus 9.
Транзисторный ключ работает следующим образом.Transistor key works as follows.
При возникновении на выходе блока 4 управлени отпирающего сигнала с пол рностью, указанной на чертеже, отпираетс транзистор 2. Как только включаетс транзистор 2, от шины 8 положительного смещени протекает ток по контуру: шина 8, база транзистора 1, эмиттер транзистора 1, эмиттер транзистора 2, коллектор транзистора 2, шина 9, Этот ток отпирает транзистор 1 о только транзистор 1 входит в режим насыщени , через диод 6 начинает протекать отпирающий транзистор 2 ток по контуру: второй вывод блока 4 управлени , диод 6, силова цепь транзистора 1, переход база-эмиттер транзистора 2, первый вывод блока 4 управлени . На этом переходный процесс включени транзисторного ключа заканчиваетс .When the output of the control unit 4 of the unlocking signal with the polarity indicated in the drawing, the transistor 2 is unlocked. As soon as transistor 2 is turned on, a current flows along the circuit: bus 8, base of transistor 1, transistor emitter 1, transistor emitter 2, the collector of transistor 2, bus 9, This current unlocks transistor 1 and only transistor 1 enters saturation mode, through the diode 6 the opening transistor 2 flows through the circuit: the second output of control unit 4, diode 6, the power circuit of transistor 1, trans Base-emitter drive of transistor 2, first output of control unit 4. This completes the transient switching on transistor switch.
При возникновении на выходе блоа 4 управлени сигнала включени , оторый может быть либо в виде нул , ибо в виде напр жени обратной по рности , транзистор 2 выключаетс о базовой, цепи, при ;этом обрываетWhen a turn-on control signal appears at the output of block 4, it can either be in the form of a zero, because in the form of a reverse voltage, the transistor 2 turns off on the base circuit, in which case it breaks
J5J5
32089023208902
с цепь эмиттера транзистора 1, а ток его коллектора, протекай по контуру: переход коллектор-база тран зистора 1, ограничитель 3 напр же- 5 ни , шина 9, э(})фективно выносит зар д избыточных носителей в базе,from the emitter circuit of transistor 1, and the current of its collector, flow through the circuit: the collector-base transition of transistor 1, the limiter 3 for example, bus 9, e (}) effectively carries the charge of excess carriers in the base,
окончани процесса расса- сьшани транзистор 1 выключаетс и the end of the dissipation process, the transistor 1 is turned off and
ток между выходными шинами 7 и 9 irt транзисторного ключа прекращаетс .the current between the output lines 7 and 9 of the transistor switch is terminated.
На этом загканчиваетс переходный процесс выключени транзисторного ключа,This transient turns off the transistor switch
при включенном транзисторном ключе возникает перегрузка, то при определенном токе коллектора транзистор 1 выходит из режима насыщени , возрастает падение напр жен и между его коллектором и эмиттером, When the transistor switch is turned on, an overload occurs, then at a certain collector current, transistor 1 goes out of saturation mode, and the voltage drop increases between its collector and emitter,
уменьшаетс ток базы транзистора 2, протекающий от блока 4 управлени через диод 6, возрастает падение напр жени между его коллектором и эмиттером, уменьшаетс ток базы транзистора 1, протекающий от шины 8 положительного смещени к шине 9, увеличиваетс падение напр жени между коллектором и эмиттером транзистора 1 до величины, при которой выключаетс транзистор 2. Далее процессы протекают так же, как при обычном вьжлючении транзисторного ключа. the base current of the transistor 2 flowing from the control unit 4 through the diode 6 decreases, the voltage drop between its collector and emitter increases, the base current of transistor 1 flowing from the bus 8 of positive bias to the bus 9 decreases, the voltage drop between the collector and the transistor emitter increases 1 to the value at which the transistor 2 is turned off. Further, the processes proceed in the same way as with the usual switching of the transistor switch.
Надежность предлагаемого транзисторного ключа выше по сравнению сThe reliability of the proposed transistor switch is higher compared to
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864006635A SU1320890A1 (en) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | Transistor switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864006635A SU1320890A1 (en) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | Transistor switch |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1320890A1 true SU1320890A1 (en) | 1987-06-30 |
Family
ID=21216039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864006635A SU1320890A1 (en) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | Transistor switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1320890A1 (en) |
-
1986
- 1986-01-14 SU SU864006635A patent/SU1320890A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Будинский Я. Транзисторные переключающие схемы, М.: Св зь, 1965, с. 209, рис. 128.. IEEE Transaction on Aerospace ала Electronic System, Vol. AES 20, ff 5, September, p. 660, Fig 1(ъ), * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4500801A (en) | Self-powered nonregenerative fast gate turn-off FET | |
US5200878A (en) | Drive circuit for current sense igbt | |
US4492883A (en) | Unpowered fast gate turn-off FET | |
KR900006046B1 (en) | An overcurrent protective circuit for modulated-conductivity type mosfet | |
EP0181148B1 (en) | Semiconductor device | |
US4481434A (en) | Self regenerative fast gate turn-off FET | |
US4954917A (en) | Power transistor drive circuit with improved short circuit protection | |
GB2195506A (en) | Cascode bimos driving circuit | |
US4547686A (en) | Hybrid power semiconductor switch | |
EP0181201B1 (en) | A driver circuit for a bipolar darlington power transistor | |
SU1320890A1 (en) | Transistor switch | |
US4456836A (en) | Gate circuit for gate turn-off thyristor | |
JPH051652B2 (en) | ||
JP3066754B2 (en) | Gate drive circuit | |
KR0171711B1 (en) | Overcurrent protection circuit of a power semiconductor transistor | |
SU1458970A1 (en) | Transistor gate | |
SU1051717A1 (en) | Semiconductor switch | |
EP0715409A1 (en) | Circuit for limiting the output voltage of a power transistor | |
SU949816A1 (en) | Switch | |
RU2035841C1 (en) | Transistor key with overload protection | |
SU1182661A1 (en) | Semiconductor switch | |
SU1203657A1 (en) | Transistor switch | |
SU1188873A1 (en) | Method of power transistor switch control | |
SU1547054A2 (en) | Transistor gate | |
SU1439724A1 (en) | Control device with short-circuiting protection |