SU1187140A1 - Способ записи ИК-голограмм - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ЗАПИСИ ИК-ГОЛОГРАММ, заключающийс  в том, что тонкие пленки вырожденныхполупроводников сульфидов меди или никел  размещают в области пересечени  интерфери-. рующих световых потоков, отличающийс  тем, что, с целью расширени  спектрального диапазона записи, запись осуществл ют интерферирующими потоками импульсного СО,лазера с плотност ми энергии 0,2 1 ,0 Дж/см (Л с

Description

Изобретение относитс  к голографии , а именно к технике записи голограмм в инфракрасном диапазоне.

Цель изобретени  - расширение спектрального диапазона записи.

Оптическа  система, предназначенна  дл  записи инфракрасных голограмм , представл ет собой обычную двухпучковую схему и состоит из импульсного С02,-лазера 1 с двойным поперечным разр дом, светоделител  2, в качестве которого использована плоек опаралле льна   пластина из германи , плоских медных зеркал 3-5, регистрирующего материала 6.

В качестве регистрирующего материала используют пленки CuS, NiS толщиной 0,5 мкм, площадью до нескольких квадратных сантиметров, приготовленные методом химического осажде00 ни  на стекл нную подложку из вод ных растворов, содержащих соответственно аминные комплексы меди и тиомочевины , никел  и тиоацетамида, при в течение 1-5 ч.

Запись голограмм производ т следующим образом.

Пример 1. Инфракрасное излучение импульсного СО -лазера I, рабе тающего-: в многомодовом режиме, попадает на светоделитель 2, где расщепл етс  на два пучка примерно равных интенсивноетей. Форма импульса типична  дл  азотсодержащих смесей с общей длительностью 1,5-2 мкс. Один из пучков направл етс  на регистрирующий материал 6 -1плен ку из CuS толщиной 0,5 мкм, площадью 3 см - с помощью зеркала 3, а другой попадает туда же после отражени  от зеркал 4 и 5. В результате наложени  двух когерентных пучков в плоскости регист рирующего материала происходит их интерференци . Запись голограмм осуществл етс  результате локального воздействи  ИК-излучени  на пленку CuS в соответствии с распределением интенсивности излучени  в интерференционной картине. Такое воздействие про  л етс - в локальном изменении толщин пленки за счет испарени  вещества, т.е. в образовании рельефа на ее по верхности. Два пучка сход тс  под . углом 40 друг к другу, в результат чего при длине волны излучени . 10,6 мкм записываетс  голографическа  решетка с пространственной част той 70 (период решетки 15 мкм) Плотность энергии ИК-издаучени  СО лазера в плоскости плёнки 0,2 Дж/см При этом на пленке CuS записываетс  голограмма с дифракционной эффективностью 1%. При плотност х энерги меньших 0,2 Дк/см , голограмма не записываетс . Таким образом, нижн   гранична  плотность энергии 0,2 Дж/см представл ет собой чувствительность ппе нок CuS. П р и м е р 2. Запись ИК-голограмм производитс  таким же способом , как ив примере 1, и на том же регистрирукицем материале - пленке из CuS толщиной 0,5 мкм, площадью 3 см. Плотность энергии ИК-излучени  в плоскости пленки 0,6 Д с/см. При этом, на пленке CuS записываетс  голограмма с дифракционной эффектив костью 20%. П р и м е р 3. Запись ИК-голограмм производитс  таким же способом , как и в примерах 1 и 2, и на том же регистрирующем материале пленке из CuS толщиной 0,5 мкм, пло щадью 3 см. Плотность энергии ИК-и 1лучени  в плоскости пленки 1 Дк/см 1 При этом на пленке CuS записываетс  голограмма с дифракционной эффективностью 0,8%. При плотност х энергии , больших 1 Дж/см, происходит разрушение пленки и запись голограмм становитс  невозможной. Таким образом , верхн   граница плотностей энергии , пригодных дл  записи ИК-голрграмм на CuS, равна 1 Дж/смЧ П р и м е р 4. Запись ИК-голог грамм производ т.по примерам J-3, но в качестве регистрирующего материала 6 (фиго О используют пленку из NiS толщиной 0,3 мкм, площадью 3,4 см. Плотность энергии ИК-излучени  СО лазера в плоскости пленки 0,2 Дж/см При этом на пленке NiS записываетс  голограмма с дифракционной эффективностью О,9%,-При плотност х энергии, меньших 0,2 Дж/см , голограмма не записываетс  о Таким образом, нижй   гранична  плотность энергии 0,2 Дж/см представл ет собой чувствительность пленок NiS о Пример5. Запись ИК-голограмм производ т таким же способом, как и в примере 4, и на том же регистрирующем материале - пленке из . NiS толщиной 0,5 мкм,.площадью 3,4 см. Цпотность энергии-ИК-излучени  в плоскости пленки 0,6 Дк/см о При этом на пленке NiS записываетс  голограмма с дифракционной эффективностью 18%, П р и м е р 6. Запись ИК-голограмм производ т таким же способом, как ив примерах 4 и 5, и на том же регистрирзгющем материале - пленке из NiS толщиной 0,5 мкм, площадью 3,4 см . Плотность энергии И5-излучени  в плоскости пленки 1 Дж/см. При этом на пленке NiS записываетс  голограмма с дифракционной эффективностью 1,1%, При плотност х энергии , больших 1 Цк/сы t происходит разрушение пленки и запись голограмм становитс  невозможной. образом, верхн   граница плотностей энергии, пригодных дл  записи ИК-голограмм на NiS, равна 1 Дж/см о

Claims (1)

1. СПОСОБ ЗАПИСИ ИК-ГОЛОГРАММ, заключающийся в том, что тонкие пленки вырожденных'полупроводников сульфидов меди или никеля размещают в области пересечения интерфери-. рующих световых! потоков, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона записи, запись осуществляют интерферирующими потоками импульсного С0₂лазера с плотностями энергии 0,2 1,0 Дж/см¹·.