SU1317370A1 - Method of determining linear parameters of multiterminal network - Google Patents

Method of determining linear parameters of multiterminal network Download PDF

Info

Publication number
SU1317370A1
SU1317370A1 SU833578025A SU3578025A SU1317370A1 SU 1317370 A1 SU1317370 A1 SU 1317370A1 SU 833578025 A SU833578025 A SU 833578025A SU 3578025 A SU3578025 A SU 3578025A SU 1317370 A1 SU1317370 A1 SU 1317370A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
input
matrix
voltage
resistors
diagonal
Prior art date
Application number
SU833578025A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Игорь Афанасьевич Мирошник
Надежда Алексеевна Шкурина
Александр Алексеевич Рындин
Виктор Григорьевич Мистюков
Original Assignee
Воронежский Политехнический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Воронежский Политехнический Институт filed Critical Воронежский Политехнический Институт
Priority to SU833578025A priority Critical patent/SU1317370A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1317370A1 publication Critical patent/SU1317370A1/en

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технике радиоизмерений и обеспечивает повышение точности за счет устранени  погрешностей, обусловленных паразитными элементами резисторов. Способ заключаетс  в том, что на один вход исследуемого многополюсника (ИМИ) 5 через последовательно включенный резистор 2 подают синусоидальньш сигнал от источника 1 синусоидального сигнала. К другим входам ИМП 5 подключаютс  параллельно резисторы 3. На всех входах ИМП 5 измер ют ком- плексные напр жени  U11 UjiПри отсутствии ИМП 5 и поочередном подключении последовательно к каждому резистору 3 источника ЭДС измер ют диагональные и недиагональные компоненты Up.- , Upp- матрицы опорных напр жений Up. Затем при поочерёдном подключении образцового резистора последовательно к каждому резистору 3 и источнику ЭДС измер ют напр жение . на нем - компонент вектора калибровочных напр жений Uj. Операции измерений напр жений на ИМП 5, опорных и калибровочных напр жений осуществл ютс  по N раз.Данные измерений используютс  дл  определени  коэф.матрицы по формулам. Ц5и этом з читывают- с  систематические поправки дп  определени  точных значений коэф. матрицы ИМП 5. Резисторы 2,3 и образцовый резистор подключаютс  через контактное приспособление 6. 2 ил. с $ (Л 00 м СА The invention relates to a technique of radio measurements and provides improved accuracy by eliminating errors due to parasitic resistor elements. The method consists in that a sinusoidal signal from the source 1 of a sinusoidal signal is fed through a series-connected resistor 2 to one input of the investigated multipole (THEM) 5. Resistors 3 are connected in parallel to the other inputs of the IMP 5. At all the inputs of the IMP 5, complex voltages U11 Uji are measured. In the absence of IMP 5 and alternately connected to each resistor 3 of the EMF source, the diagonal and nondiagonal components Up.- and Upp-matrices support stresses Up. Then, by alternately connecting the reference resistor in series to each resistor 3 and the EMF source, the voltage is measured. on it is a component of the vector of calibration voltages Uj. The voltage measurement operations on the PMF 5, the reference and calibration voltages are performed N times. The measurement data are used to determine the matrix coefficient by the formulas. C5 and this is read, with systematic corrections dp determining the exact values of the coefficient. matrix IMP 5. Resistors 2.3 and a reference resistor are connected through the contact device 6. 2 Il. from $ (L 00 m SA

Description

113113

Изобретение относитс  к технике ррдиоизмерений и-может использоватьс  дл  измерени  матриц линейных параметров транзисторов, интегральных схем и других многополюсников.The invention relates to a technique for measuring radio and measurements and can be used to measure a matrix of linear parameters of transistors, integrated circuits and other multipoles.

Цель изобретени  - повышение точности за счет устранени  погрешностей , обусловленньк паразитными элементами резисторов.The purpose of the invention is to improve accuracy by eliminating errors due to parasitic resistor elements.

На фиг. 1 и 2 изображены структурные электрические схемы устройств дл  осуществлени  предлагаемого способа.FIG. Figures 1 and 2 depict structural electrical diagrams of devices for carrying out the proposed method.

Устройства дл  осуществлени  предлагаемого способа содержат источникDevices for the implementation of the proposed method contain the source

1синусоидального сигнала, резисторы1 sinusoidal signal resistors

2и 3, образцовый резистор 4 и иссле- дуемьй многополюсник 5.2 and 3, an exemplary resistor 4 and a research multi-terminal 5.

Способ осуществл ют следующим образом .The method is carried out as follows.

Дл  измерени  вектора калибровочных напр жений собирают устройство в соответствии с фиг. 1. подключении источника 1 через резистор 2 к образцовому резистору 4, к которому подсоедин етс  контактное приспособление 6, предназначенное дл  соединени  i-ro входа исследуемого многополюсника 5, обладающего матрицей YP проводимости, и резистора 3 к выходу контактного приспособлени  6,- предназначенного дл  подсоединени  j-ro входа исследуемого многополюсника 5, измер ют компоненты Up,- вектора и калибровочных напр жений.Данные измерени  провод т N раз.To measure the vector of calibration voltages, a device is assembled according to FIG. 1. connecting source 1 through resistor 2 to sample resistor 4, to which contact device 6 is connected, intended to connect the i-input of the investigated multi-pole 5, which has a YP conductivity matrix, and resistor 3 to the output of contact device 6, The jth input of the multi-terminal 5 under study is measured by the components Up, the vector and the calibration voltages. These measurements are carried out N times.

Затем собирают устройство в соответствии с фиг. 2, дл  чего отсоедин ют образцовый резистор 4 от 1-входа и измер ют диагональные и недиагональные компоненты Up,-- и U(,jj матрицы опорных напр жений U. При каждом подключении источника 1 к очередному 1-влоду контактного приспособлени  измер ют одну диагональную компоненту вектора U и N-1 недиагональных его компонент, причем операций повтор ют N раз по числу входов.Then assemble the device in accordance with FIG. 2, for which the exemplary resistor 4 is disconnected from the 1-input and the diagonal and off-diagonal components Up are measured, and U (, jj, the reference voltage matrix U.) Each time the source 1 is connected to the next 1-pin of the contact device, one the diagonal component of the vector U and N-1 are non-diagonal of its components, and the operations are repeated N times according to the number of inputs.

Дл  определени  компонент матрицы полюсных напр жений собирают устройство по фиг. 2 путем подключени  .исследуемого многополюсника с матрицей Y проводимости к соответствующим входам контактного приспособлени . Про- цесс измерений диагональных и недиагональных компонент U-- и U,-,- мать ЛTo determine the matrix component of the pole voltage, the device of FIG. 2 by connecting a test multipole with a conduction matrix Y to the corresponding inputs of the contact device. The measurement process of the diagonal and non-diagonal components U-- and U, -, is the mother of L

рицы напр жений U аналогичен процессу измерени  матрицы напр жений Uo.The voltage stresses U are similar to the process of measuring the stress matrix Uo.

0202

Данные измерений используют дл  определени  коэффициентов матриц ли- нейных параметров исследуемого многополюсника , причем результаты калибровки измерительного приспособлени  в виде составл ющ11 х векторов напр жений U|j и матрицы напр жений U, а также данные калибровки пробника измерительного прибора, а именно значение его входной проводимости на заданной частоте измерений используют дл  определени  систематических поправок , посредством которых определ ют точные значени  коэффициентовThe measurement data is used to determine the coefficients of the matrix of linear parameters of the studied multipole, with the calibration results of the measuring device in the form of component vectors of voltages U | j and the matrix of voltages U, as well as the calibration data of the probe of the measuring device, namely the value of its input conductivity At a given measurement frequency, they are used to determine systematic corrections, by means of which exact values of coefficients are determined.

матрицы исследуемого многополюсника путем нахождени  коэффициентов матрицы:matrix of the studied multipole by finding the coefficients of the matrix:

Y D (М) - (MO r l, где D - скал рна  матрица с диагональным элементом, равным 2; М и Mj, - матрицы, диагональные и недиагональные коэффициенты которых определ ют по формуламY D (M) - (MO r l, where D is a scalar matrix with a diagonal element equal to 2; M and Mj, are matrices whose diagonal and off-diagonal coefficients are determined by the formulas

2 -11. ( 1 )2 -11. ( one )

UOH UoiUOH Uoi

т,-t, -

YY -Ji- rYY -Ji- r

ii/i n T iii / i n T i

Uov;Wow;

Un; Un;

- 1)- one)

M -. M -.

о Uj / Vabout uj / v

/ --- - --Г I ; ij,tl pviy o I ,/ --- - - I; ij, tl pviy o I,

ГУ, . - Y --i - ( - m Y ) Uojj Co, iGU,. - Y - i - (- m Y) Uojj Co, i

МM

oi ;oi;

2UoJic Uj)u .s Y2UoJic Uj) u .s Y

ri l, ri l,

v ojjpj;;Mv ojjpj ;; M

Y,. - У„ ( - 1 ) Y,.Y. - Y „(- 1) Y ,.

00

1 и j - индексы входов исследуемого многополюсника; . - диагональный элемент матрицы напр жений U дл  входа i;1 and j are the indices of the inputs of the studied multipole; . is the diagonal element of the voltage matrix U for input i;

и о,-; - диагональный элемент матрицы напр жений U дл  входа i;and about,-; is the diagonal element of the voltage matrix U for input i;

и UQ- - элементы вектора напр жений % дл  входов i и J;and UQ- are elements of the voltage vector% for inputs i and J;

к;to;

jj

м..m ..

IIII

м.m

ojioji

3131737031317370

-элемент матрицы напр - М и М - жений и, который соответствует напр жению- matrix element of voltage - M and M - of stresses and, which corresponds to voltage

на входе j при подключении источника ЭДС к г входу i;at input j, when a source of emf is connected to g input i;

-проводимость образцового резистора дл  входа i;the conductivity of the reference resistor for input i;

-проводимость образцово- 10 го резистора дл  входа J;conductivity of a sample 10 resistor for input J;

-входна  проводимость измерительного прибора;- input conductivity of the measuring device;

-диагональный элемент f5 матрицы напр жений U-diagonal element f5 of the matrix of stresses U

дл  входа j;for input j;

-недиагональный элемент матрицы Ug,который соответствует напр жению 20 на входе j при подключении источника ЭДС к входу i.- the off-diagonal element of the matrix Ug, which corresponds to the voltage 20 at the input j when the emf source is connected to the input i.

МM

ОиOi

МM

oj-;oj-;

где 1 и Jwhere 1 and J

Claims (1)

Формула изобретени  Invention Formula Способ определени  линейных параметров многополюсника, включающий подачу синусоидального сигнала на один из входов исследуемого много- полюсника при подключении к нему последовательно, а к остальным входам - параллельно, резисторов и измерение комплексных напр жений U-- , Ц- на всех входах исследуемого MHoгополюсника , отличающийс  тем, что, с целью повьшени  точности за счет устранени  погрешностей,обус- ловленных паразитными элементами резисторов , дополнительно измер ют на- пр жени  Up., на каждом из резисторов в отсутствии исследуемого многополюсника при поочередном подсоединении к каждому из резисторов последовательно источника ЭДС, измер ют напр жени  на образцовом резисторе при поочередном подключении его последовательно к каждому из резисторов и.источнику ЭДС, а линейные параметры исследуемого многополюсника onредел ют путем нахождени  коэффициентов матрицы:The method of determining linear parameters of a multipole, including applying a sinusoidal signal to one of the inputs of the studied multipole when connected to it in series, and to the other inputs in parallel, resistors and measuring complex voltages U--, Ts- on all inputs of the studied MHOG, different By the fact that, in order to improve accuracy by eliminating errors caused by parasitic elements of resistors, the voltages Up. are additionally measured, on each of the resistors in the absence of the test When a multipole is connected in turn to each of the resistors in series with an EMF source, the voltages on the reference resistor are measured while they are alternately connected in series to each of the resistors and the source of the EMF, and the linear parameters of the tested multipole are determined by finding the matrix coefficients: Y D (М)- - (M,) Y D (M) - - (M,) . . где D - скал рна  матрица с диагональным элементом, равным 2where D is the scalar matrix with a diagonal element equal to 2 матрицы, диагональные и не- диагональные коэффициенты которых определ ютс  по формуламmatrices whose diagonal and non-diagonal coefficients are determined by the formulas м..m .. IIII м.m МM ОиOi МM oj-;oj-; где 1 и J - индексы входов исследуеUiiwhere 1 and J are the entry indices of research Uoi,Wooi 0101 . i. i .I.;.I .; 1.one. ijij oi,oi, oj,диагональный элемент матрицы напр жений U дл  входа i;oj, diagonal element of the voltage matrix U for input i; диагональный элемент матрицы напр жений U дл  входа i;the diagonal element of the voltage matrix U for input i; элемент вектора напр жений U дл  входа i; элемент вектора напр жений и дл  входа j; элемент матрицы напр жений и, который соответствует напр жению на входе j при подключении источника ЭДС к входу 1; проводимос.ть образцового резистора дл  входа i; проводимость образцового резистора дл  входа ; входна  проводимость измерительного прибора;element of the voltage vector U for input i; element of voltage vector and for input j; the element of the matrix of voltages and, which corresponds to the voltage at the input j when connecting the source of the EMF to the input 1; conductance of reference resistor for input i; conductivity of the reference resistor for the input; input conductivity of the measuring device; диагональный элемент матрицы напр жений 1), дл  входа j;the diagonal element of the stress matrix 1), for the input j; диагональньй элемент матрицы напр жений 1 дл  входа j;diagonal element of stress matrix 1 for input j; недиагональньй элемент матрицы Up, который соответствует напр жению на входе j при подключении источника ЭДС к вхо- ДУ i.The non-diagonal element of the matrix Up, which corresponds to the voltage at the input j when the emf source is connected to the input i of the i. CfiCfi (L V/ JrV / jr Составитель Р.Кузнецова Редактор А.Ренин Техред М.ХоданичКорректор И.МускаCompiled by R. Kuznetsova Editor A. Renin Tehred M. Khodanych Corrector I. Muska Заказ 2418/40Тираж 730ПодписноеOrder 2418/40 Circulation 730 Subscription ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д.4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., 4/5 Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Г|)оектна ,4Production and printing company, Uzhgorod, G |) oektna, 4 (.Е(.E JLJl
SU833578025A 1983-01-06 1983-01-06 Method of determining linear parameters of multiterminal network SU1317370A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833578025A SU1317370A1 (en) 1983-01-06 1983-01-06 Method of determining linear parameters of multiterminal network

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833578025A SU1317370A1 (en) 1983-01-06 1983-01-06 Method of determining linear parameters of multiterminal network

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1317370A1 true SU1317370A1 (en) 1987-06-15

Family

ID=21058624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833578025A SU1317370A1 (en) 1983-01-06 1983-01-06 Method of determining linear parameters of multiterminal network

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1317370A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Альтман Дж.Л. Устройства сверхвысоких частот. М.: Мир, 1970, с.58- 78. Мирошник И.А. Измерение волновых параметров рассе ни многополюсньпс элементов в радиодиапазоне. Извести ВУЗов СССР. Радиоэлектроника, 1977, т.XX, № 5, с.86-89. .. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Renner et al. Practical aspects of the 2D 15 N-{1 H}-NOE experiment
CN106066425B (en) A kind of impedance measurement device and its method for realizing compensation for calibrating errors
US6031386A (en) Apparatus and method for defect testing of integrated circuits
JP2000258483A (en) Adaptive learning of set of actual time measurement value and automatic testing system thereof
SU1317370A1 (en) Method of determining linear parameters of multiterminal network
JPS6325572A (en) Leakage current measuring system of electrometer amplifier
CN213210440U (en) Small current measurement calibration framework for automatic integrated circuit tester
Jackson et al. A capacitive integration system for the precise measurement of isotopic ratios in a mass spectrometer
SU1109690A1 (en) Device for checking voltage transormeps
US3890565A (en) Measuring core reductance
JPS6241261Y2 (en)
US2975280A (en) Apparatus for the analysis of mixtures
Daum et al. Some features of a system of drift chambers for experiment NA11 at the SPS
CN219935963U (en) Voltage and current measurement channel of digital bridge and digital bridge
KR950007504Y1 (en) Apparutus for testing the pin of a pcb
Dunn Automatic intercomparison of standard cells
SU765716A1 (en) Method of testing balance of thermistor analyzers
SU1257584A1 (en) Method of testing quality of insulation of elongated constructions with semiconductor coating layer
A’qin et al. Research on In-Orbit Experiment Scheme of Resistance Standard in Space
SU1506344A1 (en) Apparatus for nondestructive testing of strain in ferromagnetic materials
SU981909A1 (en) Device for checking current transformers
SU712777A1 (en) Resistance measuring method
CN114879009A (en) Capacitance measuring device and capacitance measuring method
SU263747A1 (en) METHOD FOR TESTING MULTIPLE DETERMINED VOLTMETERS OF SMALL VOLTAGES AT NANOVOLTs 1 'RELEASE MEASUREMENTS
CN116106817A (en) Production calibration method of high-precision alternating-current electric energy meter