SU1194242A1 - Широкополосный усилитель мощности - Google Patents

Широкополосный усилитель мощности Download PDF

Info

Publication number
SU1194242A1
SU1194242A1 SU833640805A SU3640805A SU1194242A1 SU 1194242 A1 SU1194242 A1 SU 1194242A1 SU 833640805 A SU833640805 A SU 833640805A SU 3640805 A SU3640805 A SU 3640805A SU 1194242 A1 SU1194242 A1 SU 1194242A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
emitter
power amplifier
load
Prior art date
Application number
SU833640805A
Other languages
English (en)
Inventor
С.Д. Борисов
П.Н. Петров
Р.В. Шамшин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8799
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8799 filed Critical Предприятие П/Я В-8799
Priority to SU833640805A priority Critical patent/SU1194242A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1194242A1 publication Critical patent/SU1194242A1/ru

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

ШИРОКОПОЛОСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОПЩОСТИ, содержащий входной дифференциальный каскад, вьшолненный на , первом и втором транзисторах, имеющих одну структуру,-инвертирующий усилительный каскад, выполненный на третьем транзисторе, имеющем другую структуру, база которого соединена с коллекторной нагрузкой первого тран-. зистора, а база второго транзистора через цепь обратной св зи подключена к нагрузке, отличающийс   тем, что, с целью уменьшени  нелинейных искажений, между эмиттером третьего транзистора и первой шиной источника питани  введены последовательно соединенные первый резистор и источник посто нного напр жени , между коллектором: третьего транзистора и второй шиной источника питани  введен второй резистор, а -также введены четвертый транзистор,включенный по схеме с общим коллектором, структура которого соответствует структуре третье-го транзистора, к коллектору которого подключена база четвертого транзистора, эмиттер кото (Л рого  вл етс  выходом широкополосного усилител  мощности, а его эмиттерна  нагрузка выполнена в виде токозадающего элемента.

Description

Изобретение относитс  к радиотехнике и может использоватьс  дл  усилени  видеосигнала или группового сигнала многоканальной телефонии в радиорелейных и кабельных (лини х св зи
Цель изобретени  - уменьшение нелинейных -искажений.
На фиг.1 .представлена принципиальна  электрическа  схема широкополое-. ного усилител  мощности; на фиг.2 одна из возможных реализаций источника посто нного напр жени ..Широкополосный усилитель мощности содерасит входной дифференциальный каскад, вьтолненный на первом и втором транСО 4 ГО 4 1C
зисторах 1,2, инвертирующий усилительный каскад, выполненный на третьем транзисторе 3, коллекторную нагрузку 4 первого транзистора 1, цепь 5 обратной св зи, источник 6 посто нного напр жени , первый и второй резисторы 7,8, четвертый транзистор 9, токозадающий -элемент IQj а также первую и вторую шины 11 12 источни ка питани .
Широкополосный усилитель .работает следующим образом.
При подаче на вход широкополосного усилител  мощности входного сигнала с коллекторной нагрузки 4 лервого транзистора 1 сигнал поступает
на вход инвертирующего усилительного каскада, вьшолненного на третьем транзистс е 3. С второго резистора 8 сигнал поступает на вход четвертого транзистора 9, с -эмиттера которого сигнал через цепь 5 обратной св зи поступает на неинвертирующий вход входного дифференциального каскада.
Введение четвертого транзистора 9, включенного по схеме с общим колIлектором и имеющего структуру одинаковую со структурой третьего транзистора 3s позвол ет компенсировать нелинейные искажени . В этом случае меньшей по амплитуде положительной полуволне входного напр жени  будет
соответствовать больша  крутизна транзистора и суммарные нелинейные искажени  амплитудной характеристики широкополосного усилител  мощности будут скомпенсированы или уменьшены в зависимости от конкретных величин i напр жени  источника 6 посто нного напр жени  первого и второго резисторов 7, 8 и токозадающего элемента 10. Причем введение источника 6 посто нного напр жени  позвол ет существенно увеличить коллекторный ток перво-г го транзистора 1 и тем самым добитьс  требуемой линейности амплитудной характеристики широкополосного усилител  мощности.
Фкг.2

Claims (1)

  1. через цепь обратной связи подключе- 1 на к нагрузке, отличающийс я тем, что, с целью уменьшения нелинейных искажений, между эмиттером третьего транзистора и первой шиной источника питания введены последовательно соединенные первый резистор и источник постоянного напряжения, между коллектором третьего транзистора и второй шиной источника питания введен второй резистор, а -также введены четвертый транзистор,включенный по схеме с общим коллектором, структура которого соответствует структуре третьего транзистора, к коллектору которого подключена база четвертого транзистора, эмиттер которого является выходом широкополосного усилителя мощности, а его эмиттерная нагрузка выполнена в виде токозадающего элемента.
SU833640805A 1983-09-06 1983-09-06 Широкополосный усилитель мощности SU1194242A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833640805A SU1194242A1 (ru) 1983-09-06 1983-09-06 Широкополосный усилитель мощности

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833640805A SU1194242A1 (ru) 1983-09-06 1983-09-06 Широкополосный усилитель мощности

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1194242A1 true SU1194242A1 (ru) 1991-08-15

Family

ID=21081241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833640805A SU1194242A1 (ru) 1983-09-06 1983-09-06 Широкополосный усилитель мощности

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1194242A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент QlA 3760288, кл. Н 03 F 3/68, 1973. , -За вка DE 194072, кл. Н 03 F 3/20, *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3088262B2 (ja) 低歪差動増幅回路
US2762874A (en) Semi-conductor signal amplifier circuits
US3852678A (en) Push-pull amplifier with current mirrors for determining the quiescent operating point
US4290025A (en) Amplifier arrangement with variable gain factor
US4433303A (en) Push-pull amplifier circuit with field-effect transistors
KR940000940B1 (ko) 신호억압용스위칭장치
US3987369A (en) Direct-coupled FET amplifier
KR19990037432A (ko) 제한된 출력 동적 범위를 갖는 고이득 증폭기
US2966632A (en) Multistage semi-conductor signal translating circuits
SU1194242A1 (ru) Широкополосный усилитель мощности
US4583052A (en) Amplifier having complete isolation of power sources
GB2295287A (en) Wideband constant impedance amplifiers
US4241314A (en) Transistor amplifier circuits
US3970947A (en) Multi-stage differential amplifier circuit with means for compensating the temperature drift of a constant current source transistor
CA2321571A1 (en) A differential line driver
US5047732A (en) Wide band amplifier
US4366441A (en) Signal-muting circuit for bridge amplifier
US3559085A (en) Transistor amplifier for high speed sweep
JPS6282704A (ja) 増幅回路
KR900002089B1 (ko) 증폭회로
US4123723A (en) Transistor amplifier circuit
EP1260015B1 (en) Variable transconductance variable gain amplifier utilizing a degenerated differential pair
SU1241417A1 (ru) Мостовой усилитель
SU1084965A1 (ru) Дифференциальный усилитель
US2874233A (en) Transistor power amplifier