Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано дл управлени силовыми транзисторами , работагощими в противофазе, в частности в схемах автономных пре образователей. Известно устройство дл управлени силовьц ш транзисторами инвертор содержаЕ1,ее задающий генератор тран форма орэ вторичные обмот1;и которог чреез разв зьшающие диоды соединены с управл ющими переходами полупроводниковых транзисторов 1 , Известное устройство имеет низ-кий КПД за счет наличи диодов в це пи протекани базового тока,, на которых происход т потери мощности уп равл ющего сигнала., и не обеспечива ет надежного запирани транзисторов Кроме того, в результате разницы времени вьжлючени и разниц ; падений напр лсений на базо-эмиттерньпс переходах базовый трансформатор нас щаетс . Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс устройство, содержащее задающий генератор , источник питани s первый и второй трансформаторы, вторичнью об мотки которых предназначены дл включени последовательно в базовую цепь силовых транзисторов, первична обмотка первого трансформатора подключена к выходу зад,аюи1его генератора t 2 . Указанное устройство устран ет интервал одновременно открытого состо ни транзисторов, но обладает низким КПД и сложностью. В базовой цепи силовых транзисторов на сопротивлени х и диодах происход т падени напр жени от протекани управл ющего тока, что приводит к сниженшо мощности импульса управлени и уменьшению 1ШД устройства. Цель изобретени - повышение КПД и упрощение устройства, Поставленка цель достигаетс тем, что устройство дл управлени силовьми транзисторами высокочастотного инвертора, содержащее задаю щий генератор, источник питани , первый и второй трансформаторы, вто ричнь1е обмотки которых включены пос ледовательно в базовую цепь силовых транзисторов, первична обмотка пер вого трансформатора подключена к выходу задающего генератора, снабжено двум стабилитронами, причем сбмотка подмагничивани второго трансформатора включена последовательно с источником питани и задающим гененатором и зашунтирована двум встречно-последовательно соединенными стабилитронами, На фиг. 1 показана принципиальна схема предлагаемого устройства; на фиг, 2 - временные диаграммы; по сн ющие его работу; на фиг, 3 диаграммы дл базового и дополнительного трансформаторов, Приндипиальна схема содержит источник 1 питани , последовательно с которым соединены задающий генератор 2 и обмотка 3 подмагничивани тра -:;сформатора 4, зашунтированна встречно-последовательно соединенными стабилитронами 5 и 6, К задающему генератору с2 подключен трансформатор 7 своей первичной обмоткой 8, Вторичные обмотки 9 и 10 трансформатора 7 одним концом подключены через обмотки 11 и 12 трансформатора 4 к базам силовых транзисторов 13 и 14 соответственно. Другие концы обмоток 9 и 10 подключены к эмиттерам транзисторов 13 и 14 соответствен1 о , З стройство работает следующим образом, Предположим вначале, что трансФорматор 4 отсутствует (его обмотки 11 и 12 замкнуты накоротко) и силовые транзисторы 13 и 14 од,и}шковы по своим характеристикам, Посто нн .Ь1Й тек источника 1 питани преобразуетс задающим генератором 2 в перемен1;ый пр моугольный .(фиг. 2сх) , который поочередно поступает в базы силовых транзисторов 13 и 14, что и требуетс дл нормальной работы ин- , вертора. Поскольку обмотки 9 и 10 трансформатора 7 подключены к базам силовьгх транзисторов 13 и 14 в противобазу транзистора,, которьй фазе, тс ьа в даннь й полупериод выдолжег; быть ключем,, например транзистор 14, поступает запирайщеё напр жение с величиной , равной падению напр жени на базе провод щего транзистора 13 что составл ет пор дка 1-1,5 В, Тем самым повышаетс нагрузочна способность транзисторов 13 и 14 по напр жению и снижаетс веро тность вторичного пробо . После изменени пол рности тока он вначале протекает в базе заканчивающего свою работу транзистоpa 13, обеспечива форсированное расасывание носителей. До окончани этого процесса транзистор 14 не включаетс , поскольку падение напр жени на базо-эмиттерном переходе транзистора 13 до окончани рассасывани носителей близко к нулю и поэтому базо-эмиттерный переход транзистора 14 не отпираетс . Тем самым устран етс перекрытие интервалов включенного состо ни силовых транзисторов 13 и 14. После окончани рассасывани носителей прекращаетс протекание тока в базе транзистора 13 и он переходит в базовую цепь транзистора 14, обеспечива ег отпирание. Однако схема устройства, не содержаща трансформатор 4, становитс неработоспособной при наличии разброса характеристик транзисторов , что на практике всегда имеет место. Пусть, например, падение напр жени на базе транзистора 13 несколько выше падени напр жени на базе транзистора 14. Тогда в первый полуперйод приращение индукции в сердечнике трансформатора 7 больше, что приводит к насьпцению сердечника . В результате намагничивающий то к концу первого полупериода резко возрастает, что ведет к резкому уменьшению тока в базе транзистора 13, выходу его из насыщени , перегрву и, в конечном итоге, к пробою. Неодинаковость приращений индукции в полупериоды возникает не тол вследствие пр мых падений напр жен на базо-эмиттерных переходах, но и вследствие разницы времени рассасывани . Чтобы устранить насьацение сердечника трансформатора 7, необходимо выравн ть приращение индукции в его сердечнике в разные полупериоды Дл этого служит дополнительный трансформатор 4. Он содержит две рабочие обмотки 11 и 12, включаемые так, что сердечник трансформатора 4 намагничиваетс тока;ми баз в одну сторону, а обмотка 3 подмагничивани включена так, что поле, намагничивани направлено встречно магнитному полю, создаваемого обмотками 11 и 12. Обмотка 3 шунтируетс симметричным ограничителем напр жени , например, встречно-последовательно соединенными стабилитронами 5 и 6. Ампервитки подмагничивани равны
или несколько меньше ампервитков базовых токов. Сердечник имеет значительно более высокую магнитную проницаемость, чем сердечник базового трансформатора.
Выравнивание приращений индукции происходит благодар выравниванию средних значений напр жени на вторичных обмотках базового трансформатора в разные полупериоды. Диаграммы фиг.2 по сн ют работу допонительного трансформатора в предположении , что петли гистерезиса материала сердечников- идеализированы в соответствии с фиг. 3 (фиг. 3, а дл базового и фиг. 35 дл дополнительного трансформаторов). Прин то Кроме того, что интервал рассасывани носителей зар дов отсутствует.
Диаграммы (фиг. 25-7,) иллюстрируют случай, когда характеристики базовых цепей силовых транзисторов одинаковы. Из-за действи намагничивающего тока базового трансформатора в первую половину каждого полупериода (до ц) ампервитки базового тока дополнительного трансформатора 4 превьшают ампервитки .подмагничивани , а во вторую часть - меньше и Поэтому за счет действи разности ампервитков до точки t. вступает в действие ограничитель 6, а после ТОЧКИ t - ограничитель 5. Среднее значение напр жени на рабочих обмотках 11 и 12 за полупериод равно нулю и дополнительный трансформатор не оказывает воздействи на величину результирующего приращени индукции в сердечнике трансформатора 7 за полупериод. Диаграммы (фиг. 2Э-ж) иллюстрируют случай, когда падение напр жени на базо-эмиттерном переходе транзистора 13 меньше, чем падение напр жени на переходе транзистора 14. Тогда базовьш ток транзистора 13 за счет действи намагничивающего ток.а базового трансформатора возрастет , а базовый ток транзистора 14 уменьшитс (рабоча точка на петле гистерезиса трансформатора 7 получит одностороннее смещение). Среднее значение падени напр жени в цепи базы транзистора 13 в результате дейстВИЯ трансформатора 4 возрастет,а среднее значение падени в цепи базы транзистора 14 уменьшитс ,что и требуетс дл выравнивани приращений индукции.