SU1191845A1 - Способ определени полного зар да и его центра распределени в диэлектриках - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛНОГО ЗАРЯДА И ЕГО ЦЕНТРА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИКАХ, основанный на размещении образца между двум  металлическими электродами с плотным прилеганием к одному из них и измерении потенциала Ui его свободной поверху 2 1 ности, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  и повышени  точности, перемещают образец до прилегани  к противоположному электроду, измер ют потенциал U2 другой его поверхности, а полный зар д о и центр распределени  определ ют в соответствии с выражени ми ; eeo(Ui + U2) . S 1 Ui , S U,+U2 электрическа  посто нна  вакуума; е и S - относительна  диэлектрическа  проницаемость и толщина образца соответственно; 7 - глубина проникновени  зар да. (Л СО 00 4;: сд fpvf. 1

Description

Изобретение относитс  к электроизмерительной технике и предназначено дл  использовани  при исследовании электрических параметров диэлектриков.

Целью изобретени   вл етс  упрощение и повышение точности.. .й}1 2 представлены схемы расположени  исследуемого образца при реалиЬадии ripeдлoжeннqJф способа, где обозfeabifeHj .; ,образец. (диэлектрик) 1-, металлические ,элeктp 5,ы 2 |й 3; крива  4; ха1 ,актерЯ-йу- бщай (Зднд из возможных расrfpeftesreirplftsapifliia в диэлектрике; S - толщина диэлектрика; d - зазор между диэлектриком и электродом; р(х) - объемна  плотность распределени  зар да, х, у - координаты.

Дл  определени  полного зар да и его центра распределени  у образца 1, выполненного в виде диска диаметром 5-6 см, измер ют посредством микрометра или штангенциркул  толщину S, а затем по таблице

определ ют диэлектрическую проницаемость е. При измерении потенциалов поверхности диэлектрика образец 1 помещают между электродами 2 и 3 таким образом, что он плотно прилегает к электроду 2 и образует зазор d с электродом 3. В этом положении измер ют потенциал Ui свободной поверхности образца 1, обращенной к электроду 3. Затем образец 1 смещают к электроду 3, при этом между электродом 2 и второй стороной образца 1 также образуетс  зазор d. Измер ют потенциал и второй стороны. Далее производ т расчет полного зар да 5 и его центра распределени  по глубине Т проникновени  зар да в соответствии с выражени ми

Д- eEo(Ui + U2V S

- Ui S . U, + U2

Claims (1)

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛНОГО ЗАРЯДА И ЕГО ЦЕНТРА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИКАХ, основанный на размещении образца между двумя металлическими электродами с плотным прилеганием к одному из них и измерении потенциала U\ его свободной поверх ности, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения точности, перемещают образец до прилегания к противоположному электроду, измеряют потенциал U2 другой его поверхности^ а полный заряд σ и центр распределения определяют в соответствии с выражениями х_ eeo(Ui-pU2) .

   S

   J--., и, ,

   S U1+U2 где £о — электрическая постоянная вакуума; ε и S — относительная диэлектрическая проницаемость и толщина образца _ соответственно;

   г — глубина проникновения заряда.