SU123351A1 - Способ изготовлени матриц из пленочных диодов - Google Patents

Способ изготовлени матриц из пленочных диодов

Info

Publication number
SU123351A1
SU123351A1 SU601893A SU601893A SU123351A1 SU 123351 A1 SU123351 A1 SU 123351A1 SU 601893 A SU601893 A SU 601893A SU 601893 A SU601893 A SU 601893A SU 123351 A1 SU123351 A1 SU 123351A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
matrix
selenium
manufacturing
electrode
film diodes
Prior art date
Application number
SU601893A
Other languages
English (en)
Inventor
Ю.К. Пожела
В.Б. Толутис
Original Assignee
Ю.К. Пожела
В.Б. Толутис
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ю.К. Пожела, В.Б. Толутис filed Critical Ю.К. Пожела
Priority to SU601893A priority Critical patent/SU123351A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU123351A1 publication Critical patent/SU123351A1/ru

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

Известные способы изготовлени  матриц из пленочных диодов, предназначенных дл  вычислительных устройств, характеризуютс  сложной технологией производства и не дают возможности получать многослойные матрицы с большой плотностью точек.
Дл  устранени  указанных недостатков предлагаетс  наносить пленки диодов одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом , например на анодированный алюминий, и получать их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме.
Па фиг. 1 изображена принципиальна  схема матрицы, получаемой но предлагаемому способу; на фиг. 2 и 3 - схема нанесени  электродов па подложку.
Матрица представл ет собой пр моугольную сетку электродов, места пересечени  которых представл ют собой диоды. Выпр мл ющую  чейку - диод составл ют тонкие металлические слои а и 6; и тонкий слой полупроводника между ними. Металлы нодобраны так, что в контакте одного из них с полупроводником возникает запирающий слой, который и обуславливает вынр мл ющие свойства такой  чейки. В обпдем случае диодна   чейка может быть и более сложной, нанример, она может состо ть из двух металлических электродов и двух или даже из трех полупроводниковых слоев между ними.
Матрица изготовл етс  путем нанесени  друг на друга соответствующих веществ испарением в вакууме через трафареты на непровод щую подложку /. В качестве подложки дл  матрицы служит анодированный алюминий . Выпр мл юща  же  чейка-диод составл етс  из двух тонких металлических электродов , разделенных тонки.м слоем кристаллического селена. Материалом дл  контактного электрода может служить золото или платина , а дл  выпр мл ющего электрода - алюминий или магний. Панесение электродов и
селена нроизводитс  в вакууме пор дка мм рт. ст. через соответствующие трафареты. В случае нанесени  первыми электродных полосок 2 из золота или платины (фиг. 2) полоски 5 селена нанос тс  вдоль полосок 2. Когда первыми нанос тс  электродные полоски 4 из алюмипп , селен иапоситс  поперечными полосками 3 (фиг. 3).
Во врем  напылени  селена температура подложки поддерживаетс  в пределах 60-
. После напылени  селена подложка помещаетс  в печь, в которой,она прогреваетс  при 200-210°С около 30 мин. Желательно нагревать и охлаждать подложку постепенно. После этих операций поверхность селена
поверхность. Второй электрод наноситс  полосками на селен поперек полосок нижнего электрода., сли.вторым электродом  вл етс  алюминий или магний, то этим процесс изготовлени  матрнцй кончаетс . Когда вторым электродом  вл етс  золото или .платина, те после нанесени  этого электрода матрица прогреваетс  в печи 15 мин при 200-210°С. i Толщина электродов может не превышать нескольких дес тых микрона. Толщина сло  селена выбираетс  в зависимости от режима работы. В общем случае она не превышает 15-20 мм. Дл  креплени  проводов на концы электродов испарением в вакууме или шопированием наноситс  слой олова, свинца или висмута. В случае шопировани  можно примен ть сплав Вуда или Розе. Наносимый слой не должен касатьс  отверстий. Через отверстие пропускаетс  многожильна  изолированна  проволока диаметром в 0,12-0,15 мм с залуженным концом, который и припаиваетс  сплавом Вуда или Розе к утолщенным местам электродов.
Предмет изобретени 
Способ изготовлени  матриц из пленочных диодов, предназначенных дл  вычислительных
устройств, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  процесса изготовлени  и получени  сложных многослойных матриц с большой плотностью точек, пленки диодов нанос т одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом , например анодированный алюминий , и получают их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме.
,.,ЛД 1ЖЖ
-ЛЛЛ
V ./
SU601893A 1958-06-16 1958-06-16 Способ изготовлени матриц из пленочных диодов SU123351A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU601893A SU123351A1 (ru) 1958-06-16 1958-06-16 Способ изготовлени матриц из пленочных диодов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU601893A SU123351A1 (ru) 1958-06-16 1958-06-16 Способ изготовлени матриц из пленочных диодов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU123351A1 true SU123351A1 (ru) 1958-11-30

Family

ID=48394918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU601893A SU123351A1 (ru) 1958-06-16 1958-06-16 Способ изготовлени матриц из пленочных диодов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU123351A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3586541A (en) Photosensitive devices comprising aluminum foil
US3483038A (en) Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same
US3932226A (en) Method of electrically interconnecting semiconductor elements
US2804581A (en) Semiconductor device and method of manufacture thereof
KR840006732A (ko) 광전지 및 그 제조방법
US3671819A (en) Metal-insulator structures and method for forming
US3409809A (en) Semiconductor or write tri-layered metal contact
US3200468A (en) Method and means for contacting and mounting semiconductor devices
US3369290A (en) Method of making passivated semiconductor devices
US3290565A (en) Glass enclosed, passivated semiconductor with contact means of alternate layers of chromium, silver and chromium
JPH02275624A (ja) オーミック電極の製造方法
US3577631A (en) Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture
US3775838A (en) Integrated circuit package and construction technique
US3381256A (en) Resistor and contact means on a base
GB1200426A (en) Method for providing a planar transistor with heat-dissipating top base and emitter contacts
SU123351A1 (ru) Способ изготовлени матриц из пленочных диодов
US3616527A (en) Method of accurately doping a semiconductor material layer
US3359466A (en) Method of improving the electrical characteristics of thin film metalinsulator-metalstructures
US3794883A (en) Process for fabricating ge:hg infrared detector arrays and resulting article of manufacture
US2254429A (en) Method of producing selenium coated electrodes
US3787961A (en) Chip-shaped, non-polarized solid state electrolytic capacitor and method of making same
US3956820A (en) Method of manufacturing a semiconductor device having a lead bonded to a surface thereof
US2537256A (en) Light-sensitive electric device
US4164811A (en) Process for making a semiconductor component with electrical contacts
US2226716A (en) Photoelectric cell