SU129391A1 - Матричное запоминающее устройство - Google Patents

Матричное запоминающее устройство

Info

Publication number
SU129391A1
SU129391A1 SU638690A SU638690A SU129391A1 SU 129391 A1 SU129391 A1 SU 129391A1 SU 638690 A SU638690 A SU 638690A SU 638690 A SU638690 A SU 638690A SU 129391 A1 SU129391 A1 SU 129391A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
film
storage device
matrix storage
loop
matrix
Prior art date
Application number
SU638690A
Other languages
English (en)
Inventor
В.Е. Бандура
Original Assignee
В.Е. Бандура
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В.Е. Бандура filed Critical В.Е. Бандура
Priority to SU638690A priority Critical patent/SU129391A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU129391A1 publication Critical patent/SU129391A1/ru

Links

Landscapes

  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Description

Известны запоминающие устройства матричного типа, выполненные с использованием технологии печатных схем, а также матричные запоминающие устройства с элементами пам ти на пленочных магпитных материалах с пр моугольной нетлей г 1стерезиса.
Предлагаемое матричное запоминающее устройство с плепочнои структурой, предназначенное дл  хранени  информации, заданной в двоичном коде, отличаетс  от известных тем, что, с целью повышени  экономичности, быстродействи  и уменьшени  габаритов, запоминающие элементы, составл ющие замкиутую магнитную систему, состо т из слоев пленочного материала, имеющих преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки, слоев пленочных петлеобразных проводников со сло ми диэлектриков между нпми и промежуточного сло  магнитной пленки с преимущественным намагничиванием в направлении перпендикул р гам плоскости пленки.
Принц шиальна  схема предлагаемого устройства изображена па чертеже.
Матричное запоминающее устройство выполн етс  носледовательным нанесением на изол ционную подложку (например, керамическую) методом распылени  пленочных слоев специальной ко1 фигураппи следующих видов материалов: магнитпого с пр моугольной петлей гистерезиса , провод щего и изол ционпого. Первым па подложку наноситс  сплошной слой магнитного материала, имеющего преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки; затем через трафарет наноситс  слой изол ции и за ним перва  петлеобразна  обмотка /. Далее нанос тс : изол ци , обмотка считывани  2, изол ци , втора  петлеобразна  обмотка 5 и еще изол ци . В области 4, охватываемой петл ми первой и второй обмоток, наноситс  магнитный материал с преимуп1ествениым намагничиванием в направлении перпепдикул рном к пло.-кости пленки. Последним наноситс  сплошной слой магнитного материала с преимущественным намагничиванием вдоль плоскости пленки.
В результате получаетс  матрица из магнитных сердечников, образующихс  в общей области двух пересекающихс  линий первой и второй петлеобразных обмоток (например, область 4. Каждый из образованных таким образом магнитных сердечников при достаточном суммарном токе в обмотках 7 и 5 может быть перемагничен в одно из двух ус
SU638690A 1959-09-14 1959-09-14 Матричное запоминающее устройство SU129391A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU638690A SU129391A1 (ru) 1959-09-14 1959-09-14 Матричное запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU638690A SU129391A1 (ru) 1959-09-14 1959-09-14 Матричное запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU129391A1 true SU129391A1 (ru) 1959-11-30

Family

ID=48400548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU638690A SU129391A1 (ru) 1959-09-14 1959-09-14 Матричное запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU129391A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3395403A (en) * 1964-06-29 1968-07-30 Rca Corp Micromagnetic grooved memory matrix
US3417385A (en) * 1964-08-04 1968-12-17 Ampex Thin film shift register

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3395403A (en) * 1964-06-29 1968-07-30 Rca Corp Micromagnetic grooved memory matrix
US3417385A (en) * 1964-08-04 1968-12-17 Ampex Thin film shift register

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2792563A (en) Magnetic system
GB845605A (en) Non-destructive sensing of thin film magnetic cores
Rajchman Computer memories: A survey of the state-of-the-art
SU129391A1 (ru) Матричное запоминающее устройство
US3149316A (en) Inductive matrix arrangement for sensing magnetic configurations
US3276000A (en) Memory device and method
US2964738A (en) Hall effect memory device
Looney A twistor matrix memory for semipermanent information
US3521249A (en) Magnetic memory arrangement having improved storage and readout capability
US3786447A (en) Information propagation path switching device
US3163855A (en) Magnetic memory circuits
US3943497A (en) Split coil type bubble domain driving apparatus
US3046532A (en) Magnetic device
US3302190A (en) Non-destructive film memory element
US3200383A (en) Conductor for a thin film matrix employing a driving core connected by resistance wire
US3487385A (en) Ferromagnetic thin film memory device
US3890604A (en) Selective dipole orientation of individual volume elements of a solid body
GB864174A (en) Drive circuits suitable for memory devices of electronic computers
US3407492A (en) Method of fabricating a tubular thin-film memory device
US3160864A (en) Random access high speed memory
US3787824A (en) High-density magnetic memory
US3621272A (en) Variable-threshold magnetic circuit element
GB876454A (en) Magnetizable devices
Tillman FluxlokߞA Nondestructive, Random-Access Electrically Alterable: High-Speed Memory Technique Using Standard Ferrite Memory Cores
US3309680A (en) Enhanced voltage readout for cryoelectric memories