SU1317370A1 - Method of determining linear parameters of multiterminal network - Google Patents
Method of determining linear parameters of multiterminal network Download PDFInfo
- Publication number
- SU1317370A1 SU1317370A1 SU833578025A SU3578025A SU1317370A1 SU 1317370 A1 SU1317370 A1 SU 1317370A1 SU 833578025 A SU833578025 A SU 833578025A SU 3578025 A SU3578025 A SU 3578025A SU 1317370 A1 SU1317370 A1 SU 1317370A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- input
- matrix
- voltage
- resistors
- diagonal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технике радиоизмерений и обеспечивает повышение точности за счет устранени погрешностей, обусловленных паразитными элементами резисторов. Способ заключаетс в том, что на один вход исследуемого многополюсника (ИМИ) 5 через последовательно включенный резистор 2 подают синусоидальньш сигнал от источника 1 синусоидального сигнала. К другим входам ИМП 5 подключаютс параллельно резисторы 3. На всех входах ИМП 5 измер ют ком- плексные напр жени U11 UjiПри отсутствии ИМП 5 и поочередном подключении последовательно к каждому резистору 3 источника ЭДС измер ют диагональные и недиагональные компоненты Up.- , Upp- матрицы опорных напр жений Up. Затем при поочерёдном подключении образцового резистора последовательно к каждому резистору 3 и источнику ЭДС измер ют напр жение . на нем - компонент вектора калибровочных напр жений Uj. Операции измерений напр жений на ИМП 5, опорных и калибровочных напр жений осуществл ютс по N раз.Данные измерений используютс дл определени коэф.матрицы по формулам. Ц5и этом з читывают- с систематические поправки дп определени точных значений коэф. матрицы ИМП 5. Резисторы 2,3 и образцовый резистор подключаютс через контактное приспособление 6. 2 ил. с $ (Л 00 м СА The invention relates to a technique of radio measurements and provides improved accuracy by eliminating errors due to parasitic resistor elements. The method consists in that a sinusoidal signal from the source 1 of a sinusoidal signal is fed through a series-connected resistor 2 to one input of the investigated multipole (THEM) 5. Resistors 3 are connected in parallel to the other inputs of the IMP 5. At all the inputs of the IMP 5, complex voltages U11 Uji are measured. In the absence of IMP 5 and alternately connected to each resistor 3 of the EMF source, the diagonal and nondiagonal components Up.- and Upp-matrices support stresses Up. Then, by alternately connecting the reference resistor in series to each resistor 3 and the EMF source, the voltage is measured. on it is a component of the vector of calibration voltages Uj. The voltage measurement operations on the PMF 5, the reference and calibration voltages are performed N times. The measurement data are used to determine the matrix coefficient by the formulas. C5 and this is read, with systematic corrections dp determining the exact values of the coefficient. matrix IMP 5. Resistors 2.3 and a reference resistor are connected through the contact device 6. 2 Il. from $ (L 00 m SA
Description
113113
Изобретение относитс к технике ррдиоизмерений и-может использоватьс дл измерени матриц линейных параметров транзисторов, интегральных схем и других многополюсников.The invention relates to a technique for measuring radio and measurements and can be used to measure a matrix of linear parameters of transistors, integrated circuits and other multipoles.
Цель изобретени - повышение точности за счет устранени погрешностей , обусловленньк паразитными элементами резисторов.The purpose of the invention is to improve accuracy by eliminating errors due to parasitic resistor elements.
На фиг. 1 и 2 изображены структурные электрические схемы устройств дл осуществлени предлагаемого способа.FIG. Figures 1 and 2 depict structural electrical diagrams of devices for carrying out the proposed method.
Устройства дл осуществлени предлагаемого способа содержат источникDevices for the implementation of the proposed method contain the source
1синусоидального сигнала, резисторы1 sinusoidal signal resistors
2и 3, образцовый резистор 4 и иссле- дуемьй многополюсник 5.2 and 3, an exemplary resistor 4 and a research multi-terminal 5.
Способ осуществл ют следующим образом .The method is carried out as follows.
Дл измерени вектора калибровочных напр жений собирают устройство в соответствии с фиг. 1. подключении источника 1 через резистор 2 к образцовому резистору 4, к которому подсоедин етс контактное приспособление 6, предназначенное дл соединени i-ro входа исследуемого многополюсника 5, обладающего матрицей YP проводимости, и резистора 3 к выходу контактного приспособлени 6,- предназначенного дл подсоединени j-ro входа исследуемого многополюсника 5, измер ют компоненты Up,- вектора и калибровочных напр жений.Данные измерени провод т N раз.To measure the vector of calibration voltages, a device is assembled according to FIG. 1. connecting source 1 through resistor 2 to sample resistor 4, to which contact device 6 is connected, intended to connect the i-input of the investigated multi-pole 5, which has a YP conductivity matrix, and resistor 3 to the output of contact device 6, The jth input of the multi-terminal 5 under study is measured by the components Up, the vector and the calibration voltages. These measurements are carried out N times.
Затем собирают устройство в соответствии с фиг. 2, дл чего отсоедин ют образцовый резистор 4 от 1-входа и измер ют диагональные и недиагональные компоненты Up,-- и U(,jj матрицы опорных напр жений U. При каждом подключении источника 1 к очередному 1-влоду контактного приспособлени измер ют одну диагональную компоненту вектора U и N-1 недиагональных его компонент, причем операций повтор ют N раз по числу входов.Then assemble the device in accordance with FIG. 2, for which the exemplary resistor 4 is disconnected from the 1-input and the diagonal and off-diagonal components Up are measured, and U (, jj, the reference voltage matrix U.) Each time the source 1 is connected to the next 1-pin of the contact device, one the diagonal component of the vector U and N-1 are non-diagonal of its components, and the operations are repeated N times according to the number of inputs.
Дл определени компонент матрицы полюсных напр жений собирают устройство по фиг. 2 путем подключени .исследуемого многополюсника с матрицей Y проводимости к соответствующим входам контактного приспособлени . Про- цесс измерений диагональных и недиагональных компонент U-- и U,-,- мать ЛTo determine the matrix component of the pole voltage, the device of FIG. 2 by connecting a test multipole with a conduction matrix Y to the corresponding inputs of the contact device. The measurement process of the diagonal and non-diagonal components U-- and U, -, is the mother of L
рицы напр жений U аналогичен процессу измерени матрицы напр жений Uo.The voltage stresses U are similar to the process of measuring the stress matrix Uo.
0202
Данные измерений используют дл определени коэффициентов матриц ли- нейных параметров исследуемого многополюсника , причем результаты калибровки измерительного приспособлени в виде составл ющ11 х векторов напр жений U|j и матрицы напр жений U, а также данные калибровки пробника измерительного прибора, а именно значение его входной проводимости на заданной частоте измерений используют дл определени систематических поправок , посредством которых определ ют точные значени коэффициентовThe measurement data is used to determine the coefficients of the matrix of linear parameters of the studied multipole, with the calibration results of the measuring device in the form of component vectors of voltages U | j and the matrix of voltages U, as well as the calibration data of the probe of the measuring device, namely the value of its input conductivity At a given measurement frequency, they are used to determine systematic corrections, by means of which exact values of coefficients are determined.
матрицы исследуемого многополюсника путем нахождени коэффициентов матрицы:matrix of the studied multipole by finding the coefficients of the matrix:
Y D (М) - (MO r l, где D - скал рна матрица с диагональным элементом, равным 2; М и Mj, - матрицы, диагональные и недиагональные коэффициенты которых определ ют по формуламY D (M) - (MO r l, where D is a scalar matrix with a diagonal element equal to 2; M and Mj, are matrices whose diagonal and off-diagonal coefficients are determined by the formulas
2 -11. ( 1 )2 -11. ( one )
UOH UoiUOH Uoi
т,-t, -
YY -Ji- rYY -Ji- r
ii/i n T iii / i n T i
Uov;Wow;
Un; Un;
- 1)- one)
M -. M -.
о Uj / Vabout uj / v
/ --- - --Г I ; ij,tl pviy o I ,/ --- - - I; ij, tl pviy o I,
ГУ, . - Y --i - ( - m Y ) Uojj Co, iGU,. - Y - i - (- m Y) Uojj Co, i
МM
oi ;oi;
2UoJic Uj)u .s Y2UoJic Uj) u .s Y
ri l, ri l,
v ojjpj;;Mv ojjpj ;; M
Y,. - У„ ( - 1 ) Y,.Y. - Y „(- 1) Y ,.
00
1 и j - индексы входов исследуемого многополюсника; . - диагональный элемент матрицы напр жений U дл входа i;1 and j are the indices of the inputs of the studied multipole; . is the diagonal element of the voltage matrix U for input i;
и о,-; - диагональный элемент матрицы напр жений U дл входа i;and about,-; is the diagonal element of the voltage matrix U for input i;
и UQ- - элементы вектора напр жений % дл входов i и J;and UQ- are elements of the voltage vector% for inputs i and J;
к;to;
jj
м..m ..
IIII
м.m
ojioji
3131737031317370
-элемент матрицы напр - М и М - жений и, который соответствует напр жению- matrix element of voltage - M and M - of stresses and, which corresponds to voltage
на входе j при подключении источника ЭДС к г входу i;at input j, when a source of emf is connected to g input i;
-проводимость образцового резистора дл входа i;the conductivity of the reference resistor for input i;
-проводимость образцово- 10 го резистора дл входа J;conductivity of a sample 10 resistor for input J;
-входна проводимость измерительного прибора;- input conductivity of the measuring device;
-диагональный элемент f5 матрицы напр жений U-diagonal element f5 of the matrix of stresses U
дл входа j;for input j;
-недиагональный элемент матрицы Ug,который соответствует напр жению 20 на входе j при подключении источника ЭДС к входу i.- the off-diagonal element of the matrix Ug, which corresponds to the voltage 20 at the input j when the emf source is connected to the input i.
МM
ОиOi
МM
oj-;oj-;
где 1 и Jwhere 1 and J
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833578025A SU1317370A1 (en) | 1983-01-06 | 1983-01-06 | Method of determining linear parameters of multiterminal network |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833578025A SU1317370A1 (en) | 1983-01-06 | 1983-01-06 | Method of determining linear parameters of multiterminal network |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1317370A1 true SU1317370A1 (en) | 1987-06-15 |
Family
ID=21058624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU833578025A SU1317370A1 (en) | 1983-01-06 | 1983-01-06 | Method of determining linear parameters of multiterminal network |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1317370A1 (en) |
-
1983
- 1983-01-06 SU SU833578025A patent/SU1317370A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Альтман Дж.Л. Устройства сверхвысоких частот. М.: Мир, 1970, с.58- 78. Мирошник И.А. Измерение волновых параметров рассе ни многополюсньпс элементов в радиодиапазоне. Извести ВУЗов СССР. Радиоэлектроника, 1977, т.XX, № 5, с.86-89. .. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Renner et al. | Practical aspects of the 2D 15 N-{1 H}-NOE experiment | |
CN106066425B (en) | A kind of impedance measurement device and its method for realizing compensation for calibrating errors | |
US6031386A (en) | Apparatus and method for defect testing of integrated circuits | |
JP2000258483A (en) | Adaptive learning of set of actual time measurement value and automatic testing system thereof | |
SU1317370A1 (en) | Method of determining linear parameters of multiterminal network | |
JPS6325572A (en) | Leakage current measuring system of electrometer amplifier | |
CN213210440U (en) | Small current measurement calibration framework for automatic integrated circuit tester | |
Jackson et al. | A capacitive integration system for the precise measurement of isotopic ratios in a mass spectrometer | |
SU1109690A1 (en) | Device for checking voltage transormeps | |
US3890565A (en) | Measuring core reductance | |
JPS6241261Y2 (en) | ||
US2975280A (en) | Apparatus for the analysis of mixtures | |
Daum et al. | Some features of a system of drift chambers for experiment NA11 at the SPS | |
CN219935963U (en) | Voltage and current measurement channel of digital bridge and digital bridge | |
KR950007504Y1 (en) | Apparutus for testing the pin of a pcb | |
Dunn | Automatic intercomparison of standard cells | |
SU765716A1 (en) | Method of testing balance of thermistor analyzers | |
SU1257584A1 (en) | Method of testing quality of insulation of elongated constructions with semiconductor coating layer | |
A’qin et al. | Research on In-Orbit Experiment Scheme of Resistance Standard in Space | |
SU1506344A1 (en) | Apparatus for nondestructive testing of strain in ferromagnetic materials | |
SU981909A1 (en) | Device for checking current transformers | |
SU712777A1 (en) | Resistance measuring method | |
CN114879009A (en) | Capacitance measuring device and capacitance measuring method | |
SU263747A1 (en) | METHOD FOR TESTING MULTIPLE DETERMINED VOLTMETERS OF SMALL VOLTAGES AT NANOVOLTs 1 'RELEASE MEASUREMENTS | |
CN116106817A (en) | Production calibration method of high-precision alternating-current electric energy meter |