SU123351A1 - Способ изготовлени матриц из пленочных диодов - Google Patents
Способ изготовлени матриц из пленочных диодовInfo
- Publication number
- SU123351A1 SU123351A1 SU601893A SU601893A SU123351A1 SU 123351 A1 SU123351 A1 SU 123351A1 SU 601893 A SU601893 A SU 601893A SU 601893 A SU601893 A SU 601893A SU 123351 A1 SU123351 A1 SU 123351A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- matrix
- selenium
- manufacturing
- electrode
- film diodes
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Известные способы изготовлени матриц из пленочных диодов, предназначенных дл вычислительных устройств, характеризуютс сложной технологией производства и не дают возможности получать многослойные матрицы с большой плотностью точек.
Дл устранени указанных недостатков предлагаетс наносить пленки диодов одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом , например на анодированный алюминий, и получать их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме.
Па фиг. 1 изображена принципиальна схема матрицы, получаемой но предлагаемому способу; на фиг. 2 и 3 - схема нанесени электродов па подложку.
Матрица представл ет собой пр моугольную сетку электродов, места пересечени которых представл ют собой диоды. Выпр мл ющую чейку - диод составл ют тонкие металлические слои а и 6; и тонкий слой полупроводника между ними. Металлы нодобраны так, что в контакте одного из них с полупроводником возникает запирающий слой, который и обуславливает вынр мл ющие свойства такой чейки. В обпдем случае диодна чейка может быть и более сложной, нанример, она может состо ть из двух металлических электродов и двух или даже из трех полупроводниковых слоев между ними.
Матрица изготовл етс путем нанесени друг на друга соответствующих веществ испарением в вакууме через трафареты на непровод щую подложку /. В качестве подложки дл матрицы служит анодированный алюминий . Выпр мл юща же чейка-диод составл етс из двух тонких металлических электродов , разделенных тонки.м слоем кристаллического селена. Материалом дл контактного электрода может служить золото или платина , а дл выпр мл ющего электрода - алюминий или магний. Панесение электродов и
селена нроизводитс в вакууме пор дка мм рт. ст. через соответствующие трафареты. В случае нанесени первыми электродных полосок 2 из золота или платины (фиг. 2) полоски 5 селена нанос тс вдоль полосок 2. Когда первыми нанос тс электродные полоски 4 из алюмипп , селен иапоситс поперечными полосками 3 (фиг. 3).
Во врем напылени селена температура подложки поддерживаетс в пределах 60-
. После напылени селена подложка помещаетс в печь, в которой,она прогреваетс при 200-210°С около 30 мин. Желательно нагревать и охлаждать подложку постепенно. После этих операций поверхность селена
поверхность. Второй электрод наноситс полосками на селен поперек полосок нижнего электрода., сли.вторым электродом вл етс алюминий или магний, то этим процесс изготовлени матрнцй кончаетс . Когда вторым электродом вл етс золото или .платина, те после нанесени этого электрода матрица прогреваетс в печи 15 мин при 200-210°С. i Толщина электродов может не превышать нескольких дес тых микрона. Толщина сло селена выбираетс в зависимости от режима работы. В общем случае она не превышает 15-20 мм. Дл креплени проводов на концы электродов испарением в вакууме или шопированием наноситс слой олова, свинца или висмута. В случае шопировани можно примен ть сплав Вуда или Розе. Наносимый слой не должен касатьс отверстий. Через отверстие пропускаетс многожильна изолированна проволока диаметром в 0,12-0,15 мм с залуженным концом, который и припаиваетс сплавом Вуда или Розе к утолщенным местам электродов.
Предмет изобретени
Способ изготовлени матриц из пленочных диодов, предназначенных дл вычислительных
устройств, отличающийс тем, что, с целью упрощени процесса изготовлени и получени сложных многослойных матриц с большой плотностью точек, пленки диодов нанос т одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом , например анодированный алюминий , и получают их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме.
,.,ЛД 1ЖЖ
-ЛЛЛ
V ./
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU601893A SU123351A1 (ru) | 1958-06-16 | 1958-06-16 | Способ изготовлени матриц из пленочных диодов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU601893A SU123351A1 (ru) | 1958-06-16 | 1958-06-16 | Способ изготовлени матриц из пленочных диодов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU123351A1 true SU123351A1 (ru) | 1958-11-30 |
Family
ID=48394918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU601893A SU123351A1 (ru) | 1958-06-16 | 1958-06-16 | Способ изготовлени матриц из пленочных диодов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU123351A1 (ru) |
-
1958
- 1958-06-16 SU SU601893A patent/SU123351A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3586541A (en) | Photosensitive devices comprising aluminum foil | |
US3483038A (en) | Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same | |
US3932226A (en) | Method of electrically interconnecting semiconductor elements | |
US2804581A (en) | Semiconductor device and method of manufacture thereof | |
KR840006732A (ko) | 광전지 및 그 제조방법 | |
US3671819A (en) | Metal-insulator structures and method for forming | |
US3409809A (en) | Semiconductor or write tri-layered metal contact | |
US3200468A (en) | Method and means for contacting and mounting semiconductor devices | |
US3369290A (en) | Method of making passivated semiconductor devices | |
US3290565A (en) | Glass enclosed, passivated semiconductor with contact means of alternate layers of chromium, silver and chromium | |
JPH02275624A (ja) | オーミック電極の製造方法 | |
US3577631A (en) | Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture | |
US3775838A (en) | Integrated circuit package and construction technique | |
US3381256A (en) | Resistor and contact means on a base | |
GB1200426A (en) | Method for providing a planar transistor with heat-dissipating top base and emitter contacts | |
SU123351A1 (ru) | Способ изготовлени матриц из пленочных диодов | |
US3616527A (en) | Method of accurately doping a semiconductor material layer | |
US3359466A (en) | Method of improving the electrical characteristics of thin film metalinsulator-metalstructures | |
US3794883A (en) | Process for fabricating ge:hg infrared detector arrays and resulting article of manufacture | |
US2254429A (en) | Method of producing selenium coated electrodes | |
US3787961A (en) | Chip-shaped, non-polarized solid state electrolytic capacitor and method of making same | |
US3956820A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a lead bonded to a surface thereof | |
US2537256A (en) | Light-sensitive electric device | |
US4164811A (en) | Process for making a semiconductor component with electrical contacts | |
US2226716A (en) | Photoelectric cell |