SU1193758A1

SU1193758A1 - A.c.voltage-to-d.c.voltage converter

Info

Publication number: SU1193758A1
Application number: SU833636079A
Authority: SU
Inventors: Анатолий Яковлевич Дружинин
Original assignee: Druzhinin Anatolij Y
Priority date: 1983-08-17
Filing date: 1983-08-17
Publication date: 1985-11-23

Abstract

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ПОСТОЯННОЕ, содержащий выпр митель, выполненный по крайней мере на одном m - эмиттерном бипол рном транзисторе, вход переменного тока которого соединен с входными выводами дл подключени к источнику питающего напр жени , а выход посто нного тока с выходными выводами дл подключени нагрузки, отличающийс тем, что, с целью повьшени надежностиJв него дополнительно введены диоды по числу транзисторов , каждый из которых вкачен между базой и коллектором соответствующего транзистора согласно-па чллельно его р-п-переходV.AC POWER CONVERTER CONVERTER containing rectifier, made on at least one m - emitter bipolar transistor, AC input of which is connected to input terminals for connection to the supply voltage source, and DC output with output terminals for connection , characterized in that, in order to increase reliability, diodes are additionally introduced in it according to the number of transistors, each of which is injected between the base and the collector of the corresponding transistor o-na chllelno its pn perehodV.

Description

О //АК 13 и About // AK 13 and

Изобретение относитс к электротегснике и может ,быть использовано в источниках питани электро- и радиааппаратуры .The invention relates to an electric power supply and can be used in power supplies of electrical and radio equipment.

Цель изобретени - по ьппение надежности .The purpose of the invention is to ensure reliability.

На чертеже изображена схема частного вьшолнёни преобразовател .The drawing shows a diagram of a private converter converter.

Преобразователь содержит трехэмиттерные бипол рные транзисторы 1 и 2, эмиттеры 3-8 которых попарно объединены (Зиб, 4и7, 5и8) и образуют входные вьгооды 9-11. Коллекторы 12 и 13 транзисторов 1 и 2 образуют выходные выводы 14 и 15, а базы 16 и 17 соединены между собой через элемент 18 ограничени тока (например, резистор). Между базой 16 и коллек тором 12 транзистора 1, а также-между базой 17 и коллектором .13 транзис тора 2 включены. дио,ць1 19и 20 соответственно . На вьрсоде включена нагрузка 21.The converter contains three-emitter bipolar transistors 1 and 2, the emitters 3-8 of which are pairwise combined (Zib, 4, 7, 5, and 8) and form the input transistors 9-11. The collectors 12 and 13 of the transistors 1 and 2 form the output terminals 14 and 15, and the bases 16 and 17 are interconnected via the current limiting element 18 (for example, a resistor). Between the base 16 and the collector 12 of the transistor 1, and also between the base 17 and the collector .13 of the transistor 2 are included. Dio, ts1 19 and 20, respectively. The output of the load is 21.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

Шесть змиттерно-базовых переходов транзисторов 1 и 2 образуют трехфазный мостовой выпр митель. В процессе работы через эмиттерно-базовые переходы транзисторов 1 и 2 проход т циклически чередующиес импульсы тока , которые, складыва сь во времени обеспечивают прохождение через элемент 18 выпр мленного тока с переменной составл ющей около 6%. В соответствии с токами управлени , проход щими через эмиттерно-базовые переходы , происходит насьпцение змиттер . но-коллекторных переходов транзисторов 1 и 2, в результате чего через на.грузку 21 проходит посто нный ток, формирующий на ней посто нное Напр жение. - , Если напр жение на нагрузку 21 по каким-либо причинам окажетс больше напр жени на элементе 18, то диоды 19 и 20, имеющие напр жение отпирани меньше, чем напр жение отпирани перехода коллектор- .база транзисторов 1 и 2, отпираютс и приращение напр жени прикладьгоаетс к элементу 18 и базам транзисторов 1 и 2 в запирающей пол рности .дл эмиттерных переходов этих транзистаров , что исключаетработу транзисторов в неблагопри тном режиме, а также сй занную с этим перегрузку и выход из стро змиттерных переходов транзист.оров. Причинами повьшени напр жени на нагрузке 21 вл етс сброс тока нагрузки при наличии емкостного фильтра, обрыв одной из фаз в трехфазном двухполупериодном преобразователе , при работе трехфазного однополупериодного преобразовател на емкостный фильтр и др. . :The six zmitterno-base junctions of transistors 1 and 2 form a three-phase bridge rectifier. In the course of operation, cyclically alternating current pulses pass through the emitter-base junctions of transistors 1 and 2, which, adding in time, ensure the rectification of the rectified current with a variable component of about 6% through element 18. In accordance with the control currents passing through the emitter-base transitions, the emitter occurs. but-collector transitions of transistors 1 and 2, as a result of which a direct current passes through the load 21, which forms a constant voltage on it. -, If the voltage on the load 21 for any reason turns out to be higher than the voltage on the element 18, then the diodes 19 and 20, having the unlocking voltage less than the unlocking voltage of the collector-base of the transistors 1 and 2, are unlocked and increment the voltage is applied to the element 18 and the bases of transistors 1 and 2 in the locking polarity of the emitter transitions of these transistors, which excludes the operation of transistors in an unfavorable mode, as well as the overload and output from the stitter transitions of transistors. The reasons for the voltage drop across the load 21 are a load current shedding in the presence of a capacitive filter, an interruption of one of the phases in a three-phase full-wave converter, when a three-phase half-wave converter is operated on a capacitive filter, and others. :

При использовании кремниевых транзисторов в качестве шунтирз/тощих р-п переходов могут быть применены германиевые диоды или транзисторы в диодном включении. В схемах преобразователей , выполненных на одном многоэмиттерном транзисторе (с нулевым проводом), вводитс один р-п переход . .,When using silicon transistors as shuntyr / skinny pn junctions, germanium diodes or transistors in diode switching can be used. In the converter circuits made on one multi-emitter transistor (with a zero wire), one pn junction is introduced. .

Необходимо отметить, что по сравнению с известным предлагаемый преобразователь имеет более высокий КПД и способен преобразовать более низкие напр жени за счет малого значен1| переменной составл ющей тока управлени в цепи элемента 18. Кроме того, обеспечиваетс существецное повьщ1ение надежности работы преобразовател при реактивной нагрузке .It should be noted that in comparison with the known, the proposed converter has a higher efficiency and is capable of converting lower voltages due to low values of | the variable component of the control current in the circuit of element 18. In addition, there is a substantial increase in the reliability of the converter operation under reactive load.

Claims

(57 AC / DC converter to DC, containing a rectifier made on at least one m - emitter bipolar transistor, the AC input of which is connected to the input terminals for connecting to a power supply source, and the DC output with output terminals for connecting a load, characterized in that, in order to increase reliability, diodes are additionally introduced into it according to the number of transistors, each of which is connected between the base and collector of the corresponding transistor according to lchllelno its p-p-perehodv.