SU1224934A1 - Transistor inverter - Google Patents

Transistor inverter Download PDF

Info

Publication number
SU1224934A1
SU1224934A1 SU843751389A SU3751389A SU1224934A1 SU 1224934 A1 SU1224934 A1 SU 1224934A1 SU 843751389 A SU843751389 A SU 843751389A SU 3751389 A SU3751389 A SU 3751389A SU 1224934 A1 SU1224934 A1 SU 1224934A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
power
base
transistors
diodes
Prior art date
Application number
SU843751389A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Иванович Иванов-Цыганов
Борис Ильич Рудяков
Лев Борисович Кузьминов
Владимир Иванович Хандогин
Original Assignee
Организация П/Я В-8942
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я В-8942 filed Critical Организация П/Я В-8942
Priority to SU843751389A priority Critical patent/SU1224934A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1224934A1 publication Critical patent/SU1224934A1/en

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Транзисторный инвертор относитс  к источникам вторичного электропитани . Цель изобретени  - повьшение КПД и надежности путем уменьшени  динамических потерь в силовых транзисторах . Устройство содержит усилитель мощности на транзисторах (т) 9, 10 и трансформаторе (Тр) 11 со средней точкой. Базы Т 9, Т 10 подключены через резисторы 5, 6 к эмиттерам дополнительных транзисторов (ДТ) 15, 16 и выбраны той же проводимости, . что Т 9 и Т 10. Базовые обмотки 2,3 подключены через силовые переходы ДТ 15, 16 к первой паре диодов (ППД) 7, 8, а управл ющие переходы -.параллельно резисторам 5, 6 соответственно . Вторые пары диодов (ВПД) 17, 18 шунтируют переходы ДТ 15, 16 в обратном направлении. Введение ППД 7, 8 и ВПД 17, 18 позвол ет повысить КПД инвертора. При запирании Т 9 некоторое врем  остаетс  открытым, запирающим током открываетс  ДТ 15, а отпирающее напр жение на базе Т 10 шунтируетс  через диод 7 и открытый ДТ 15 на обмотку 2. Т 10 заперт до тех пор, пока не закончитс  процесс запирани  Т 9, благодар  чему обеспечиваетс  автоматическа  задержка отпирани  противоположного транзистора. 1 ил. а $ сл // 12 ISD to 4 00 4;:The transistor inverter is a secondary power supply. The purpose of the invention is to increase efficiency and reliability by reducing the dynamic losses in power transistors. The device contains a power amplifier transistors (t) 9, 10 and a transformer (Tr) 11 with a midpoint. Base T 9, T 10 connected through resistors 5, 6 to the emitters of the additional transistors (DT) 15, 16 and selected the same conductivity,. that T 9 and T 10. The base windings 2, 3 are connected via power transformers ДТ 15, 16 to the first pair of diodes (ППД) 7, 8, and the control transitions are parallel to resistors 5, 6, respectively. The second pair of diodes (VPD) 17, 18 shunt transitions DT 15, 16 in the opposite direction. The introduction of PDPs 7, 8 and VPD 17, 18 allows to increase the efficiency of the inverter. When T 9 is locked, the time remains open, DT 15 opens with a locking current, and the unlocking voltage at the base of T 10 is shunted through diode 7 and open DT 15 to winding 2. T 10 is locked until T 9 locks out, whereby an automatic delay is triggered by unlocking the opposite transistor. 1 il. a $ sl // 12 ISD to 4 00 4 ;:

Description

1one

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано в cHcteMax вторичного электропитани  и электропривода дл  преобразовани  посто нного тока в переменный,The invention relates to electrical engineering and can be used in cHcteMax secondary power supply and electric drive for converting direct current into alternating current,

Цель изобретени  - повышение КПД и надежности путем уменьшени : динамических потерь в -силовых транзисторахThe purpose of the invention is to increase efficiency and reliability by reducing: dynamic losses in power transistors

1224934212249342

Транзистор 10 заперт до тех пор, пока не закончитс  процесс рассасывани  избыточного зар да в базовой области транзистора 9. Когда базовый г ггереход транзистора 9 окажетс  об- ратносмещенным, запирающий ток через резистор 5 прекратитс э транзистор 15 закроетс  и транзистор 10 оукры- ваетс  напр жением, подаваемым с обНа чертеже, показана схема транзис- д мотки 3.The transistor 10 is locked until the excess charge is absorbed in the base region of the transistor 9. When the base voltage of the transistor 9 is reversed and biased, the blocking current through the resistor 5 stops and the transistor 15 closes and the transistor 10 is closed by voltage Supplied from the drawing on the drawing shows the scheme of the transection of skein 3.

1 торного инвертора.1 torus inverter.

Устройство содержит задающий генератор 1, вторичные обмотки 2 и 3 выходного трансформатора 4 которого соединены через резисторы 5 и 6 с первой парой вспомогательных диодов 7, 8 и с управл ющими переходами си- ловьгх транзисторов 9 и 10. Коллекторы силовых транзисторов через выходной трансформатор 1I соединены с нагрузкой 12, Параллельно коллекторно- эмиттерным переходам транзисторов 9 и 10 подключены блокирующие диоды 13 и 14. Обмотки 2 и 3 подключекгы через силовые переходы дополнительных транзисторов 15 и 16 к диодам 7 и 8, а управл ющие переходы транзисторов подключены параллельно резисторам 5 и 6 соответственно. Диоды 17 и 18 второй пары шунтируют в обратном направлении силовые переходы транзисторов 15 и 16.The device contains a master oscillator 1, the secondary windings 2 and 3 of the output transformer 4 of which are connected through resistors 5 and 6 to the first pair of auxiliary diodes 7, 8 and to control transitions of power transistors 9 and 10. The collectors of power transistors are connected through output transformer 1I with load 12, Parallel to the collector-emitter junctions of transistors 9 and 10, blocking diodes 13 and 14 are connected. Winding 2 and 3 are connected through power transitions of additional transistors 15 and 16 to diodes 7 and 8, and control transitions The resistors are connected in parallel to resistors 5 and 6, respectively. The diodes 17 and 18 of the second pair shunt in the opposite direction to the power transitions of the transistors 15 and 16.

оabout

Транзисторный инвертор работает следующим образом.Transistor inverter operates as follows.

Предположим, что в устаноЕЯвшем- С.Я режиме дл  .пол рности напр жени  обмоток 2 и 3j указанной без скобокs транзистор 9 открыт, а транзистор 10 закрыт. При этом транзисторы 15 и 16 закрыты.Suppose that in the established polarization mode for the voltage of the windings 2 and 3j of the indicated without brackets, transistor 9 is open and transistor 10 is closed. In this case, the transistors 15 and 16 are closed.

При пол рности управл ющего- напр жени  на обмотках 2 и 3 указанной в скобках на чертежеj запирающее напр жение с обмотки 2 подаетс  через резистор 5 на базу транзистора 9, который некоторое врем  открыт, вследствие рассасывани  избыточнъпс носителей в его базе. Запирающим током открываетс  транзистор 15 и отпирающее напр жение на базе транзистора 10 шунтируетс  через диод 7 и открытый транзистор 15 на обмотку 2 „With the control-voltage polarity on the windings 2 and 3 indicated in brackets in the drawing, the locking voltage from the winding 2 is fed through a resistor 5 to the base of transistor 9, which is open for some time due to resorption of excess carriers in its base. The locking current opens the transistor 15 and the opening voltage at the base of the transistor 10 is shunted through the diode 7 and the open transistor 15 to the winding 2 "

ВНИИПИ Заказ 1960/55 Тирот 631ПодписноеVNIIPI Order 1960/55 Tyro 631Subscription

Произв.-полигр. пр-тие,, г, Ужгород ул. Проектна  4Random polygons pr-tie ,, g, Uzhgorod st. Project 4

То же самое повторитс , когда будет происходить рассасывание избыточных носителей в базовой области транзистора 10, т.е. будет обеспечи- ватьс  автоматическа  Задержка открывани  транзистора 9,The same will be repeated when the resorption of excess carriers in the base region of the transistor 10 occurs, i.e. an automatic opening delay of the transistor 9 will be provided,

Использование предлагаемого транзисторного инвертора позвол ет умень- вшть динамические потери и повысить тем самым КПД и надежность по отношению к ггрототипу.The use of the proposed transistor inverter allows reducing the dynamic losses and thereby increasing the efficiency and reliability with respect to the type.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Транзисторный инвертор, содержа- двухтакт1№1й усилитель мощности, эмиттеры силовых транзисторов которого .объединены и подключены к отводу от средней точки вторичной обмот- В Л выходного трансформатора за,цан це- I o генератора, а базы силовых транзисторов через резисторы подключены к крайним выводам этой обмотки, и дополнительные транзисторы, о т л и - ч а го щ и и с   тем, что, с целью повышени  КПД и надежности путем уменьшени  динам ческих потерь мощности в силовых транзисторах, в него Бведены две пары диодов, каждый дополнительный транзистор выбран с про- Е:ОДИМОСТЬЮ того жв типв, ЧТО и силовой транзистор, и подключен э Иттe- ром к крайнему выводу указанной обмотки данного плеча схемы, базой - к базе силового транзистора этого же плеча схемы, а коллектором через диод первой пары - к базе силового транзистора другого цлеча cxe№i, причем встречно параллельно каждому до- пoJШитeльнoмy транзистору включен дио71 второй тары.A transistor inverter containing a two-stroke 1 to 1 power amplifier, the emitters of the power transistors of which are connected and connected to the outlet from the middle point of the secondary winding of the output transformer for the generator, and the bases of the power transistors are connected to the extreme terminals through resistors of this winding, and additional transistors, in order to increase efficiency and reliability by reducing the dynamic power loss in power transistors, two pairs of diodes are inserted into it, each additional transistor The resistor is selected with a pro E: CAPACITY of that live type, THAT and a power transistor, and is connected by E. Itter to the extreme output of the specified winding of this circuit arm, the base is connected to the base of the power transistor of the same circuit arm, and the collector through the diode of the first pair is to the base of the power transistor of the other cxeHi ti, and a diode of the second container is parallel to each additional transistor.
SU843751389A 1984-06-11 1984-06-11 Transistor inverter SU1224934A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843751389A SU1224934A1 (en) 1984-06-11 1984-06-11 Transistor inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843751389A SU1224934A1 (en) 1984-06-11 1984-06-11 Transistor inverter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1224934A1 true SU1224934A1 (en) 1986-04-15

Family

ID=21123147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843751389A SU1224934A1 (en) 1984-06-11 1984-06-11 Transistor inverter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1224934A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 924811, кл. Н 02 М 7/537, 1980. Авторское свидетельство СССР № 1059645, кл. Н 02 М 7/537, 1980. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1224934A1 (en) Transistor inverter
CA1064576A (en) High efficiency switching drive for a resonate power transformer
SU1582298A1 (en) Stabilized converter
SU845249A1 (en) Semi-bridge inverter
SU853758A1 (en) Two-cycle transistorized inverter
SU760352A1 (en) Voltage converter
SU928563A2 (en) Controllable converter
SU632044A1 (en) Two-cycle transistorized inverter
SU864471A1 (en) Transistorized inverte
SU1265958A1 (en) D.c. voltage converter
SU1684880A1 (en) Dc/dc voltage converter
SU1317622A1 (en) Semibridge self=excited transistor inverter
SU892628A1 (en) Dc-to-ac converter
SU1298885A1 (en) Two-position transistor selector switch
SU1589385A1 (en) Pulse generator
SU1467720A1 (en) Bridge-type voltage converter
SU959242A1 (en) Transistorized voltage converter
SU1064392A1 (en) Twin voltage generator
SU1557646A1 (en) Dc voltage converter
SU1058055A1 (en) Semiconductor switch
RU2475U1 (en) STABILIZED VOLTAGE CONVERTER
SU1610571A1 (en) Semi-bridge transistor inverter
SU483749A1 (en) Transistor inverter
SU680116A1 (en) Dc-to-dc converter
SU995236A1 (en) Two-cyclic voltage converter