2. Способ по п. 1, отличающий с тем, что выборочную разр дку осуществл ют дозированным осаждением в темноте электрического за .р да до нулевого потенциала поверхности носител .2. A method according to claim 1, characterized in that the selective discharge is carried out by dosed deposition in the dark of an electrical charge to a zero potential of the surface of the carrier.
Изобретение относитс к электрографии , в частности к копировальной технике, к технике записи изображений с электроннолучевой трубки, лазерной записи и т.п. Известен способ формировани скры того электростатического изображени на электрофотографическом носителе с диэлектрическим покрытием, включаю щий осаждение в темноте на носитель электрического зар да, экспонирование и вторичное эквипотенциальное осаждение зар да той же пол рности l В этом способе экспонирование и зар жение (дозар жение) не совмещены поэтому возможно использовать как импульсное, так и обычное освещение при экспонировании оптического изображени . Недостаток известного способа значительно меньший электростатический контраст, чем в способах записи где зар жение и экспонирование совмещены . Этот недостаток про вл етс при использовании носител , в котором емкости фотополупроводниковрго и диэлектрического слоев.соизмеримы по величине. Налример, переход на способ записи с раздельным экспониро ванием и зар жением снижает электро статический контраст в 2 раза, если емкости фотополупроводникового и ди электрического слоев носител равны между собой. Цель изобретени - увеличение электростатического контраста изображени на элекгрофотографических носител х с диэлектрическим покрыти при импульсном экспонировании оптического изображени . Поставленна цель достигаетс те что согласно способу формировани скрытого электростатического изображени на электрофотографическом нос теле с диэлектрическим покрытием, включающему осаждение в темноте на носитель электрического зар да, экс понирование и вторичное эквипотенци альное осаждение зар да той же по-л рности , цикл экспонировани и эквипотенциального осаждени зар да многократно повтор ют до достижени требуемого контраста, после чего ос ществл ют выборочную разр дку либо проэкспонированных, либо неэкспонированных участков изображени . При этом выборочную разр дку осуществл ют дозированным ораждением в темноте электрического зар да до нулевого потенциала поверхности носител . На чертеже приведены циклограммы изменени потенциала и зар да на поверхности носител и падени напр жени на фотополупроводниковом слое показан случай, когда перед первым экспонированием все слои носител полностью разр жены, а энергии экспозиции достаточно, чтобы полностью разр дить фотополупроводниковый слой). До самого большого напр жени фотополупроводниковый слой зар жают после первой зар дки поверхности носител до напр жени U., Если обозначить М 1/(1 + Сфп)Сд, где Серп и Сд - емкости фотополупроводникового и диэлектрического слоев, то падение напр жени на фотополупроводнике U( равно MU.J.. При повторном эквипотенциальном осаждении зар дов на носитель при сохранении напр жени зар жени его проэкспонированные участки зар жают до прежнего потенциала U (темные участки не были разр жены и поэтому их потенциал осталс равным), Фотополупроводниковый слой на проэкс-.понированных участках зар жаетс уже до меньшего,чем в первый раз,напр жени (U2 ) и на поверхности носител формируетс при дозар дке зар дный контраст дд,. Поскольку фотополупроводниковый слой на проэкспонированных участках после-повторного осажде-. ни зар дов оказываетс зар женным, можно повторить экспонирование того же оптического изображени , в результате чего слой снова полностью разр дитс , Что уменьшает потенциал поверхности носител на U U U . Следующее эквипотенциальное осаждение зар да сопровождаетс увеличением электростатического осаждени зар да, увеличением электростатического контраста на величину uUf за осаждени зар дов на проэкспонированные участки и соответствующим зар жением фотополупроводникового сло на этих участках и т.д. в общем случае после п-кратного экспони)Овани и дозар 5кени на носителе формируетс зар дный рельеф, который -после равномерного освещени носител переходит в потенциальный льеф с контрастом ди равным U М(1 - ) . Этот контраст лишь на величину (1 - м), близкую к 1, отличаетс от контраста, который. может быть сформирован в йроцессе, где зар жение и экспонирование совмещены . После многократного повторе ни циклов экспонировани и эквипотенциап1зного осаждени зар дов той же пол рно.сти на поверхности носител оказываетс сформированным зар дный рельеф, однако про вить каче ственно такой рельеф невозможно изза того, что как проэкспонированные так и неэкспонированные участки име ют очень высокий потенциал.В электрографии требуетс ,чтобы фоновые участки (ими могут быть как проэксп нированные,так и неэкспонированные участки в зависимости от процесса п зитив-поэитив или позитив-негатив) имели потенциал,близкий к нулевому. этому перед равномерным освещением носител , со сформированным на нем зар дным изображением в соответствии с предлагаемым способом следует раз р дить фоновые участки до потенциала , близкого к нулевому. Эту выборочную разр дку производ т путем осаждени зар да обратной пол рности на носитель со сформированным зар дным рельефом. При этом в зависимости от степени разр дки можно разр дить до потенциала, близкого к нулевому, либо неэкспонированные, либо проэкспонированные участки изображени Пример. Запись производ т на многослойном носителе, в котором селеновый слой толщиной 80 мкм покры диэлектрической лавсановой пленкой 40 мкм1 Поверхность носител зар жают до потенциала 2 кВ. Плотность поверхностного зар да на носителе после первого зар жени 25 кКл/см, освещенность изображени при записи 500 лк, врем импульсного экспонировани 1/30 с. Расчетна величинам дл данного носител равн етс 0,5. Измеренные приращени плотности зар да на проэкспонированных участках носител после каждого цикла экспонировани и эквипотенциального осаждени Зар да той же пол рности, т.е. контрасты после первого, второго, третьего, четвертого и п того циклов, составл ют 12, 18,21, 22, 23 кКл/см. Сравнива контрасты после одного и п ти циклов, видим, что достигнуто увеличение максимального контраста в 1,9 раза по сравнению с расчетным значением 2,0. Если вы вление потенциального контраста равномерным освещением носител со сформированным на нем зар дным изображением производить без разр дки фоновых участков, то потенциал неэкспонированных участков составл ет 1,0 кВ, а проэкспонированных участков 1,5 кВ после одного цикла и 1,95 кВ после п ти циклов экспонировани и дозар жени .Если же в соответствии со способом разр жгцот фоно- . ые участки до нулевого потенциала, выбира напр жение раз р жени равным нулю, то после вы влени потенциального контраста неэкспонированные участки изображени имеют нулевой потенциал, а проэкспонированные 0 ,5 и 0,95 кВ при записи с одним и п тью циклами, соответственно. Дл того, чтобы разр дить до нулевого потенциала проэкспонированные участки изображени (цикл с 5 - кратным экспонированием и дозар жением), необходимо использовать напр жение разр жений обратной пол рности 0,95 кВ, Предлагаемый crfoco6 обеспечивает возможность активного управлени контрастом записываемого изображени . В частности, часть изображени может быть выделена большим или меньшим контрастом по сравнению с остальным изображением. Использование данного способа позвол ет примен ть при зар дке меньш.ге напр жени , за счет чего повышаетс срок его службы. Кроме того, при записи изображени одинакового контраста можно использовать носители с меньшей толщиной полупроводникового сло , что улучшает механические и эксплуатационные . характеристики и снижает стоимость носител .The invention relates to electrography, in particular to a copying technique, to a technique of recording images from a cathode-ray tube, laser recording, and the like. A known method of forming a latent electrostatic image on an electrophotographic carrier with a dielectric coating, which includes deposition in the dark on an electric charge carrier, exposure and secondary equipotential charge deposition of the same polarity. In this method, the exposure and charging (discharging) are not aligned. therefore, it is possible to use both pulsed and normal illumination when exposing an optical image. The disadvantage of this method is much less electrostatic contrast than in recording methods where the charge and exposure are combined. This disadvantage is manifested in the use of a carrier in which the capacitances of the photosemiconductor and dielectric layers are comparable in magnitude. Nalimer, switching to the recording method with separate exposure and charging reduces the electrostatic contrast by a factor of 2 if the capacities of the photoconductor and dielectric layers of the carrier are equal to each other. The purpose of the invention is to increase the electrostatic contrast of the image on electrophotographic carriers with a dielectric coating during pulsed exposure of the optical image. The goal is achieved by the fact that according to the method of forming a latent electrostatic image on an electrophotographic body with a dielectric coating, including deposition in the dark on an electric charge carrier, exposure and secondary equipotential charge deposition of the same brightness, exposure cycle and equipotential deposition the charge is repeated several times to achieve the desired contrast, after which selective discharge is performed, either exposed or unexposed sections of the image. In this case, selective discharging is carried out with a dosed fence in the dark of electric charge to a zero potential of the carrier surface. The drawing shows cyclograms of changes in potential and charge on the carrier surface and the voltage drop on the photo semiconductor layer shows the case when before the first exposure all the carrier layers are completely discharged and the exposure energy is enough to completely discharge the photo semiconductor layer). Up to the highest voltage, the photo-semiconductor layer is charged after the first charging of the carrier surface to the voltage U. If M 1 / (1 + Sfp) Cd, where Serp and Cd are the capacitances of the photo-semiconductor and dielectric layers, the voltage drop on the photo-semiconductor U (equal to MU.J .. When re-equipotential deposition of charges on the carrier while maintaining the charging voltage, its exposed parts charge to the previous potential U (dark areas were not discharged and therefore their potential remained equal) The icy layer on the pro-xed-on areas is already charged to less than the first time, the voltage (U2) and on the surface of the carrier is formed when the charge contrast dd is discharged. Since the photo-semiconductor layer on the exposed areas after the repeated sedimentation. Neither charges are charged, it is possible to repeat exposure of the same optical image, as a result of which the layer is again completely discharged, which reduces the potential of the surface of the carrier to UUU. The following equipotential charge deposition is accompanied by an increase in electrostatic charge deposition, an increase in electrostatic contrast by the value of uUf during charge deposition on the exposed areas and the corresponding charging of the photo semiconductor layer in these areas, etc. In the general case, after a five-fold exposure of Ovani and a dose of 5 keni, a charge relief is formed on the carrier, which, after uniform illumination of the carrier, transforms into a potential relief with a contrast equal to U M (1 -). This contrast only by an amount (1 m) close to 1 differs from the contrast which. can be formed in an irocess process, where charge and exposure are combined. After repeated repetition of exposure cycles and equipotential deposition of charges of the same polarity, charge relief is formed on the surface of the carrier, but it is impossible to create such a relief quality because both exposed and unexposed areas have a very high potential. In electrography, it is required that the background areas (they can be both the exposed and the unexposed areas, depending on the process of poetry-positive or positive-negative) have the potential viscous to zero. before uniform illumination of the carrier, with the charge image formed on it in accordance with the proposed method, the background areas should be separated to a potential close to zero. This selective discharge is produced by deposition of a charge of reverse polarity on a carrier with a shaped relief relief. In this case, depending on the degree of discharge, it is possible to discharge to a potential close to zero, either the unexposed or the exposed parts of the image. Example. The recording is made on a multilayer carrier in which the selenium layer is 80 µm thick coated with a 40 µm insulating polyester film. The surface of the carrier is charged to a potential of 2 kV. The surface charge density on the carrier after the first charge is 25 kC / cm, the illumination of the image during recording is 500 lx, the pulse exposure time is 1/30 s. The calculated value for this carrier is 0.5. The measured charge density increments in the exposed areas of the carrier after each exposure cycle and equipotential charge deposition of the same polarity, i.e. the contrasts after the first, second, third, fourth, and fifth cycles are 12, 18.21, 22, 23 kC / cm. Comparing the contrasts after one and five cycles, we see that an increase in the maximum contrast by 1.9 times has been achieved compared with a calculated value of 2.0. If the potential contrast is detected by a uniform illumination of the carrier with the charge image formed on it without discharging the background areas, then the potential of the unexposed areas is 1.0 kV, and the exposed areas 1.5 kV after one cycle and 1.95 kV after n These cycles of exposure and dispensation. If, in accordance with the method of discharge, the background is. After selecting the potential contrast, the unexposed areas of the image have a zero potential, and the exposed 0, 5 and 0.95 kV when recording with one or five cycles, respectively. In order to discharge the exposed parts of the image to zero potential (cycle with 5x exposure and unloading), it is necessary to use a reverse polarity voltage of 0.95 kV. The proposed crfoco6 allows active control of the contrast of the recorded image. In particular, a part of the image can be highlighted with more or less contrast than the rest of the image. The use of this method permits the application of a lower voltage for charging, thereby increasing its service life. In addition, when recording images of the same contrast, you can use carriers with a smaller thickness of the semiconductor layer, which improves the mechanical and operational. characteristics and reduces the cost of the carrier.