SU1241408A1 - Frequency multiplier - Google Patents
Frequency multiplier Download PDFInfo
- Publication number
- SU1241408A1 SU1241408A1 SU843746227A SU3746227A SU1241408A1 SU 1241408 A1 SU1241408 A1 SU 1241408A1 SU 843746227 A SU843746227 A SU 843746227A SU 3746227 A SU3746227 A SU 3746227A SU 1241408 A1 SU1241408 A1 SU 1241408A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- waveguide
- segment
- metal
- semiconductor diodes
- wall
- Prior art date
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области радиотехники. Увеличиваетс выходна мощность и снижаетс уровень паразитных гармоник. Входные колебани (КЬх) с частотой.тбк возбуждаютс с одинаковым уровнем мощности-в 1-м и 2-м отсеках 1-го отрезка волновода 1. Ко-- лебани в 1-м отсеке на полупроводниковых диодах (ПД) 6, 7 приобретают фазовый сдвиг % по отношению к К а колебани на ПД 8, 9 - фазовый сдвиг 4 0-1Г/2. Под действием КЬх в ДЦ 6-9 возбуждаютс колебани с частотами , кратными . Т.к. ГЩ 6, 7, 8, 9 включены встречно-последовательно, то по 1-му и 2-му метал, проводникам 4, 10 протекают только четных гармоник jfex- В плоскости включени проводников 4 и 10 в поперечном сечении отрезка 1 синфазно складываютс колебани с частотами 4 -fbx 8 j-g, и т.д. и противофазно-колеба- ни с частотами 2 fbx , 6 |Ьх и т.д. Т. обр., в умножителе в спектре выходных колебаний (К Вых ) присутст-. вуют только гармоники, кратные 4 т.е. соответствуют паразитные гар- мон. составл ющие, расположенные вблизи частоты К Ых , ил. с (ЛThis invention relates to the field of radio engineering. The output power increases and the level of spurious harmonics decreases. The input oscillations (Qx) with a frequency. The waves are excited with the same power level — in the 1st and 2nd compartments of the 1st segment of the waveguide 1. The oscillators in the 1st compartment on semiconductor diodes (PD) 6, 7 acquire phase shift% with respect to K and fluctuations on PD 8, 9 - phase shift 4 0-1G / 2. Under the action of Qx in DC 6–9, oscillations with multiples of frequencies are excited. Because GSH 6, 7, 8, 9 are connected in opposite directions, then on the 1st and 2nd metal, to conductors 4, 10 only even harmonics jfex- flow. In the plane of inclusion of conductors 4 and 10, in cross section of segment 1, frequencies 4 -fbx 8 jg, etc. and antiphase oscillations with frequencies of 2 fbx, 6 | bx, etc. T. arr., In the multiplier in the spectrum of output oscillations (K OUT) is present. only harmonics that are multiples of 4, ie match the parasitic harmon. components located near the frequency K Ых, Il. with (L
Description
d.г cto -w/Aod.cto -w / Ao
1one
Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано в приемно-передающей радиоаппаратуре различного назначени .The invention relates to radio engineering and can be used in receiving and transmitting radio equipment for various purposes.
Целью изобретени вл етс увели- чение выходной мощности и снижение уровн паразитных гармоник умножител частоты. . .The aim of the invention is to increase the output power and reduce the level of spurious harmonics of the frequency multiplier. . .
На чертеже представлена конструкци умножител частоты.The drawing shows the frequency multiplier design.
Умножитель частоты содержит первы отрезок волновода 1, к первой узкой стенке- которого через первьм элемент св зи 2 присоединен первой широкой .стенкой второй отрезок волновода 3, к второй ишрокой стенке которого присоединен первым концом первый металлический проводник 4, св зыва- юощй через первый элемент св зи 2 первьй и второй отрезки волноводов и 3, металлическую перегородку 5, установленную на продольной оси первого отрезка волновода 1, параллельно его широким стенкам. Первый, второй , третий и четвертый полупроводни ковые диоды 6-9 первыми своими одноименными выводами подключены -соответственно , к широким стенкам первого отрезка волновода 1 и к металлической перегородке 5, а вторыми одноименными выводами - к вторым концам первого и второго металлических проводников 4 и 10. Оси первого, второго , третьего и четвертого полупроводниковых диодов 6-9 расположены на одной пр мой, перпендикул рной широким стенкам первого отрезка волновода 1 , первый конец второго металлического проводника 10 через второй элемент св зи 11 соединен с второй оирркой стенкой второго отрезка волновода 3, а металлическа пластина 12 прикреплена к второй узкой стен ке первого отрезка волновода 1 напротив первого и второго полупроводниковых диодов 6 и 7, а размеры металлической перегородки 5 и металлической пластины 12 определ ютс из соотношенийThe frequency multiplier contains the first segment of the waveguide 1, to the first narrow wall of which, through the first element of communication 2, the first wide wall of the second segment of the waveguide 3 is connected with the first end, the first metal conductor 4 is connected to the second end of the waveguide, connecting via the first element connection 2 of the first and second waveguides and 3, a metal partition 5, mounted on the longitudinal axis of the first segment of the waveguide 1, parallel to its wide walls. The first, second, third and fourth semiconductor diodes 6–9 are connected by their first terminals of the same name, respectively, to the wide walls of the first segment of waveguide 1 and to the metal partition 5, and to the second ends of the first and second metallic conductors 4 and 10 The axes of the first, second, third, and fourth semiconductor diodes 6–9 are located on one straight line, perpendicular to the wide walls of the first segment of waveguide 1, the first end of the second metal conductor 10 through the second element The nt connection 11 is connected to the second wall of the second segment of the waveguide 3, and the metal plate 12 is attached to the second narrow wall of the first segment of the waveguide 1 opposite the first and second semiconductor diodes 6 and 7, and the dimensions of the metal partition 5 and the metal plate 12 are determined from ratios
ОоСо-о ) .OooSo-o).
) J) J
6л -vb.6l -vb.
b.(b,-t)/ 7%оЛо b. (b, -t) / 7% OL
/ I , 1 / -- - - 2. N 2/ I, 1 / - - - 2. N 2
%0-w) -Ло% 0-w) -Lo
SS
00
4four
00
3 3
Vj ЬгVj bh
00
5five
00
5five
00
5five
40824082
где 0-0 и Ьо ширина и высота первого отрезка волновода 1; АО - длина волны в свободном пространстве; fe и f)i - высота отсеков первого отрезка волновода 1; толщина и высота металлической пластины 12; t- - толщина металлическойwhere 0-0 and b0 are the width and height of the first segment of waveguide 1; AO is the wavelength in free space; fe and f) i - the height of the compartments of the first segment of the waveguide 1; thickness and height of the metal plate 12; t- - metal thickness
перегородки 5;partitions 5;
{у - рассто ние от открытого конца металлической перегородки 5 до полупроводниковых диодов 6-9;{y is the distance from the open end of the metal septum 5 to the semiconductor diodes 6-9;
d - рассто ние от полупро- - водниковых диодов 6-9, до первой узкой стенки первого отрезка волно вода 1.d is the distance from semiconductor diodes 6–9, to the first narrow wall of the first segment wave-water 1.
Выходные колебани с частотой тьх в.озбу:ждаютс с одинаковым уровнем мощности в первом и втором отсеках первого отрезка волновода 1. При этом колебани в первом отсеке на полупров.эдниковых диодах 6 и 7 приобретают некоторый фазовый сдвиг YC по отношению к входному колебанию , а колебани на полупроводниковых диодах 8,9 - фазовый сдвиг Я,The output oscillations with a frequency of th Vc. Obs: are waited with the same power level in the first and second compartments of the first segment of waveguide 1. At the same time, oscillations in the first compartment on the semi-redox diodes 6 and 7 acquire some phase shift YC relative to the input oscillation oscillations on semiconductor diodes 8.9 - phase shift I,
li:/2.li: / 2.
Под дей.- твием входных колебаний в полупроводниковых диодах 6-9 возбу)г даютс колебани с частотами, кратньми входной частоте. Так как полупроводниковые диоды 6-9 включены встречно-последовательно, то по первому и второму металлическим проводникам 4 и 10 протекают токи толь ко четных гармоник входной частоты. В плоскости включени первого .и второго металлических проводников 4 и- ТО в поперечном сечении первого отрезка волновода 1 синфазно складыва- . ютс -колебани с частотами 4 -fix 8 ff,f и т.д. и противофазно - колебани с частотами 2-f, , 6 fax и т.д.Under the action of input oscillations in semiconductor diodes 6-9, excitation is given oscillations with frequencies that are multiples of the input frequency. Since semiconductor diodes 6–9 are connected in a counter-series manner, only the even harmonics of the input frequency flow through the first and second metal conductors 4 and 10. In the plane of inclusion of the first and second metallic conductors 4 and -To in the cross section of the first segment of the waveguide 1 is phase-wise. - oscillations with frequencies 4 -fix 8 ff, f, etc. and antiphase - oscillations with frequencies of 2-f, 6 fax, etc.
Таким образом, в умножителе частоты в спектре выходных колебаний присутствуют только гармоники, кратные 4 j-, , т. е. практически отсутствуют паразитные гармонические сос- тавл юп1 1е,, расположенные вблизи частоты выходных колебаний.Thus, the frequency multiplier in the output oscillation spectrum contains only harmonics that are multiples of 4 j-, i.e., there are practically no parasitic harmonic components Jup1 1e ,, located near the frequency of the output oscillations.
изобретени the invention
Умножитель частоты, содержащий ;Первый отрезок волновода, к первой узкойThe frequency multiplier, containing; the first segment of the waveguide, to the first narrow
33
.стенке которого через первый элемент св зи- присоединен первой широкой сте . кой второй отрезок волновода, к второй широкой стенке которого присоеди ней первым концом первый металличес- кий проводник, св зывающий через первьй элемент св зи первый и второй отрезки волновода, и первый и второй полупроводниковые диоды, о т л и ч а щ и и с тем, что, с целью увели- чени выходной мощности и снижени уровн паразитных гармоник, в него дополнительно введены третий и четвертый полупроводниковые диоды, второй элемент св зи, второй металличес кий проводник, металлическа перегородка и металлическа пластина, при этом металлическа перегородка .установлена на продольной оси первого ,отрезка волновода, параллельно его широким стенкам, первый и второй , третий и четвертый полупроводниковые диоды первыми своими одноименными выводами подключены соответственно к широким стенкам первого отрезка волновода и к металлической перегородке, а вторыми одноименными выводам,и - к вторым концам первого и второго металлических проводников, оси первого. Второго, третьего и чет вертого полупроводниковых диодов рас положены на одной пр мой, перпендикул рной широким стенкам первого от- резка волновода, первый конец второго металлического проводника через второй элемент св зи соединен с второй широкой стенкой второго отрезкаThe wall of which through the first element is connected to the first wide ste. The second segment of the waveguide, to the second wide wall of which is connected by the first end of the first metallic conductor, connecting the first and second segments of the waveguide and the first and second semiconductor diodes, the first and the second semiconductor diodes In order to increase the output power and reduce the level of parasitic harmonics, the third and fourth semiconductor diodes, the second communication element, the second metal conductor, the metal partition, and the metal plate are additionally introduced into it. The partition wall is installed on the longitudinal axis of the first waveguide section, parallel to its wide walls, the first and second, third and fourth semiconductor diodes are connected to the wide walls of the first segment of the waveguide and to the metal partition, and the second to the same name, and - to the second ends of the first and second metallic conductors, the axis of the first. The second, third, and fourth semiconductor diodes are located on one straight, perpendicular to the wide walls of the first section of the waveguide; the first end of the second metal conductor is connected to the second wide wall of the second segment through the second coupling element
,.,
Редактор А.Долинич Заказ 3610/52Editor A.Dolinich Order 3610/52
Составитель В.РощинCompiled by V. Roshchin
Техред л.Олейник Корректор В. Вут гаTechred L. Oleynik Proof-reader V. Vut ha
Тираж 816 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРCirculation 816 Subscription VNIIPI USSR State Committee
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна ,4Production and printing company, Uzhgorod, Projecto st., 4
40844084
волновода, металлическа пластина прикреплена к в торой узкой стенке первого отрезка волновода напротив первого и второго полупроводниковых диодов, а размеры металлической перегородки и металлической пластины определ ютс из соотношени the waveguide, the metal plate is attached to the second narrow wall of the first waveguide section opposite the first and second semiconductor diodes, and the dimensions of the metal partition and the metal plate are determined from the ratio
dd
cu)(ao-M г (to -w/Aocu) (ao-M g (to -w / Ao
) )
«аоУ ioe-w/J "Aoe ioe-w / J
.lib; .lib;
b.4bo-t)/ y/w-v V/ () b.4bo-t) / y / w-v V / ()
где uo и DO - ширина и высота первого отрезка волновода; До - длина волны в свобод- iwhere uo and DO are the width and height of the first segment of the waveguide; Do - wavelength in i
ном пространстве; о/ - высота отсеков первогоMr. space; o / - the height of the compartments of the first
- ; j ю fj з 5 -; j you fj s 5
00
W, (2 - отрезка волновода; толщина и высота металлической пластины толщина металлической перегородки;W, (2 - waveguide length; thickness and height of the metal plate; thickness of the metal partition;
U - рассто ние от открытого конца металлической перегородки до полупроводниковых диодов;U is the distance from the open end of the metal septum to semiconductor diodes;
и. - рассто ние от полупро- водниковьпс диодов до первой узкой стенки первого отрезка волновода .and. - distance from semiconductor diodes to the first narrow wall of the first waveguide section.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843746227A SU1241408A1 (en) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | Frequency multiplier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843746227A SU1241408A1 (en) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | Frequency multiplier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1241408A1 true SU1241408A1 (en) | 1986-06-30 |
Family
ID=21121135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843746227A SU1241408A1 (en) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | Frequency multiplier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1241408A1 (en) |
-
1984
- 1984-05-28 SU SU843746227A patent/SU1241408A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 455447, кл. Н 03 В 7/00,1974. Патент Великобрит ании № 1027429, кл. Н 03 В 19/04, опублик. 27.04.68. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3529205A (en) | Spatially periodic coupling for modes having differing propagation constants and traveling wave tube utilizing same | |
RU2511488C2 (en) | Compact excitation assy for creating circular polarisation in antenna and method of its making | |
SU1241408A1 (en) | Frequency multiplier | |
GB1600688A (en) | Frequency selective microwave couplers | |
US4229828A (en) | Bi-mode millimeter wave mixer | |
US20220045412A1 (en) | Polarized waveguide filter and antenna feeding circuit | |
US4439746A (en) | Extended interaction microwave oscillator including a sucession of vanes with orifices | |
SU1307532A1 (en) | Frequency multiplier | |
SU1104640A1 (en) | Frequency multiplier with odd factor | |
SU1252946A1 (en) | Microwave converter | |
SU1354289A1 (en) | Resonance element | |
SU1378007A1 (en) | Vhf-generator | |
SU1555801A1 (en) | Balanced frequency multiplier | |
SU1238195A1 (en) | Frequency doubler | |
SU1220036A1 (en) | Frequency-selective hybrid tee | |
SU1406715A1 (en) | Frequency converter | |
SU1571711A1 (en) | Microwave pulse shaper | |
Van Iperen | Design and construction of an inexpensive 20 GHz stabilized IMPATT oscillator in microstrip technique | |
SU1425803A1 (en) | Generator | |
SU1681351A1 (en) | Controlled power distributor | |
Mizushina et al. | The Ridged-Waveguide-Cavity Gunn Oscillator for Wide-Band Tuning (Short Papers) | |
JPH0575201B2 (en) | ||
SU1256130A1 (en) | Frequency quadrupler | |
SU1166201A1 (en) | Waveguide-dielectric filter | |
SU1376227A1 (en) | Frequency converter |