SU1248057A1 - Buffer device - Google Patents

Buffer device Download PDF

Info

Publication number
SU1248057A1
SU1248057A1 SU853857913A SU3857913A SU1248057A1 SU 1248057 A1 SU1248057 A1 SU 1248057A1 SU 853857913 A SU853857913 A SU 853857913A SU 3857913 A SU3857913 A SU 3857913A SU 1248057 A1 SU1248057 A1 SU 1248057A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
transistors
current
collector
base
Prior art date
Application number
SU853857913A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Викторович Петрухин
Павел Витальевич Ястребов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1589
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1589 filed Critical Предприятие П/Я А-1589
Priority to SU853857913A priority Critical patent/SU1248057A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1248057A1 publication Critical patent/SU1248057A1/en

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может использоватьс  как устройство согласоЕ ли  с инжекционными логическими элеме г- теми. Целью изобретени   вл етс  увеличение быстродействи , КПД, нагрузочной способности и уменьшение входного тока. Дл  достижени  поставленной цели в устройстве применены новые функциональные межэлементные св зи, а первый транзистор вьтолнен с площадью эмиттера, большей чем у второго транзистора. На чертеже показаны транзисторы 1 и 2 р-и-р-типа, транзисторы 3 и 4 h-p-h-типа, генератор 5 тока, шина 6 питани , вход 7 устройства, выходы устройства 8.1-8.А/, инжекцион- ный элемент 9. В устройстве может быть снижен уровень токов генера- торов тока управл емых инжекционных элементов и без ущерба быстродействию может быть уменьшена потребл ема  MOFtHocTb. 1 з.ц.ф-лы, 1 ил. i (Л ьо 42 00 О сл 4jThe invention relates to a pulse technique and can be used as a device to match the injection logic elements. The aim of the invention is to increase the speed, efficiency, load capacity and decrease the input current. To achieve this goal, new functional inter-element communications are used in the device, and the first transistor is filled with an emitter area larger than that of the second transistor. The drawing shows transistors 1 and 2 of p-and-p-type, transistors 3 and 4 of hph-type, current generator 5, power supply bus 6, device input 7, device outputs 8.1-8.A /, injection element 9. The device can reduce the level of currents of current generators of controlled injection elements and, without sacrificing speed, can be reduced by the consumption of MOFHHTTb. 1 cs.f.le, 1 ill. i (Luo 42 00 Oh cl 4j

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике, а именно к устройствам согласовани  с инжекционными логическими элементами.The invention relates to a pulse technique, namely to devices for matching with injection logic elements.

Целью изобретени   вл етс  увед чение быстродействи , КПД,нагрузочной способности и уменьшение входнго тока.The aim of the invention is to improve the speed, efficiency, load capacity and decrease the input current.

На чертеже представлена принципиальна  схема буферного устройства с подключенным к одному из его выходов инжекционн1)1м элементом.The drawing shows a schematic diagram of a buffer device with an injection unit 1 m connected to one of its outputs.

Буферное устройство содержит первый и второй транзисторы и 2, р-п-р-типа, , третий и четвертый транзисторы 3 и 4 п-р-п-типа, генератор 5 тока, вктаоченный между шиной 6 питани  и эмиттерами транзисторов 1 и 2, база транзистора 2 и эмиттер транзистора 4 подключены к общей шине, коллектор транзистора 2 сое/динен с базами транзисторов 4 .и 3. Коллектор транзистора 3 подключен к базе транзистора 1, эмиттер транзистора 3 подключен к входу 7 устройства, а каждый коллектор транзистора I соединен с соответствующим коллектором транзистора 4 и соо ветствуюод м выходом 8 ,1-8 . л/ устройства , выход 8,1 подключен к входу инжекционного элемента 9.The buffer device contains the first and second transistors and 2, pnp-type, third and fourth transistors 3 and 4 pnp-type, current generator 5 embedded in between the power line 6 and the emitters of transistors 1 and 2, the base of transistor 2 and the emitter of transistor 4 are connected to a common bus, the collector of transistor 2 is connected to transistor 4, and 3. The collector of transistor 3 is connected to the base of transistor 1, the emitter of transistor 3 is connected to device 7, and each collector of transistor I is connected with the corresponding collector of transistor 4 and the corresponding m output 8, 1-8. l / device output 8.1 is connected to the input of the injection element 9.

Буферное устройство работает следу,о1а;и 5 образом.The buffer device works in the following way, o1a; and 5.

При положительном уровне сигнала , поступающего на вход 7 устрой- ства, транзисторы 1 и 3 закрыты, а транзисторы 2 и 4 откр(-1ты и на выходах 8 устройства, подключенных к инжекционным элементам 9, формируетс  напр ;«сение лог.О. При уменыие- НИИ уровн  сигнала на входе 7 уст- ,ройства до потенциала общей шины начинает открьгоатьс  транзистор 3. При дальнейшем понижении уровн  вхоного сигнала транзистор 3 открьгоает а транзистор 4 закрываетс . При этом за счет токов генераторов тока инжекционных элементов 9 на выходах 8 .1-8 . f устройства формируетс  напр жение лог,1. В это врем  откры- ваетс  транзистор 1 и происходит перераспределение тока генератора 5 тока между транзисторами 1 и 2, Ток кол. екторов транзистора начинают дополнительно постутгать на выходы 8,I-8.N устройства. Уровень тока, выдаваемого устройством в нагрузку, определ етс  следуюЕ1ИМ выражением:At a positive level of the signal input to the device 7, the transistors 1 and 3 are closed, and the transistors 2 and 4 are open (-1ty and at the outputs 8 of the device connected to the injection elements 9, a voltage is generated; The signal level at the input 7 of the device reaches the common bus potential of transistor 3. When the level of the signal is lowered further, transistor 3 opens and transistor 4 closes. At the same time, the currents of current generators of injection elements 9 at outputs 8 .1 -8. F devices are configured on log, 1. At this time, the transistor 1 is opened and the current generator 5 current is redistributed between transistors 1 and 2, and the current of the transistor's current components begins to additionally go out at the device outputs 8, I-8.N. device into the load, is determined by the following EIM:

и- .and-

()(1 ЬМ() (1 lm

()()

где Where

iff- ток генератора 5 тока; коэффициент усилени iff - current generator 5 current; gain factor

п-р-и-транзистора; р- коэффициент усилени  р-и-р-транзистора.p-and-transistor; p is the gain of the pn transistor.

Врем  переключени  определ етс  временем включени  транзистора 4. Транзистор 3 может насыщатьс  при отрицательном уровне входного сигнала , близком к потенциалу общей шины, Это приводит к тому, что при дальнейшем повьпиении входного сигнала по вл етс  дополнительный ток в базу транзистора 4, обусловленный -рассасыванием избыточного зар да в базе транзистора 3, что приводит к уменьшению времени включени  транзистора 4, т.е. врем  переключени  устррй - ства из состо ни  лог.1 в состо ние лог.О равно времени включени  транзистора 4.The switching time is determined by the turn-on time of transistor 4. Transistor 3 can saturate at a negative input signal level close to the potential of the common bus. This causes the additional current of the input signal to cause an additional current to the base of transistor 4, due to the dissipation of the excess charge in the base of the transistor 3, which leads to a decrease in the turn-on time of the transistor 4, i.e. the switching time of the device from the state of log.1 to the log.O state is equal to the turn-on time of transistor 4.

В состо нии лог. в нагрузку поступает ток, определ емый выражением (1). Из этого выражени  определ етс  коэффициент полезного действи  устройства в состо нии лог.1In the state of the log. the current supplied by the expression (1) enters the load. From this expression determines the efficiency of the device in the state log.1

(()(()

(2)(2)

Коэс х рициент полезного действи  устройства можно дополнительно повысить , если площадь эмиттера транзистора 1 сделать больше площади эмиттера транзистора 2.The efficiency coefficient of the device can be further increased if the emitter area of transistor 1 is made larger than the emitter area of transistor 2.

В предлагаемом устройстве часть тока генератора тока посто нного уровн  вытекает в нагрузку, что приводит к уменьшению вытекающего входного тока низкого уровн .In the proposed device, a part of the current of the constant current generator flows into the load, which leads to a decrease in the flowing input current of a low level.

Предлагаемое устройство обладает большой нагрузочной способностью, так как  вл етс  многовыходным.The proposed device has a high load capacity, since it is multi-output.

Буферное устройство в состо нии лог.1 вьщает ток в нагрузку, что позвол ет в р де случаев снизить уровень токов генераторов тока управл емых инжекционных элементов, а то и сделать его равным нулю и без ущерба быстродействию уменьшить потребл емую схемой мощность.The buffer device in the state of log.1 imposes a current into the load, which allows in a number of cases to reduce the level of currents of current generators of controlled injection elements, and even to make it equal to zero and without sacrificing speed, to reduce the power consumed by the circuit.

Claims (2)

1. Буферное устройство, содержащее первый и второй транзисторы1. The buffer device containing the first and second transistors 312480574312480574 р-и-р-типа, эмиттеры которых соеди-база которого соединена с коллектонены с источником тока, третий иром третьего транзистора, базар-и-р-type, the emitters of which are connected — the base of which is connected to the collector with the current source, the third element of the third transistor, the base четвертый транзисторы и-р-и-типа,третьего транзистора соединена сthe fourth transistors and-p-and-type, the third transistor is connected to база второго и эмиттер четвертогоколлектором второго транзистора, аthe base of the second and the fourth emitter is the collector of the second transistor, and транзисторов подключены к общей 5дополнительные коллекторы первогоtransistors are connected to the common 5 additional collectors of the first шине, коллектор- второго транзисторатранзистора соединены с соответстподключен к базе четвертого тран-вующ Ф1и дополнительными коллекторамиbus, the collector of the second transistor transistor connected to the corresponding connection to the base of the fourth trans-F1 F and additional collectors зистора, коллектор которого соеди-четвертого транзистора и соответстнен с выходом, эмиттер третьеговующими дополнительными выходами.a resistor whose collector is a fourth transistor and is associated with an output, an emitter with third-party additional outputs. транзистора подключен к входу устрой-10устройства, ства, отличающеес  тем,the transistor is connected to the input of the device-10 device, which is characterized by что, с целью увеличени  быстродей- that in order to increase the speed 2. Устройство по п.1, о т л и стви , КПД и нагрузочной способностичающеес  тем, что первый2. The device according to claim 1, about t l and STI, efficiency and load capacity is the fact that the first и уменьшени  входного тока, коллектортранзистор выполнен с площадью змитчетвертого транзистора соединен с 15тера большей, чем у второго транколлектором первого транзистора,зистора.and reducing the input current, the collector transistor is made with the area of the fourth-fourth transistor connected to 15ter larger than that of the second transcollector of the first transistor, the resistor.
SU853857913A 1985-02-25 1985-02-25 Buffer device SU1248057A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853857913A SU1248057A1 (en) 1985-02-25 1985-02-25 Buffer device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853857913A SU1248057A1 (en) 1985-02-25 1985-02-25 Buffer device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1248057A1 true SU1248057A1 (en) 1986-07-30

Family

ID=21163669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853857913A SU1248057A1 (en) 1985-02-25 1985-02-25 Buffer device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1248057A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Алексеенко А.Г.,Шагурин И.Н. Микросхемотехника. М.: Радио и св зь, 1982, с.94, фиг. 2.33. Патент US № 4390802, кл. Н 03 К 19/091 , 1983. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4419586A (en) Solid-state relay and regulator
US4885486A (en) Darlington amplifier with high speed turnoff
KR930015345A (en) Integrated Circuit with Complementary Input Buffer
JPH05122035A (en) Semiconductor device with built-in driving power source
SU1248057A1 (en) Buffer device
CN115833805B (en) High-voltage common-source common-gate structure with gate voltage automatically regulated in closed loop
JPS5545276A (en) Gate circuit of gate turn-off thyristor
US4698519A (en) Monolithically integratable high-efficiency control circuit for switching transistors
KR960025708A (en) Output voltage control circuit of charge pump circuit
RU1815626C (en) Pulsed voltage regulator
SU1034153A1 (en) Multivibrator
SU1378018A1 (en) Cmos-multivibrator
SU1034182A1 (en) Pulse current source
SU843200A2 (en) Pulse shaper
KR920003640A (en) Low Noise CMOS Driver
SU1262719A1 (en) Matching device
SU1073855A1 (en) High-voltage thyristor unit
SU729847A1 (en) Logic element
SU1631533A1 (en) Dc voltage regulator
JPS56117388A (en) Address buffer circuit
SU1714794A1 (en) Former of logic levels with third state
SU1081778A1 (en) Polyphase multivibrator
SU1251307A1 (en) Amplifier-limiter of current pulses
SU1629985A1 (en) Emitter-coupled gate
SU1034181A1 (en) Pulse current source