SU815918A1 - Symmetric semiconductor switching device - Google Patents

Symmetric semiconductor switching device Download PDF

Info

Publication number
SU815918A1
SU815918A1 SU772447199A SU2447199A SU815918A1 SU 815918 A1 SU815918 A1 SU 815918A1 SU 772447199 A SU772447199 A SU 772447199A SU 2447199 A SU2447199 A SU 2447199A SU 815918 A1 SU815918 A1 SU 815918A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
voltage
divider
transistors
supply voltage
input
Prior art date
Application number
SU772447199A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Леонид Абрамович Фурер
Original Assignee
Опытный Завод Института Прикладнойфизики Ah Молдавской Ccp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Опытный Завод Института Прикладнойфизики Ah Молдавской Ccp filed Critical Опытный Завод Института Прикладнойфизики Ah Молдавской Ccp
Priority to SU772447199A priority Critical patent/SU815918A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU815918A1 publication Critical patent/SU815918A1/en

Links

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)

Description

(54) СИММЕТРИЧНОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО(54) SYMMETRIC SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE

Изобретение относитс  к импульсной технике и предназначено дл  применени  в устройствах автоматики и в частности дл  тиристорного привода переменного тока.The invention relates to a pulse technique and is intended for use in automation devices and in particular for an thyristor AC drive.

Известны переключающие устройства, работающие на посто нном токе 1.Switching devices operating on direct current 1 are known.

Наиболее близким по технической сущности  вл етс , переключающее устройство, содержащее .первый делитель напр жени  питани  на резисторах, два транзистора р-п-р и п-р-п проводимостей, причем коллектор одного соединен с базой другого, а средн   точка делител  напр жени  питани  подсоединен а; к базе р-п-р транзистора 2.The closest in technical essence is a switching device containing a first power supply voltage divider across resistors, two pnp transistors and a pnp conductance, the collector of one being connected to the base of the other, and the middle point of the voltage divider power supply connected; to the base transistor transistor 2.

Недостаток заключаетс  в том, что оно не может работать при напр жении питани  и управлени  обеих пол рностей.The disadvantage is that it cannot operate under the voltage of the supply and control of both polarities.

Целью изобретени   вл етс  расщирение функциональных возможностей путем обеспечени  его работы при напр жении питани  и управлени  обеих пол рностей.The aim of the invention is to extend the functionality by ensuring its operation under power supply voltage and controlling both polarities.

Поставленна  цель, достигаетс  тем, что вход устройства образован одной клеммой входа, введенного выпр мительного моста и общей шиной и подключен к эмиттерам транзисторов со стороны выхода выпр мительного моста, выход устройства образован другой клеммой входа выпр мительного моста и общей щиной, к которой подключен одной клеммой источник питани , а параллельно первому делителю напр жени  питани  через разделительные диоды, включению последовательно с резисторами, подключен образованный последовательно включенными резисторами и разделительными диодами второй делитель напр жени , средн   точкаThe goal is achieved by the device input being formed by one input terminal, input of a rectifying bridge and a common bus and connected to the emitters of transistors on the output side of the rectification bridge, the device output is formed by another input bridge of the rectifying bridge and the total thickness to which the power supply terminal, and parallel to the first voltage divider through dividing diodes, connected in series with resistors, connected formed by series-connected resistors and dividing diodes second voltage divider, mid point

которого подключена к базе п-р-п транзистора .:which is connected to the base of pnp transistor.:

На чертеже представлена электрическа  схема предлагаемого устройства.The drawing shows the electrical circuit of the proposed device.

Симметричное полупроводниковое переключающее устройство содержит два транзиСтора 1, 2 соответственно р-п-р и п-р-п проводимостей, два делител  напр жени , плечи которых образованы резисторами 3 6 и разъединительными диодами 7-10, а также выпр мительный мост, образованный диодами 11 - 14.Symmetric semiconductor switching device contains two transistors 1, 2, respectively, pnp and npp conductivities, two voltage dividers, the shoulders of which are formed by resistors 3 6 and disconnecting diodes 7-10, as well as a rectifying bridge formed by diodes 11 - 14.

Claims (2)

Устройство работает следующим образом. При подаче входного напр жени  под рности , совпадающей с напр жением питани  и по достижении его величины потенциала точки а,оба транзистора 1, 2 открываютс , при этом величина потенциала точки а делител  начинает уменьшатьс , что обеспечивает внутреннюю положительную обратную св зь, способству  скачкообразному отпиранию двух транзисторов. На выходе устройства по вл етс  напр жение. При смене пол рности напр жени  питани  и входа начинает работать другой делитель, друга  пара диодов выпр мительного моста, обеспечива  смену пол рности напр жени  выходного сигнала. предлагаемое симметричное полупроводниковое переключающее устройство обеспечивает работу при напр жении питани  и управлени  обеих пол рностей при высокой стабильности напр жени  переключени . Формула изобретени  Симметричное полупроводниковое переключающее устройство, содержащее первый делитель напр жени  питани  на резисторах, два транзистора р-п-р и п-р-п проводимостей, причем коллектор одного соединен С базой другого, а средн   точка делител  напр iW5 , жени  питани  подсоединена к базе р-п-р транзистора, отличающеес  тем, что, с целью расщирени  функциональных возможностей путем обеспечени  его работы при напр жении питани  и управлени  обеих пол рностей , вход устройства образован одной клеммой входа введенного выпр мительного моста и общей щиной и подключен к эмиттерам транзисторов со стороны выхода выпр мительного моста, выход устройства образован другой клеммой входы выпр мительного моста и общей шиной, к которой подключен одной клеммой источник питани , а параллельно первому делителю напр жени  питани  через разделительные диоды, включенные последовательно с резисторами, подключен образованный последовательно включенными резисторами и разделительными диодами, второй делитель напр жени , средн   точка которого подключен к базе п-р-п транзистора. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Важенин 3. П. и др. Транзисторные генераторы импульсов миллисекундного диапазона . М., Советское радио,1974, с.11 - 12. The device works as follows. When the input voltage under the coherence coincides with the supply voltage and when the potential of the point a is reached, both transistors 1, 2 open, and the potential of the point a of the divider begins to decrease, which provides an internal positive feedback, facilitating abrupt unlocking two transistors. A voltage appears at the output of the device. When changing the polarity of the supply voltage and the input, another divider, another pair of diodes of the rectifying bridge, starts to work, ensuring the change of the polarity of the output voltage. The proposed symmetric semiconductor switching device provides operation at the supply voltage and control of both polarities at high stability of the switching voltage. Invention Symmetric semiconductor switching device containing the first power supply voltage divider on resistors, two transistors pnp and pnp conductivities, the collector of one connected to the base of the other, and the middle point of the divider iW5, power supply connected to A base transistor transistor, characterized in that, in order to extend the functionality by ensuring its operation under the supply voltage and controlling both polarities, the input of the device is formed by one input terminal introduced by rectifiers The common bridge and common emitters are connected to the emitters of the transistors on the output side of the rectifying bridge, the output of the device is formed by a different terminal inputs of the rectifying bridge and a common bus to which the power supply is connected with one terminal and parallel to the first voltage divider in series with resistors, connected formed by series-connected resistors and separation diodes, the second voltage divider, the midpoint of which is connected to the base of the pnp transit torus. Sources of information taken into account in the examination 1. Vazhenin 3. P. and others. Transistor pulse generators of a millisecond range. M., Soviet Radio, 1974, pp.11 - 12. 2.Лабунцов В. А. и др. Тиристоры. Справочник. М., «Энерги , 1971, с. 19 - 20.2.Labuntsov V.A. and others. Thyristors. Directory. M., “Energie, 1971, p. 19-20.
SU772447199A 1977-01-24 1977-01-24 Symmetric semiconductor switching device SU815918A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772447199A SU815918A1 (en) 1977-01-24 1977-01-24 Symmetric semiconductor switching device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772447199A SU815918A1 (en) 1977-01-24 1977-01-24 Symmetric semiconductor switching device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU815918A1 true SU815918A1 (en) 1981-03-23

Family

ID=20693477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772447199A SU815918A1 (en) 1977-01-24 1977-01-24 Symmetric semiconductor switching device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU815918A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4220989A (en) Polyphase variable frequency inverter with output voltage control
SU815918A1 (en) Symmetric semiconductor switching device
US3939394A (en) Constant voltage circuit
USRE29510E (en) High efficiency switching drive for a resonate power transformer
GB1051411A (en)
JP2660403B2 (en) Power converter
GB1296230A (en)
SU949815A1 (en) Switching device
SU1200406A1 (en) Device for switching capacitor
SU1554729A1 (en) Ac to ac voltage converter
SU790316A1 (en) Ac switching device
US4528462A (en) Integrated circuit switch using stacked SCRs
SU780126A1 (en) Self-sustained inverter
SU570965A1 (en) Bicyclic rectifier with doubling of voltage
SU589597A1 (en) Pulsed ac voltage stabilizer
SU955345A1 (en) Bridge thyristor inverter having device for checking valve serviceability
SU936272A1 (en) Thyristor phase control device
KR820002399Y1 (en) Invertor device
SU811222A1 (en) Ac voltage stabilizer regulating element
SU813590A1 (en) Device for switching-over load
SU1040578A1 (en) Self-excited voltage inverter
SU1406773A1 (en) A.c. signal switching device
SU739741A1 (en) Switching circuit
SU964893A1 (en) Thyristor control device
SU1741117A2 (en) Dc voltage stabilizer