SU124553A1 - Ionizing radiation sensor - Google Patents

Ionizing radiation sensor

Info

Publication number
SU124553A1
SU124553A1 SU599057A SU599057A SU124553A1 SU 124553 A1 SU124553 A1 SU 124553A1 SU 599057 A SU599057 A SU 599057A SU 599057 A SU599057 A SU 599057A SU 124553 A1 SU124553 A1 SU 124553A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
anode
semiconductor
ionizing radiation
sensor
radiation sensor
Prior art date
Application number
SU599057A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
И.Я. Брейдо
Original Assignee
И.Я. Брейдо
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by И.Я. Брейдо filed Critical И.Я. Брейдо
Priority to SU599057A priority Critical patent/SU124553A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU124553A1 publication Critical patent/SU124553A1/en

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

Известны датчики ионизирующих излучений, содержащие анод и катод, заключенные в вакуумированную или газонанолненную колбу и подключенные к источнику посто нного напр жени .Ionizing radiation sensors are known that contain an anode and a cathode that are enclosed in an evacuated or gas-filled flask and connected to a constant voltage source.

Отличие предлагаемого датчика от известных состоит в том, что анод выполнен из полупроводника и подключен к дополнительному источнику посто нного напр жени . Такое выполнение датчика позвол ет увеличить среднее значение отдаваемого им тока.The difference between the proposed sensor and the known ones is that the anode is made of a semiconductor and connected to an additional source of constant voltage. Such an embodiment of the sensor makes it possible to increase the average value of the current delivered to it.

На фиг. 1 и 2 изображена схема предлагаемого датчика в двух вариантах .FIG. 1 and 2 shows the scheme of the proposed sensor in two versions.

Датчик выполнен в виде вакуумированной или наполненной газом колбы / (фиг. 1) с анодом 2 и катодом 5. Между анодом и катодом включен источник питани  4. Анод выполнен из полупроводника и подключен к дополнительному источнику 5 посто нного напр жени , в цепь которого включен измерительный прибор 6. Предложенный датчик работает по такому же принципу, как и известные датчики импульсного газового разр да зар женных частиц. Однако возникающие в нем в процессе разр да электроны способны из-за больщой скорости, приобретенной в электрическом поле, не только сообщить свой зар д аноду, но и изменить его проводимость, а следовательно, и ток, проход щий через прибор. При этом, поскольку кинетическа  энерги  электрона при его соударении с веществом анода затрачиваетс  на освобождение нескольких вторичных электронов (точнее на их переход в зону проводимости), в предлагаемой системе имеет место усиление импульсного и среднего тока.The sensor is made as an evacuated or gas-filled flask / (Fig. 1) with anode 2 and cathode 5. Power supply 4 is connected between the anode and cathode. The anode is made of semiconductor and connected to an additional constant-voltage source 5, the circuit of which is included measuring device 6. The proposed sensor operates on the same principle as the well-known sensors of pulsed gas discharge of charged particles. However, due to the high velocity acquired in an electric field, electrons arising in it during the discharge process can not only communicate their charge to the anode, but also change its conductivity, and hence the current passing through the device. In this case, since the kinetic energy of an electron during its collision with the anode substance is expended on the release of several secondary electrons (more precisely, on their transition to the conduction band), in the proposed system there is an increase in the pulse and average current.

Аноды счетчиков предлагаемой системы могут изготовл тьс  выт гиванием нити из соответствующего полупроводникового материала путем нанесени  на нить изол ционного материала (стекла, кварца)The anodes of the meters of the proposed system can be made by pulling a filament from an appropriate semiconductor material by applying an insulating material (glass, quartz) to the filament.

№ 124553№ 124553

сло  полупроводника. Последний способ более пригоден дл  мелкокристаллических веществ, например сульфидов.semiconductor layer. The latter method is more suitable for crystalline substances, such as sulfides.

Аноды могут быть изготовлены в виде цилиндрика (нити) из параллельных или коаксиальных слоев-полупроводников с проводимостью различного тока или же в виде шарика с соответствующим контактомпереходом . Дл  совместного использовани  тока газового разр да колбы / и усиленного тока фотопроводимости анода 2 пол рность батарей 5 выбираетс  так, что оба тока протекают через прибор в одном и том же направлении (фиг. 2).The anodes can be made in the form of a cylinder (filament) of parallel or coaxial semiconductor layers with conductivity of different currents, or in the form of a ball with a corresponding contact transition. To share the gas discharge current of the bulb / and the amplified photoconductivity current of the anode 2, the polarity of the batteries 5 is chosen so that both currents flow through the device in the same direction (Fig. 2).

Предмет изобретени Subject invention

Claims (3)

1.Датчик ионизирующих излучений, содержащий анод и катод, заключенные в вакуумированную или газонаполненную колбу и подключенные к источнику посто нного напр жени , отличающийс  тем, что, с целью увеличени  среднего значени  отдаваемого им тока, анод выполнен из полупроводника и подключен к дополнительному источнику посто нного напр жени .1. An ionizing radiation sensor containing an anode and a cathode enclosed in an evacuated or gas-filled flask and connected to a constant voltage source, characterized in that, in order to increase the average value of the output current, the anode is made of a semiconductor and connected to an additional constant source this voltage. 2.Датчик по п. 1, отличающийс  тем, что полупроводник нанесен на изол ционную основу, выполненную в виде щарика или нити.2. A sensor according to claim 1, characterized in that the semiconductor is deposited on an insulating base, made in the form of a ball or filament. 3.Датчик по пп. 1 и 2, отличающийс  тем, что анод содержит два параллельных или концентрических слоев полупроводника с проводимостью различного типа.3. The sensor PP. 1 and 2, characterized in that the anode contains two parallel or concentric semiconductor layers with different types of conductivity.
SU599057A 1958-05-08 1958-05-08 Ionizing radiation sensor SU124553A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU599057A SU124553A1 (en) 1958-05-08 1958-05-08 Ionizing radiation sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU599057A SU124553A1 (en) 1958-05-08 1958-05-08 Ionizing radiation sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU124553A1 true SU124553A1 (en) 1958-11-30

Family

ID=48396008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU599057A SU124553A1 (en) 1958-05-08 1958-05-08 Ionizing radiation sensor

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU124553A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES8106631A1 (en) Semiconductor device for generating an electron beam and method of manufacturing same
US2695363A (en) Method and apparatus for measuring ionizing radiations
US2499830A (en) Air proportional counter
US3019358A (en) Radioative battery with chemically dissimilar electrodes
JPS5367972A (en) Electrode for elctric discharge lamp
US3048797A (en) Semiconductor modulator
US1145735A (en) Electric-wave detector.
US3105166A (en) Electron tube with a cold emissive cathode
SU124553A1 (en) Ionizing radiation sensor
US3001128A (en) Measuring
US2479271A (en) Ionization chamber circuit
US2436084A (en) Ionization chamber
US2234801A (en) Photoelectric tube
US2633542A (en) High efficiency nuclear electrostatic generator
US2600151A (en) Ion producing mechanism
RU183140U1 (en) Pulse pyroelectric accelerator
US1961708A (en) System for influencing an electric current by irradiation
McKay Total secondary electron emission from thin films of sodium on tungsten
GB820736A (en) Method of and apparatus for electron multiplication
US2193953A (en) Photoelectric cell
GB948145A (en) Improvements in or relating to apparatus comprising an x-ray tube with a rotating anode disc
US2470920A (en) Electron counter
GB1034435A (en) Double beam discharge lamp
GB853352A (en) Improvements relating to electron emitters
US1677316A (en) Photoelectric cell