SU1188810A1

SU1188810A1 - Кристаллодержатель СВЧ

Info

Publication number: SU1188810A1
Application number: SU833643827A
Authority: SU
Inventors: Наум Зиновьевич Шварц; Александр Александрович Чернявский; Вильгельмина Вильевна Волцит; Геннадий Владимирович Нечаев; Владимир Валентинович Павлов
Original assignee: Предприятие П/Я В-2438; Предприятие П/Я А-3562
Priority date: 1983-09-14
Filing date: 1983-09-14
Publication date: 1985-10-30

Abstract

КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЬ СВЧ, со держащий металлическое основание, изол тор, первую контактную площадк котора размещена на изол торе и к которой подключен первый внешний. вывод, второй внешний вывод и кристалл , исток которого соединен с металлическим основанием, а затвор соединен с первой контактной -площадкой, отличающийс тем, что, с целью увеличени широкополосности, в металлическом основании выполнен паз, в котором размещен изол тор, на. изол торе дополнительно установлены соосно с первой контактной площадкой втора и треть контактные площадки, при этом на второй контактной площадке размещен кристалл, сток которого и второй внешний вывод подключены к третьей контактной площадке, при этом длина и ширина паза соответст- венно равны длине и ширине изол тора, а глубина паза равна суммарной толщине изол тора и кристалла.

Description

Изобретение относится к электронике СВЧ и может быть использовано в транзисторной электронике.

Целью изобретения является увеличение широкополосности кристаллодержа- 5 теля СВЧ.

На чертеже представлена конструкция кристаллодержателя СВЧ.

Кристаллодержатель СВЧ содержит металлическое основание 1, изолятор 2^10 первую контактную площадку 3, -которая размещена на изоляторе.2 и к которой подключен первый внешний вывод 4, второй внешний вывод 5 и кристалл 6, исток которого соединен с металличес-15 ким основанием 1, а затвор соединен с первой контактной площадкой 3. В металлическом основании 1 выполнен паз, в котором размещен изолятор 2, на изоляторе 2 установлены соосно 20 с первой контактной площадкой 3 вторая и третья контактные площадки 7 и 8, при этом на второй контактной площадке 7 размещен кристалл 6, сток которого и второй внешний вывод 5 25 подключены к третьей контактной площадке 8, при этом длина и ширина паза соответственно равны длине и ширине изолятора 2, а глубина паза, равна суммарной толщине изолятора 2 и крис-30 талла 6.

Для увеличения широкополосности кристаллодержателя СВЧ частотные ограничения, вносимые его паразитными . элементами, уменьшены путем уменьше- jj ния самих паразитных элементов. Так уменьшение индуктивности в истоке кристалла 6 достигается путем максимального сближения соединяемых поверхностей или применения параллель- 40 ных заземлений, уменьшением контактных площадок до 0,1-0,01 мм² и соот-. ветствующим уменьшением входных емкостей до ΐσ^,4-10^Η5Φ.

Дальнейшее увеличение широкополое-45 ности кристаллодержателя СВЧ осуществляется путем компенсации входных и выходных емкостей кристалла 6 индуктивностями, выполненными в виде тонких проволочек, располагаемых в непосредственной близости от крис талла 6 и являющимися выводами его электродов.

При использовании кристаллодержателя СВЧ в усилителях в режиме опти мизации по усилению компенсация входной реактивности достигается индуктивностью, равной 1/м₀ ²С^, где С9$'емкость затвор-исток кристалла 6. На выходе достаточная широкополосность реализуется с помощью схемы с последовательной индуктивностью в стоке, равной C5J Ro² /( 1 + w0²C9<j²R6² ), где ω₀центральная (круговая) частота рабочего диапазона, С₅^ и R_o -емкость и сопротивление сток-исток кристалла 6.

При использовании кристаллодержателя СВЧ в усилителях в режиме оптимизации по минимуму коэффициента шума величина индуктивности на входе находится в пределах I /ω„

Оптимизация вещественных составляющих сопротивлений источника сигнала и выходной нагрузки может быть осуществлена с помощью элементов, внешних по отношению к кристаллодержателю, либо с помощью трансформаторов, располагаемых на первой и третьей контактных площадках 3 и 8 и имеющих длину, равную 1/4 эффективной длины волны в изоляторе 2- на частоте ω₀ .

Выполнение паза в металлическом основании 1 и размещение в нем изолятора 2 с кристаллом 6 обеспечивает максимальную широкополосность кристаллодержателя СВЧ, поскольку при этом обеспечивается минимальная длина выводов электродов кристалла 6, в частности выводов истока, при этом ширина кристалла 6 также выбирается равной ширине паза в металлическом основании 1. Изолятор 2 в пазе может быть выполнен единым или, если требуется дополнительный теплоотвод от кристалла 6, в виде отдельных пластин.

Claims

КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЬ СВЧ, содержащий металлическое основание, изолятор, первую контактную площадку, которая размещена на изоляторе и к которой подключен первый внешний.' вывод, второй внешний вывод и крис талл, исток которого соединен с металлическим основанием, а затвор сое· динен с первой контактной площадкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения широкополосности, в металлическом основании выполнен паз, в котором размещен изолятор, на изоляторе дополнительно установлены соосно с первой контактной площадкой вторая и третья контактные площадки, при этом на второй контактной площадке размещен кристалл, сток которого и второй внешний вывод подключены к третьей контактной площадке, при этом длина и ширина паза соответственно равны длине и ширине изолятора, а глубина паза равна суммарной толщине изолятора и кристалла.

>

1 1188810