SU1257789A1 - Двухтактный инвертор - Google Patents

Двухтактный инвертор Download PDF

Info

Publication number
SU1257789A1
SU1257789A1 SU853839322A SU3839322A SU1257789A1 SU 1257789 A1 SU1257789 A1 SU 1257789A1 SU 853839322 A SU853839322 A SU 853839322A SU 3839322 A SU3839322 A SU 3839322A SU 1257789 A1 SU1257789 A1 SU 1257789A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
current
control transistor
positive feedback
transistor
power
Prior art date
Application number
SU853839322A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Александрович Глебов
Original Assignee
Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Энергетический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Энергетический Институт filed Critical Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Энергетический Институт
Priority to SU853839322A priority Critical patent/SU1257789A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1257789A1 publication Critical patent/SU1257789A1/ru

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано во вторичных источниках питани . Цель изобретени  - повышение надежности и быстродействи . При работе транзисторов (Т) 2 и 3 в режиме насыщени  обмотка 8 положительной обратной св зи удерживает их в этом состо нии. Т 4 заперт напр жением на диоде 12. Ограничение тока во входной цепи управл ющего транзистора позвол ет перевести его в выключенное состо ние действием сигнала синхронизации путем щунти- ровани  входной цепи Т 2 или подачей отрицательного импульса. Ограничение напр жени  запирани  Т 2 обусловлено пороговой характеристикой диодных цепей 5 и 6. Выбор сопротивлений резисторов 9,10 и 13,14 обеспечивает активный режим Т 2, при котором ток его выходной цепи становитс  завис щим от тока во входной цепи при меньшем значении тока. 2 з.п. ф-лы. 1 ил. to сд vi 00 СО

Description

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в устройствах преобразовани  и регулировани  электрической энергии.
Цель изобретени  - повышение надежности и быстродействи .
На чертеже представлена принципиальна  схема двухтактного инвертора.
В устройстве первый вывод 1 дл  подключени  источника питани  св зан через выходную цепь управл ющего транзистора 2 с объединенными эмиттерами первого и второго силовых транзисторов 3 и 4. В управл ющем транзисторе 2 с выводами 1 соединен эмиттер. Между базами силовых транзисторов 3 и 4 и первым выводом 1 дл  подключени  источника питани  включены перва  и втора  диодные цепи 5 In 6, обладающие пороговой проводимостью. В силовом трансформаторе 7 выводы обмотки 8 положительной обратной св зи подключены к базам первого и второго силовых транзисторов 3 и 4 через первый и второй ограничительные резисторы. 9 и 10, соединены с выводом 1 дл  подключени  источника питани  через третий и четвертый диоды 11 и 12, образующие двухполупериод- ный выпр митель, и соединены с управл ющим электродом управл ющего транзистора 2 через третий и четвертый ограничительные резисторы 3 и 14. К коллекторам силовых транзисторов 3 и 4 подключена первична  обмотка силового трансформатора , содержаща  две секции 15-1 и 15-2, обща  точка которых соединена со вторым выводом 16 дл  подключени  источника питани .
Принцип действи  устройства состоит в следующем.
При подключении двухтактного инвертора к источнику питани  (выводы 1 и 16} за счет токов утечки или с помощью отпирающего смещени  (цепи смещени  не показаны па схеме) производитс  начальное отпирание силового транзистора (например 3) и управл ющего транзистора 2. При этом, протекание по секции 15-1 выходного трансформатора 7 вызывает по вление ЭДС на обмотке 8 положительной обратной св зи, и во входные цепи силового транзистора 3 и управл ющего транзистора 2 задаютс  дополнительные компоненты тока через ограничительные резисторы 9 и 13. Ток обмотки 15-1 возрастает, из-за чего увеличиваетс  напр жение на этой обмотке и соответственно ЭДС обмотки 8 положительной об- ратпой св зи, транзисторы 3 и 2 отпираютс  еще больще и т. д. до их перехода в режим насыщени . При работе транзисторов 2 и 3 в режиме насыщени  к секции 15-1 первичной обмотки приложено напр жение питани . Соответственно посто нное напр жение трансформируетс  в обмотку 8 положительной обратной св зи, и токами через резисторы 9 и 13 транзисторы 3 и 2 удер5
живаютс  в состо нии насыщени . Транзистор 4 заперт напр жением на диоде 12, передаваемым на базу транзистора 4 через резистор 10.
Ограничитель тока во входной цепи управл ющего транзистора 2 позвол ет перевести его в выключенное состо ние действием сигнала синхронизации (например, путем щунтировани  входной цепи транзистора 2 или подачей отрицательного импуль0 са). Переход выходной цепи управл ющего транзистора 2 состо ние низкой проводимости под действием указанного сигнала обеспечивает автоматическое запирание силового транзистора 3 отрицательным током базы, равным току коллектора этого транзистора , протекавщим по коллекторной цепи перед моментом запирани . Отрицательный ток базы силового транзистора 3 замыкаетс  через диодную цепь 5, и при этом к выходной цепи управл ющего транзистора 2,
0 перещедщего в выключенное состо ние, прикладываетс  напр жение, определ емое пороговой характеристикой диодной цепи 5. Запирание силового транзистора 3 значительным током обеспечивает малое врем  рассасывани  в базе силового транзистора 3
5 и высокую крутизну спада его коллекторного тока, что означает увеличение быстродействи  и снижение потерь энергии при запирании . Па личие в эмиттерной цепи запирающегос  силового транзистора 3 высокого сопротивлени  выходной цепи управл ющего
транзистора 2, перед этим перешрдщего в состо ние низкой проводимости, предотв)а- щает услови  дл  возникновени  вторичного пробо  в силовом транзисторе 3 при его запирании, когда к выходной цепи прикладываетс  высокое напр жение, приблизительно равное удвоенному напр жению питани .
После запирани  силового транзистора 3 за счет энергии магнитного пол , накопленной в сердечнике трансформатора 7, про0 исходит перемена пол рности напр жений на его обмотках. Поэтому при прекращении действи  сигнала синхронизации током, задаваемым во входную цепь через резистор 14 обмоткой 8 положительной обратной св зи, транзистор 2 переводитс  во включенное состо ние . При этом, обеспечиваютс  услови  дл  протекани  тока через резистор 10 и входную цепь силового транзистора 4, вследствие чего он переходит к режиму насыщени  вслед за основным управл ющим
Q транзистором 2.
Возникшее состо ние схемы аналогично ранее рассмотренному, и поэтому описанные процессы повтор ютс  при поступлении нового сигнала синхронизации.
Ограничение напр жени , прикладывае5 мого к выходной цепи управл ющего транзистора 2 при его запирании, обусловлено пороговой характеристикой диодных цепей 5 и 6. Дл  нормальной работы устройства
5
5
необходимо, чтобы диодные цепи 5 и 6 не шунтировали входные цепи силовых транзисторов 3 и 4 и, следовательно, достаточно , если падение напр жени  на диодных цеп х 5 и 6, возникающее при запирании транзисторов 3 и 4, не превышало 3-5 В. Это позвол ет использовать в качестве транзистора 2 низковольтные и поэтому быстродействующие приборы с высокими усилительными свойствами (например, нолевые транзисторы). Это исключает  вление вторичного пробо  управл ющего транзистора 2. В качестве диодных цепей 5 и 6 с пороговой проводимостью могут быть использованы низковольтные стабилитроны или группа из соединенных последовательно диодов.
Если выбором сопротивлений резисторов 9,10 и 13,14 обеспечить переход управл ющего транзистора 2 в активный режим, при котором ток его выходной цепи становитс  завис щим от тока (напр жени ) во входной при меньшем значении тока, или переход т в активный режим из режима насыщени  силовые транзисторы 3 и 4, то в устройстве возникает  вление самосинхронизации . Оно внешне про вл етс  в том, что происходит автоматическое ограничение амплитуды токов силовых транзисторов 3 и 4 на уровне, слабо завис щем от их.усилительных свойств. Переход управл ющего транзистора 2 в активный режим означает ограничение тока в его выходной цепи на некотором пороговом уровне, поскольку сигнал во входной цепи ограничен напр жением на обмотке 8 положительной обратной св зи. При этом, возрастает падение напр жени  на управл ющем транзисторе 2 до тех пор, пока не достигаетс  порог отпирани  диодной цепи 5, если в провод щем состо нии силовой транзистор 3.
При достижении порога отпирани  диодной цепи 5 рост тока первичной обмотки 15-1 выше указанного порогового уровн  означает уменьшение величины, а затем инверсию знака тока базовой цепи силового транзистора 3, что вызывает его запирание . Оно происходит при токе, незначительно превышающем пороговое значени  тока выходной цепи управл ющего транзистора 2.
Явление самоограничени  амплитуды токов силовых транзисторов 3 и 4 повышает надежность их работы в автогенераторном режиме двухтактного инвертора.

Claims (3)

1.Двухтактный инвертор, содержащий первый и второй силовые транзисторы, эмиттеры которых объединены, а между базами и первым выводом дл  подключени  источ0 ника питани  включены перва  и втора  диодные цепи, выходной трансформатор, обмотка положительной обратной св зи которого включена между базами первого и второго силовых транзисторов через первый и второй ограничительные резисторы, и управ л ющий транзистор, эмиттер которого соединен с первым выводом дл  подключени  источника питани , двухполупериодный выпр митель , отличающийс  тем, что, с целью повыщени  надежности и быстродействи ,
Q обмотка положительной обратной св зи через указанный двухполупериодный выпр митель и введенную токоограничивающую цепь подключена к коллектору управл ющего транзистора, а перва  и втора  диодные цепи выполнены с порогом отпирани  по
5 напр жению, большим суммы падени  напр жени  на входной цепи силового транзистора и выходной цепи управл ющего транзистора в состо гнии их проводимости.
2.Инвертор по п. 1, отличающийс  тем, что двухполупериодный выпр митель образован диодами, включенными между выводами обмотки положительной обратной св зи и первым выводом дл  подключени  источника питани , а токоограничивающа  цепь образована третьим и четвертым ограничительными резисторами, включенными
между выводами обмотки положительной обратной св зи и управл ющим электродом управл ющего транзистора.
3.Инвертор по п. 1, отличающийс  тем, что двухполупериодный выпр митель образоQ ван двум  диодами, включенными между выводами обмотки положительной обратной св зи последовательно-встречно, а их обща  точка подключена к управл ющему электроду управл ющего транзистора через токоограничивающую цепь.
0
SU853839322A 1985-01-04 1985-01-04 Двухтактный инвертор SU1257789A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853839322A SU1257789A1 (ru) 1985-01-04 1985-01-04 Двухтактный инвертор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853839322A SU1257789A1 (ru) 1985-01-04 1985-01-04 Двухтактный инвертор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1257789A1 true SU1257789A1 (ru) 1986-09-15

Family

ID=21156892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853839322A SU1257789A1 (ru) 1985-01-04 1985-01-04 Двухтактный инвертор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1257789A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 615578, кл. Н 02 М 7/537, 1978. Авторское свидетельство СССР № 748747, кл. Н 02 М 7/537, 1980. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3986052A (en) Power switching control circuit with enhanced turn-off drive
US3820008A (en) Driving circuit for switching transistor
US3610963A (en) Switch drive circuit for the time ratio controlled transistor switching circuits
US4319301A (en) Circuits for electromagnet energization control
SU1257789A1 (ru) Двухтактный инвертор
US4323957A (en) Voltage supression circuit for a voltage converter circuit
US4293779A (en) Control of power semiconductors through center-tapped transformer with self-demagnetizing circuitry
JPS5925405B2 (ja) 半導体スイツチ装置
SU1320881A1 (ru) Транзисторный генератор пр моугольных колебаний
SU1690147A1 (ru) Автогенератор
SU1713058A1 (ru) Двухтактный транзисторный преобразователь напр жени
SU1089726A1 (ru) Устройство дл управлени силовыми транзисторами высокочастотного инвертора
US4603307A (en) Inverter using current steering saturable inductors or diodes
SU928557A1 (ru) Устройство дл управлени силовым транзистором
SU765993A1 (ru) Формирователь знакопеременных импульсов
SU1541723A1 (ru) Устройство дл управлени силовым транзисторным ключом
SU1195444A1 (ru) Переключатель тока
SU1457114A1 (ru) Однотактный преобразователь посто нного напр жени
SU1713059A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU1133663A1 (ru) Устройство дл управлени силовым транзисторным ключом
RU1803958C (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU1181103A1 (ru) Электропривод
SU1665350A1 (ru) Устройство дл управлени регулирующим элементом импульсного стабилизатора
SU954991A1 (ru) Источник питани посто нного напр жени
SU1603511A1 (ru) Двухтактный транзисторный инвертор