SU1176183A1

SU1176183A1 - Полупроводниковый измеритель температуры

Info

Publication number: SU1176183A1
Application number: SU843707270A
Authority: SU
Inventors: Александр Васильевич Чурбаков
Original assignee: Предприятие П/Я А-3726
Priority date: 1984-01-13
Filing date: 1984-01-13
Publication date: 1985-08-30

Abstract

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЬЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащий согласованную пару транзисторов, выполненных в одном кристалле, базы которьк соединены между собой, а коллекторы соответственно через резисторы соединены с первым выводом источника напр жени , дифференциальньй усилитель ,инвертирующий вход которого соединен с коллектором первого транзистора , а выход соединен с первым вьгаодом измерител напр жени и через резистивный делитель, средн точка которого подключена к эмиттеру первого транзистора, соединен с вторым выводом источника напр жени , соединенным с эмиттером второго транзистора, о тличающийс тем, что, с целью повьшени надежности измерител температуры,коллектор второго транзистора соединен с базами транзисторов и неинвертирующим входом диффеI ренциального усилит ел , при этом второй вывод измерител напр жени соеди (Л нен с первьм выводом источника напр жени . Й- ЙI

Description

2. Измеритель температуры по п.1, отличающийс тем, чтоисточник напр жени содержит три согласованных транзистора, резистивный делитель напр жени , четыре резистора и дифференциальный усилитель, инвертирующий вход которого Соеди- . ней с .средней точкой делител напр жени , включенного между выводами источника напр жени , а выход подключен к первому вьтоду источника напр жени и через три резистора соответственно - к коллекторам транзисторов, при этом коллектор и база первого - транзистора соединены с базой второго транзистора, эмиттер которого через четвертый резистор соединен с

11

83

вторым вьгеодом источника напр жени , соединенным с, эмиттером первого транзистора и эмиттером третьего транзистора , база которого соединена с коллектором второго транзистора, а коллектор подключен к неинвертирующему входу дифференциального усилител . 3. Измеритель температуры по , пп. 1и2, отличающийс тем, что, с целью упрощени измерител Температуры, транзисторы источника напр жени выполнены в одном кристалле с согласованной парой транзисторов , при этом база первого транзистора источника напр жени соединена с базами согласованной пары транзисторов .

1

Изобретение относитс к температурным измерени м, а именно похгупроводниковым измерител м температуры дл измерени температуры в диапазоне от -80 до 150°С.

Цель изобретени - повышение надежности из 1ерител температуры.

На чертеже изображена принципиальна схема измерител температуры, вариант.

Измеритель температуры содержит термопреобразователь в виде согласованной пары транзисторов 1 и 2, выполненных в кристалле, два резистора 3 и 4, дифференциальный усилитель 5, резистивньй делитель 6, измеритель 7 напр жени и источник 8 напр жени .

Источник 8 напр жени содержит три согласованньк транзистора 9 -11 выполненных в одном кристалле, четыре резистора 12 - 15, резистивный делитель 16 и дифференциальный усилитель 17.

Согласованна пара транзисторов 1 и 2 может быть выполнена в одном кристалле с транзисторами 9-11, причем база транзистора 9 может быть соединена с базами транзисторов 1 и 2.

Измеритель температуры работает следующим образом.

Источник 8 напр жени формирует высокостабильное напр жение U 1,3 В, которое во всем рабочем диапазоне температур поддерживаетс с точностью ±1 мВ. Это напр жение вл етс опорным дл полупроводникового термопрёобрйзовател на согласованной паре кремниевых транзисторов 1 и 2. Через транзистор 2, включенньш по диодной схеме, протекает ток

т - и - иЭБ2

(1)

20

R.

где R/J - сопротивление резистора 4; 15 эб2 падение напр жени на переходе эмиттер - база транзистора 2.

Падение напр жении на резисторе 3 равно, падению напр жени на резисторе 4, так как дифференциальный усилитель 5 через резистивный делитель 6 устанавливает потенциал эмиттера транзистора 1 U таким, чтобы коллекторы двух транзисторов 25 1 и 2 быпи эквипотенциальны, т.е. коллекторный ток транзистора 1 будет равен:

и - U982

(2)

R,

где Rj - сопротивление резистора 3.

Разность падений напр жений на эмиттерных переходах двух согласо

Claims

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащий согласованную пару транзисторов, выполненных в одном кристалле, базы которьк соединены между собой, а коллекторы соответственно через резисторы соединены с первым выводом источника напряжения, дифференциальный усили 'тель,инвертирующий вход которого соединен с коллектором первого транзистора^ выход соединен с первым выводом измерителя напряжения и через резистивный делитель, средняя точка которого подключена к эмиттеру первого транзистора, соединен с вторым выводом источника напряжения, соединенным с эмиттером второго транзистора, о тличающийся тем, что, с целью повышения надежности измерителя температуры,коллектор второго транзистора соединен с базами транзисторов и неинвертирующим входом диффе- Q ренциального усилителя, при этом вто- <д рой вывод измерителя напряжения соединен с первым выводом источника напряжения.

Г · п

δ

QO

11 10 9 2

2. Измеритель температуры по п.1, отличающийся тем, чтоисточник напряжения содержит три согласованных транзистора, резистивный делитель напряжения, четыре резистора и дифференциальный усилитель,' инвертирующий вход которого соеди- . нен с средней точкой делителя напряжения, включенного между выводами источника напряжения, а выход подключен к первому выводу источника напряжения и через три резистора соответственно - к коллекторам транзисторов, при этом коллектор и база первого транзистора соединены с базой второго транзистора, эмиттер которого через четвертый резистор соединен с вторым выводом источника напряжения, соединенным с. эмиттером первого транзистора и эмиттером третьего транзистора, база которого соединена с коллектором второго транзистора, а коллектор подключен к неинвертирующему входу дифференциального усилителя.

3. Измеритель температуры по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что, с целью упрощения измерите ля температуры,.транзисторы источника напряжения выполнены в одном кристалле с согласованной парой транзисторов, при этом база первого транзистора источника напряжения соединена с базами согласованной пары транзисторов .