SU1303857A1 - Pressure instrument transducer - Google Patents

Pressure instrument transducer Download PDF

Info

Publication number
SU1303857A1
SU1303857A1 SU853918899A SU3918899A SU1303857A1 SU 1303857 A1 SU1303857 A1 SU 1303857A1 SU 853918899 A SU853918899 A SU 853918899A SU 3918899 A SU3918899 A SU 3918899A SU 1303857 A1 SU1303857 A1 SU 1303857A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
base
recess
sensing element
semiconductor material
width
Prior art date
Application number
SU853918899A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Эдуард Людвикович Егиазарян
Original Assignee
Предприятие П/Я А-3495
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-3495 filed Critical Предприятие П/Я А-3495
Priority to SU853918899A priority Critical patent/SU1303857A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1303857A1 publication Critical patent/SU1303857A1/en

Links

Landscapes

  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике и позвол ет повысить чувствительность устройства. На поверхности чувствительного элемента в виде полупроводниковой пластины 1 выполнено не менее двух углублений 2 посто нного сечени , ориентированных по ее главным кристаллографическим направлени м. Действующее на преобразователь давление вызывает упругую деформацию углублений 2, привод щую к изменению сопротивлени  размещенных в них тензорезисторов 4. Сигнал разбаланса измерительной схемы определ ет измер емое давление. Приведено соотношение, св зывающее толщину основани  и высоту углублений. 1 з.п. ф-лы, 5 ил. (Л со о Сл 00 СП | cfJue.lThe invention relates to a measurement technique and makes it possible to increase the sensitivity of the device. On the surface of the sensing element in the form of a semiconductor plate 1, at least two constant cross section depressions 2, oriented along its main crystallographic directions, are made. The pressure acting on the transducer causes elastic deformation of the depressions 2, leading to a change in resistance of the strain gages placed in them 4. Unbalance signal The measuring circuit determines the pressure to be measured. The relationship between the thickness of the base and the height of the recesses is given. 1 hp f-ly, 5 ill. (L with about SL 00 SP | cfJue.l

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике, в частности к полупроводниковым тензометрическим датчикам давлени , и может быть использовано в информационно-измерительных, кон- трольно-управл ющих и автоматизированных системах в качестве первичного измерительного преобразовател  давлени  жидкостей и газов.The invention relates to a measurement technique, in particular, to semiconductor strain gauge pressure sensors, and can be used in information-measuring, control and control and automated systems as a primary measuring transducer for the pressure of liquids and gases.

Целью изобретени   вл етс  повыше- ние чувствительности.The aim of the invention is to increase the sensitivity.

На фиг.1 показан чувствительный элемент с углублением по периметру и с квадратным жестким центром; на фиг.2 - общий вариант чувствительного элемента, базов.а  модель; на фиг.З - конструкци  преобразовател51 давлени  с чувствительным элементом, сечение А-А на фиг.1; на фиг.4 - чувствительный элемент, балочный вариант; Hd фиг.З - мембранный чувствительный элемент с эпюрами напр жений с учетом концентраторов напр жений.Figure 1 shows a sensitive element with a recess around the perimeter and with a square hard center; figure 2 - the General version of the sensing element, the base model; FIG. 3 shows a pressure transducer design with a sensitive element, section A-A in FIG. figure 4 is a sensitive element, beam version; Hd Fig. 3 is a membrane sensitive element with voltage plots taking into account stress concentrators.

Преобразователь давлени  содержит полупроводниковую пластину 1, в которой выполнены углублени  2, выполн ющие роль упругих элементов, т.е. это участки, где происход т упругие деформации . Утолщенные секторы 3 выполн ют роль ребер жесткости, т.е. это участки чувствительного элемента, где упругие деформации практически равны нулю. На утолщенных секторах 3 размещены элементы вто.ричной аппаратуры , например операционный усили- тель, микропроцессор, выпр мительна  схема, магазин сопротивлений дл  балансировки измерительной схемы, компоненты схемы температурной компенсации и т.д. В углублени х 2 размещены компоненты измерительной схемы, в частности тензорезисторы 4, которые с помощью проводников 5 и 6 соединены между собой с вторичными схемами, размещенными на утолщенных секторах, и внещней аппаратурой. Полупровод1ш- кова  пластина 1 закреплена в корпусе 7 (фиг.З), с помощью клеевого состава 8.The pressure transducer contains a semiconductor plate 1, in which recesses 2 are made, which play the role of elastic elements, i.e. these are the areas where elastic deformations occur. Thickened sectors 3 play the role of stiffeners, i.e. These are the parts of the sensitive element, where the elastic deformations are practically zero. The thickened sectors 3 contain elements of secondary hardware, for example, an operational amplifier, a microprocessor, a rectifier circuit, a resistance box for balancing the measuring circuit, components of the temperature compensation circuit, etc. Components of the measuring circuit are placed in recesses 2, in particular, resistance strain gages 4, which are interconnected with the help of conductors 5 and 6 with secondary circuits placed on thickened sectors and external equipment. The semiconductor plate 1 is fixed in the housing 7 (FIG. 3), using adhesive composition 8.

,Преобразователь давлени  работает следующим образом.The pressure transmitter operates as follows.

Под действием измер емого давлени , углубленные участки 2 пластины 1 упруго деформируютс , при этом утолщенные секторы 3 не деформируютс . Под воздействием этих деформаций (и соответственно, напр жений) тензорезисторы 4 мен ют величины сопротивлений , что приводит к разбалансу измерительной схемы. Сигнал разбаланса измерительной схемы с помощью проводников 5 подаетс  к схемам, выполненным на утолщенных секторах, и к проводам 6, которые соедин ют преобразователь с внешней аппаратурой. На измерительную схему подаетс  электрическое напр жение (ток), изменение которого  вл етс  результатом разбаланса измерительной схемы и пр мо пропорционально измер емому давлениюUnder the action of the measured pressure, the depressed portions 2 of the plate 1 are elastically deformed, while the thickened sectors 3 are not deformed. Under the influence of these deformations (and, accordingly, stresses), the strain gages 4 change the resistance values, which leads to the imbalance of the measuring circuit. The unbalance signal of the measuring circuit is fed by conductors 5 to circuits made on thickened sectors and to wires 6, which connect the converter to external equipment. An electrical voltage (current) is applied to the measuring circuit, the change in which is the result of the unbalance of the measuring circuit and is directly proportional to the measured pressure.

Claims (1)

1.Измерительный преобразователь давлени , содержащий корпус с чувствительным элементом из полупроводникового материала, на котором расположены тензорезисторы, отличающийс  тем, что, с целью повышени  чувствительности, в нем по крайней мере на одной поверхности чувствительного элемента выполнено не менее двух углублений посто нного поперечного сечени , по длине ориентированных по главным кристаллографическим направлени м полупроводникового материала чувствительного элемента, тензорезисторы размещены на поверхности основани  каждого углублени  вдоль него, при этом толщина h основани  углубленных участков удовлетвор ет соотношению h тх Н, где И - высота углублени .1. A pressure measuring transducer comprising a housing with a sensing element made of semiconductor material on which strain gages are located, characterized in that, in order to increase the sensitivity, at least two cavities of constant cross section are made in at least one surface of the sensing element, along the length of the semiconductor material of the sensitive element oriented along the main crystallographic directions, the strain gauges are placed on the surface of the base each recess therealong, the thickness h of the recessed portions of the base satisfies the relation mx H h, where h - height of the recess. 2,Преобразователь по п.1, о т - личающийс  тем, что в нем ширина каждого тензорезистора равна ширине основани  углублени .2, The converter according to claim 1, T is characterized in that in it the width of each strain gauge is equal to the width of the base of the recess. фиг. IFIG. I А-АAa Фиг.зFig.z XVVXvv Редактор Э.СлиганEditor E. Sligan Составитель В.КазаковCompiled by V. Kazakov Техред А.Кравчук Корректор А.ЗимокосовTehred A. Kravchuk Proofreader A.Zimokosov Заказ 1298/41Тираж 777 ПодписноеOrder 1298/41 Circulation 777 Subscription ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб,, д. 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab, 4/5 Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4Production and printing company, Uzhgorod, st. Project, 4 CPU г. 5CPU d. 5
SU853918899A 1985-06-21 1985-06-21 Pressure instrument transducer SU1303857A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853918899A SU1303857A1 (en) 1985-06-21 1985-06-21 Pressure instrument transducer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853918899A SU1303857A1 (en) 1985-06-21 1985-06-21 Pressure instrument transducer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1303857A1 true SU1303857A1 (en) 1987-04-15

Family

ID=21185533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853918899A SU1303857A1 (en) 1985-06-21 1985-06-21 Pressure instrument transducer

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1303857A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995028007A1 (en) * 1994-04-11 1995-10-19 Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'innovatsionny Tsentr Novykh Tekhnologii' Semiconducteur strain-measuring converter

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1068748, кл. G 01 L 9/04, 1984. Авторское свидетельство СССР № 777757, кл. G 01 L 9/04, 1981. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995028007A1 (en) * 1994-04-11 1995-10-19 Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'innovatsionny Tsentr Novykh Tekhnologii' Semiconducteur strain-measuring converter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3439761A (en) Strain-gage transducer structures
US3365689A (en) Strain gage apparatus
US5440077A (en) Combined weighting and displacement sensor and weighing apparatus using the same
EP0104205A4 (en) Force, torque and displacement sensor for machine tools.
SU1303857A1 (en) Pressure instrument transducer
US5369875A (en) Method of manufacturing strain sensors
US3363456A (en) Cantilever beam transducers
US3413845A (en) Low deflection force transducer
SU1605146A1 (en) Pressure transducer
CN209214813U (en) The micro- fusion pressure force snesor of glass
SU1362918A1 (en) Device for calibrating strain gauge transducers of deformations in dynamic mode
SU1408263A1 (en) Strain-gauge pressure transducer
SU1432357A1 (en) Pressure transducer
SU1673829A1 (en) Deformations amplifier
SU1245868A1 (en) Device for measuring strains of circular metal membrane
SU1247693A1 (en) Semiconductor measuring device
KR102498987B1 (en) Load detection device
JPS63200029A (en) Thin-type load cell
SU566151A1 (en) Variable-force dynamometer
SU1435967A1 (en) Integral pressure strain-gauge transducer
SU1737290A1 (en) Pressure sensor
SU1470859A1 (en) Instrument for measuring tangential pressure
SU1174836A1 (en) Device for measuring coefficient of contact friction of polymeric material
SU459699A1 (en) Strain gage pressure difference transducer
SU1760412A1 (en) Semiconductor pressure transduce