SU1255660A1 - Composition for pickling aluminium alloys - Google Patents
Composition for pickling aluminium alloys Download PDFInfo
- Publication number
- SU1255660A1 SU1255660A1 SU843809964A SU3809964A SU1255660A1 SU 1255660 A1 SU1255660 A1 SU 1255660A1 SU 843809964 A SU843809964 A SU 843809964A SU 3809964 A SU3809964 A SU 3809964A SU 1255660 A1 SU1255660 A1 SU 1255660A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- acid
- composition
- hydrogen peroxide
- solution
- water
- Prior art date
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
вat
Изобретение относитс к химической обработке деталей из спеченых алюминиевых сплавов с высоким процентом содержани кремни , типа CACj в частность травлени , и может быть использовано в мнйиностроенйи и приборостроении при изготовлении де талей с высокими термодиигамнческиьм свойствами.The invention relates to the chemical treatment of parts from sintered aluminum alloys with a high percentage of silicon, such as CACj in particular etching, and can be used in engineering and instrument making in the manufacture of parts with high thermal properties.
Цепь изобретени -г повышение клас са чистоты поверхности.The circuit of the invention is an increase in the class of surface cleanliness.
Пример. В необходимое количество воды ввод т все кислоты и изопропиловый спирт, а перед обработкой перекись водорода,Example. All the acids and isopropyl alcohol are introduced into the required amount of water, and before the treatment, hydrogen peroxide,
Дл получени оптимальной кон- цеитрации предлагаемого раствора готов т 5 смесей, состав кoтoJpыx пред™ ставлен в таблИ.In order to obtain the optimal conception of the proposed solution, 5 mixtures are prepared, the composition of which is pre-set is given in the table.
Результаты испытаний растйоров при различных концентраг9 йх приведены в табл.2, причем используют детали из сплава САС-1 после механической эбработки с величиной эаусен цев 15 мкм И| с шероховатостью поверхности 1,25, Температура раство ра В-20°С, продолжительность обработки -5 мин,The test results of the resistors at various concentrations are given in Table 2, with the use of parts made of CAC-1 alloy after mechanical working with 15 μm Aeusen size And | with a surface roughness of 1.25, Solution temperature B-20 ° C, processing time -5 min,
Анализ результатов, приведенных в табл.2 показывает, что выбранна концентраци компонентов раствора вл етс оптимальной. Процесс трав лени идет стабильно, заусенцы удал ютс полностью, а шероховатость поверхности не ухудшаетс ,Analysis of the results shown in Table 2 shows that the selected concentration of the components of the solution is optimal. The etching process is stable, the burrs are removed completely, and the surface roughness does not deteriorate,
Дл сравнени готов т известные растворы на основе азотной, серной, фтористоводородной, ортофосфорной кислот, ПАВ и ВОДЫ; раствор на основе ортофосфорной и уксусной кислот, йоды, фтористого аммони и азотной кислоты, а также раствор предлагаемого состава, содержащий азотную.For comparison, known solutions based on nitric, sulfuric, hydrofluoric, orthophosphoric acids, surfactants and WATER are prepared; a solution based on phosphoric and acetic acids, iodine, ammonium fluoride and nitric acid, as well as a solution of the proposed composition containing nitric acid.
4,0 5,0 6,0 7,0 8,04.0 5.0 6.0 7.0 8.0
1,0 2,0 3,5 5,0 6,0 4,0 5,0 5,5 6,0 7,01.0 2.0 3.5 5.0 6.0 4.0 5.0 5.5 6.0 7.0
2020
3 3
О ABOUT
33
556602556602
ортофосфорную, винную, кремнефторис- товодородную кислоты, спирт изопропиловый , перекись водорода и воду.orthophosphoric, tartaric, silica-hydrofluoric acid, isopropyl alcohol, hydrogen peroxide and water.
Перед обработкой провер ют шероховатость поверхности образцов и величину заусенцев. Затем образцы обезжиривают, промьюают в воде и об- рабатьюают в различных составах.Before processing, the surface roughness of the samples and the amount of burrs are checked. Then the samples are degreased, washed in water and processed in various compositions.
Испытывают детали из сплава алюмини типа САС-1 и САС-2. Образцами служат детали с величиной заусенцев 0,030 нм и с шероховатостью поверхности 1,25.Experienced parts of aluminum alloy type SAS-1 and SAS-2. Samples are parts with a burr size of 0.030 nm and a surface roughness of 1.25.
Химическое травление провод т в ультразвуковых ваннах Промышленного изготовлени , рабоча частота ультразвуковых колебаний 22 кГц. Температура раствора °18-20 с.Chemical etching is carried out in industrial-made ultrasonic baths, the operating frequency of ultrasonic vibrations is 22 kHz. Solution temperature is 18-20 s.
Обработку провод т в растворах в течение 5 мин. После обработки образцы высушивают и исследуют Данные испытаний сведены в табл.3.The treatment is carried out in solution for 5 minutes. After processing, the samples are dried and examined. The test data are summarized in table 3.
66
Из таб .З следует, что предлагае- раствор обеспечивает полное удаление заусенцев с высоким качеством обработает поверхности. В известных же растворах поверхность плохо обработана и зау.сеицы удалены не полностью . Использование предлагаемого раствора с воздействием ультразвуковых колебаний позвол ет эффективно обрабатывать не только наружные поверхности , но и поверхности в отверсти х, пазах и щел х. При этом небольшой съем металла позвол ет обеспечить размеры деталей по I и II классам точности. :From Table 3 it follows that the proposed solution ensures complete removal of burrs with high quality and will process the surfaces. In the well-known solutions, the surface is poorly processed and the depressed section is not completely removed. The use of the proposed solution with the effect of ultrasonic vibrations makes it possible to effectively process not only the external surfaces, but also the surfaces in the holes, grooves and crevices. At the same time, a small metal removal makes it possible to ensure the dimensions of parts according to I and II accuracy classes. :
Раствор можно использовать многократно , добавл необходимое количество разложившейс перекиси водорода .The solution can be used repeatedly by adding the required amount of decomposed hydrogen peroxide.
Т а б л и ц а 1Table 1
Компоненты раствораComponents of the solution
Кремнефторнсто- водородна кислотаCream-hydrofluoric acid
Спирт изопропи- ловыйIsopropyl alcohol
Перекись водорода ВодаHydrogen Peroxide Water
аbut
4,04.0
1,0 4,01.0 4.0
6,06.0
0,4 7.00.4 7.0
Остальное 5,0Remaining 5.0
2,0 5,02.0 5.0
7,07.0
Продолжение табл.ГContinued table.
Содержа1ше компонентов, мас.Х,Component content, wt.X,
в составеin composition
1 23 51 23 5
7,0 8,0 9,0 10,07.0 8.0 9.0 10.0
0,.5 0,7 1,0 1,1 8,0 9,0 10,0 11,00, .5 0.7 1.0 1.1 8.0 9.0 10.0 11.0
Ос- Ос- Ос- Ос- таль- таль-таль- тальное ное иое ноеOS-OS-OS-OSTALTAL-TALTAL ICE
Таблица2Table 2
Процесс травлени протекает очень медг ленио, заусенцы не снимаютс The process of etching proceeds very medg leno, burrs are not removed
0,000.00
1,25 0,0151.25 0.015
ПроцессProcess
Гравлеин Gravlein
протекаетis leaking
стабильно,stable
заусенцыburrs
сн тыsleep you
попност ьюin terms of
0,0050,005
1,.5 0,0001 .5 0,000
Состав t acT8opeiComposition t acT8opei
Спирт йэопроп - ловыйAlcohol yoprop - Lovy
Перекись водородHydrogen peroxide
ВодаWater
Азотна кислотаNitric acid
Ортофосфорна кислотаPhosphoric acid
Винна кислотаTartaric acid
Кремнефтористо- водородна кислотаFluorosilicic acid
Спирт изопропи левыйIsopropy alcohol left
Перекись водороHydrogen peroxide
ВодаWater
Азотна кислотаNitric acid
Ортофосфорна кислотаPhosphoric acid
Винна кислотаTartaric acid
Кремнефтористоводородна Hydrofluorocarbon
кислотаacid
Спирт изопропи ловыйIsopropyl alcohol
Пе пкись водорPeak Sea
ВодаWater
Азотна кислотNitric acid
Ортофосфорна кислотаPhosphoric acid
Винна кислотаTartaric acid
Продолжение табл.2Continuation of table 2
То жеAlso
0,004 ,25 0,0000,004, 25 0,000
0,0040,004
1,25 0,0001.25 0,000
Процесс травлени протекает бурно, зауеекхи сн ты, поверхность перетравлена.The process of etching proceeds rapidly, the process is removed, the surface is etched.
Иэвебтиый Азотна Iewebty Azotna
Iкислота25Acid25
30thirty
0 ,50, 5
2525
1,51.5
2020
7676
1515
22
Т блицаЗT blitz
1,25 0,0281.25 0.028
1,251.25
0,0270.027
1,25 0,0301.25 0.030
.5.five
J ,030J, 030
66
5five
Составитель В.Олейниченко Редактор И.Дербак Техред И.ВересКорректор М.Самборска Compiled by V.Oleynichenko Editor I.Derbak Tehred I.Verescorrector M.Samborska
Заказ 4788/30Тираж 878ПодписноеOrder 4788/30 Circulation 878 Subscription
ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee
по делам изобретений и открытий 113635, Москва , Раушска наб., д. 4/5Inventions and discoveries 113635, Moscow, Raushsk nab. 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, yh. Проектна , 4Production and printing company, Uzhgorod, yh. Project, 4
12556601255660
10 Продолжение табл.Э10 Continuation of table
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843809964A SU1255660A1 (en) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | Composition for pickling aluminium alloys |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843809964A SU1255660A1 (en) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | Composition for pickling aluminium alloys |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1255660A1 true SU1255660A1 (en) | 1986-09-07 |
Family
ID=21145821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843809964A SU1255660A1 (en) | 1984-11-06 | 1984-11-06 | Composition for pickling aluminium alloys |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1255660A1 (en) |
-
1984
- 1984-11-06 SU SU843809964A patent/SU1255660A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свндетельство СССР 9 566866, кл. С 09 К 13/00, 1976. Патент US 9 3448055, к .252-79.3, опублик. 1969. Патент US 3825454, кп. 156-8, опублмк. 1974. ..(54) (57) РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ СППА ВОВ АШМИНЙЯ, содержащий азотную, ортофрсфорную кнспоты, органическую кислоту и ВОДУ, отличающий- с ТО4, что, с целью повьвени ;класса чистоты поверхности, он в качестве органической содержит винную кислоту и дополнительно кремне- фтористоводородную кислоту, нзопро- пиловый спирт и перекись водорода при следующем соотношении компонентов, мас.%; Азотна кислота 5-7 Ортофосфорна кислота - 2-5 Винна кислота5-6 Кремиефтористоводородна кислота 7-9 Изопропиловый спирт.9,5-1,0 Перекись водорода 8-tO Вода. ОстдльнЪе S (Л N9 СЛ сл * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100248113B1 (en) | Cleaning and etching compositions for electrical display device and substrate | |
US5560857A (en) | Solution for cleaning silicon semiconductors and silicon oxides | |
DE69703052T2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device and use of a detergent for semiconductor cleaning | |
JPS6219509B2 (en) | ||
EP0159579A2 (en) | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions | |
JPH04506528A (en) | Etching solution for metal layers patterned with photoresist | |
EP0201808A2 (en) | Soluble fluorinated cycloalkane sulfonate surfactant additives for NH4F/HF oxide etchant solutions | |
CN115011963A (en) | Copper metal etching liquid composition and use method thereof | |
SU1255660A1 (en) | Composition for pickling aluminium alloys | |
KR100197339B1 (en) | Method of removing damaged crystal areas from silicon wafers | |
EP0571015A1 (en) | Electrolytic cleaning method for metal surfaces of electronic components | |
EP0425012B1 (en) | Baths and process for chemical polishing of copper and copper alloy surfaces | |
JPS63274149A (en) | Semiconductor treatment | |
EP0416126A1 (en) | Sulfuric acid composition having low surface tension | |
JPH11162953A (en) | Etching of silicon wafer | |
JP2700778B2 (en) | Semiconductor material processing method using acid-containing liquid | |
JPS6212311B2 (en) | ||
JPH1167742A (en) | Etching solution for semiconductor substrate and etching | |
JP3175095B2 (en) | Deburring solution and precision deburring method for aluminum alloy | |
SU1227713A1 (en) | Solution for pickling electrical steels | |
KR100415261B1 (en) | Electronic display device and cleaning and etching composition for substrate | |
JPS58127328A (en) | Etching method for insulating protection film of semiconductor substrate | |
SU883190A1 (en) | Solution for pickling electroengineering alloys | |
RU2772820C1 (en) | Method for chemical purification of parts made of copper and its alloys | |
RU2023751C1 (en) | Liquid for chemical polishing of niobium |