Изобретение относитс к электрофотографии . Цель изобретени - повышение качества носител путем увеличени частотного коэффициента передачи при сохранении динамического диапазона изменени поверхностного потенциала Анализ приведенных зависимостей показьгоает, что частотный коэффициен передачи увеличиваетс с увеличениек толщины диэлектрического подсло , а именно увеличение частного.коэффициента передачи при сохранении динамического диапазона изменени поверхностного потенциала, толщина диэлектрического подсло носител в 1-5 раз больше толщины диэлектриче кого покрыти . Пример. Изготавливают два электрофотографических носител с ди электрическими покрыти ми из полиэтилентрафталаиновой пленки, а слой фотопроводника из аморфного селена. Толщина фотопооводника посто нна в пределах до 90±2 мкм. Толщина диэлектрического подсло одного носите л составл ет 3 мкм, а второго 67 мк Толщина диэлектрического покрыти 22 мкм. Таким образом, один носитель имеет структуру диэлектрическое покрытке - слой фотопроводника - элект ропровод щую подложку (металлическую В него ввод т диэлектрический подслой . Другой носитель имеет диэлектрический подслой в 3 раза больше толщины диэлектрического покрыти . Носители зар жают в зар дном устройстве с ионизацией воздушного промежутка альфа-лучами от изотопа плутони 239 за врем пор дка 30с до напр жени . Величину напр жени выбирают до одного и того же потенциала пор дка 800 В. Дл этого носитель с тонким диэлектрическим подслоем зар жают до 1,3 кВ, а носитель с толстым диэлектрическим подслоем до 4,0 кВ. Одно и то же штриховое изображение проецирзпот на оба носител . Экспозици составл ет 30 лк-с. После экспонировани внешнюю поверхность носителей разр жают зар дом противоположной пол рности, до потенциала около О В, так что на неэкспонированных участках носител зар д полностью снимают, а на экспонированных оставл ют той же пол рности, что и при зар дке, который после равномерного освещени носител приводит к по влению на проэкспонированных участках потенциала 270-30 В. Скрытое изображение про вл ют каскадным методом на свету. Качество про вленного изображени оценивают визуально, а оптическую плотность .линий на частоте 5 измер ют на микрофотометре . Микрофотометрирование провод т в красном свете в- области прозрачности селена. Сравнение показьшает, что оптическа плотность линий на частоте достигает 1,1 на носителе с толстым диэлектрическим подслоем и на 0,5 превышает плотность тех же линий, про вленных на носителе с 3 мкм подслоем, что свидетельствует 06эффективности управлени одним из важных сенситосиметрических параметров носител путём изменени толщины диэлектрического подсло носител .This invention relates to electrophotography. The purpose of the invention is to improve the quality of the carrier by increasing the frequency transfer coefficient while maintaining the dynamic range of the surface potential. The analysis of these dependences shows that the frequency transfer ratio increases with the thickness of the dielectric sublayer, namely the increase in the partial transmission coefficient while maintaining the dynamic range of the surface potential, thickness the dielectric sublayer of the carrier is 1–5 times the thickness of the dielectric which is coated . Example. Two electrophotographic carriers with dielectric coatings are made of a polyethylene centerline film and an amorphous selenium photoconductor layer is made. The thickness of the photoconvector is constant up to 90 ± 2 µm. The thickness of the dielectric sublayer of one carrier is 3 µm, and the second 67 µm. The thickness of the dielectric coating is 22 µm. Thus, one carrier has a dielectric coating structure — a photoconductor layer — an electrically conductive substrate (a metal. A dielectric underlayer is introduced into it. The other carrier has a dielectric underlayer 3 times more than the thickness of the dielectric coating. The carriers charge in the charging device with air gap ionization alpha rays from the plutonium 239 isotope over a period of about 30 s to a voltage. The voltage is chosen to the same potential of about 800 V. The layer is charged up to 1.3 kV and the carrier with a thick dielectric sublayer up to 4.0 kV. The same line image is projected onto both carriers. The exposure time is 30 lx-s. After exposure, the external surface of the carriers is discharged by the opposite polarities, to a potential of about O B, so that in the unexposed areas of the carrier, the charge is completely removed, and in the exposed areas they remain the same polarity as during charging, which after uniform illumination of the carrier leads to entsiala 270-30 V. The latent image exhibit cascade by the light. The quality of the imaged image is evaluated visually, and the optical density of the lines at frequency 5 is measured on a microphotometer. Microphotometry is carried out in red light in the selenium transparency region. The comparison shows that the optical density of the lines at a frequency reaches 1.1 on a carrier with a thick dielectric sublayer and 0.5 higher than the density of the same lines produced on a carrier with a 3 µm sublayer, which indicates the control efficiency of one of the important carrier sensitimetric parameters changes in the thickness of the dielectric sublayer of the carrier.