SU1265884A1

SU1265884A1 - Способ повышени равномерности освещенности

Info

Publication number: SU1265884A1
Application number: SU843796645A
Authority: SU
Inventors: Василий Иванович Аршавский; Вадим Александрович Лапшин; Станислав Викторович Шарманов
Original assignee: Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им.А.Н.Севченко
Priority date: 1984-10-04
Filing date: 1984-10-04
Publication date: 1986-10-23

Abstract

Изобретение относитс к области оптического приборостроени , осветительной техники. Целью изобретени вл етс повышение равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах. После выбора необходимых значений индукции частоты В и w на разр дньп канал лампы воздействуют переменным магнитным полем; Значени В и со выбирают, исход из соотноше ний К( у-у,) , где у - коэффициент равномерности освещенности объекта при наложении магнитного пол ; у - коэффициент равномерности освещенности объекта без наложени магнитного пол ; К посто нный коэффициент, определ емый типом лампы; ot - посто нна , определ ема типом лампы; о - посто нна iвpeмeни системы; |3 - посто нна , оп (Л редел ема типом лампы.

Description

to

о сд

00

с

4i

Изобретение относитс к оптическому приборостроению, осветительной технике и может быть использовано в фотометрических приборах, в осветительной и проекционной технике дл повышени равномерности освещенности объекта.

Цель изобретени - повышение равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах.

Способ повышени равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах осуществл етс следующим образом.

После включени проекционной или регистрирующей системы измер етс коэффициент равномерности освещенности- освещаемого объекта, который определ етс по формуле

Уо

(1)

max

|При этом значени Е ;„ и Е выбираютс из совокупности измерений уров- ней освещенности в различных то-чках по

всей поверхности освещаемого объекта Если полученное значение у не удовлетвор ет услови м данной конкретной задачи освещени ,, то по формулам К(У )(2) (3) определ ют необходимые значени В и о магнитного пол ,которыми надо воздействовать на разр дный канал лампы,чтобы обеспечить необходимую равномерность освещенности у. Требуемое направление силовых линий магнитного пол выбирают из услови ,чтобы колебани свет щегос факела лампы происходили в плоскости, перпендикул рной направлению распространени света от лампы к освещаемому объекту. Это реализуетс в том случае, если силовые линии магнитного пол будут направлены поперек разр да, но вдоль направлени распространени света от лампы к освещаемому объекту, например вдоль оптической оси системы. Йри определении величины В по формуле (2), если дл данного типа лампы не известно значение К, которое, как экспериментально установлено, дл разных типов ламп составл ет 0,005-0,03 Тл, его можно определить экспериментально следующим образом.

В отсутствии магнитного пол ( BQ 0) определ етс как зто указано по формуле (1) значение Уд . Затем на разр дный канал лампы воздействуют поперечным переменньм магнитным полем с произвольной, но известной величиной В, и определ ют значение У,. Значение К в этом случае определ етс как отношение

К .B

(4)

J ffo У

т.е. значение К определ етс как величина , обратна изменению равномерности освещенности при изменении индукции магнитного пол на 1 Тл.

При достаточно больших значени х

налагаемого пол В (разных дл разного типа ламп) амплитуда колебаний разр дного факела лампы оказываетс настолько большой, что происходит срыв дугового разр да и погасание

лампы. Поэтому дл каждого типа ламп существует некоторый верхний предел допустимого значени индукции налагаемого магнитного пол oi . Экспериментально установлено, что дл разных типов ламп значение об составл ет 0,05-0,2 Тл.

Выбор частоты налагаемого пол СО по формуле (3) определ етс следующими причинами. Дл обеспечени

повьщ1ени равномерности освещенности необходимо, чтобы за врем освещени объекта, характеризующегос посто нной времени системы регистрации светового сигнала с, разр дный факел лампы совершил кратное целое число колебаний, т.е.

СО

(5)

При этом дл каждого типа ламп существует предельно допустимые максимальные значени частоты изменени магнитного пол р , вьшге которых начинают про вл тьс эффекты инерционности в движении разр дного факела. В этом случае факел лампы не успевает колебатьс с задаваемой полем частотой, в результате наблюдаетс резкое снижение равномерности освещенности. Экспериментально установлено , что дл разного типа ламп

значение } составл ет 5-10 кГц.

После выбора необходимых значений В и со на разр дный канал лампы воздействуют поперечным переменным маг55 нитным полем с выбранными характеристиками В и со . Свет щийс разр дный факел лампы начинает совершать колебательные движени , воспринимаемые регистрирующей системой как расширение свет щейс области разр дного факела с одновременной трансформацией тела свечени лампы из конусообразного в близкую к кругу. В результате повышаетс равномерность распределени интенсивности светового излучени по потоку света, поступающего от лампы на освещаемый объект, и тем самым улучшаетс равномерность освещенности освещаемого объекта.

Claims

Использование в предлагаемом способе воздействи на разр дный канал лампы внешним поперечным переменным магнитным полем позвол ет повысить равномерность освещенности в проекционных и регистрирукщих системах, улучшить тепловой режим анода дуговых ламп за счет сканировани опорно го п тна по аноду и повысить эффективность работы системы за счет наблюдаемого увеличени удельного светового потока, поступающего от системы на освещаемый объект. Формула изобретени

Способ повьшгени равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах, создаваемой излучением от дуговых газоразр дных ламп, включающий воздействие на разр дньй канал лампы внешним магнитным полем, отличающийс тем, что,с целью повьш1ени равномерности освещенности, используют поперечное переменное магнитное поле, при этом индукцию магнитного пол В выбирают из услови

ЧГХоН в- коэффициент равномерности

де у освещенности объекта при наложении магнитного пол ;

Уд - коэффициент равномерности

:j освещенности объекта без наложени магнитного пол ;

К - посто нный коэффициент, определ емый типом лампы;

6i посто нна , определ ема типом лампы, а Частоту магнитного пол сэ выбирают из услови

де - посто нна времени системы; .р - посто нна ,определ ема типом лампы.