SU1148006A1 - Semiconductor electrophysical parameter pickup - Google Patents
Semiconductor electrophysical parameter pickup Download PDFInfo
- Publication number
- SU1148006A1 SU1148006A1 SU833661782A SU3661782A SU1148006A1 SU 1148006 A1 SU1148006 A1 SU 1148006A1 SU 833661782 A SU833661782 A SU 833661782A SU 3661782 A SU3661782 A SU 3661782A SU 1148006 A1 SU1148006 A1 SU 1148006A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- measuring hole
- solenoid
- pin
- semiconductor
- cylindrical microwave
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
1. ДАТЧИК ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, содержащий цилиндрический СВЧ-резонатор на одной из торцовых стенок которого расположен индуктивный штырь, а на другой выполнено измерительное отверстие , в которое введён свободный конец индуктивного штыр , а также элементы св зи цилиндрического СВЧреЭонатора с СВЧ-генератором и индикатором , отличающийс тем, что, с целью измерени подвижности свободных носителей зар да, введен соленоид, который охватывает цилиндрический СВЧ-резонатор в области измерительного отверсти и установлен соосно с индуктивным штырем. 4аь : эь1. ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTORS, containing a cylindrical microwave resonator on one of the end walls of which an inductive pin is located, and on the other there is a measuring hole into which a free end of the inductive pin is inserted, as well as communication elements of a cylindrical microwave with an microwave generator and an oscillator pin. , characterized in that, in order to measure the mobility of free charge carriers, a solenoid is inserted, which covers a cylindrical microwave resonator in the region of the measuring hole and mounted coaxially with inductive pin. 4a: it
Description
2.Датчик по п. 1,отличающ и и с тем, что торец соленоида расположен в плоскости наружной поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием.2. The sensor according to claim 1, is also distinguished by the fact that the end of the solenoid is located in the plane of the outer surface of the end wall with the measuring hole.
3.Датчик по пп. 1 и 2 , отличающийс тем , что3. The sensor PP. 1 and 2, characterized in that
торцова стенка с измерительным отверстием и внутренн полость соленоида вьшЬлнены в форме усеченного конуса , ориентированного меныпим основанием в сторону измерительного отверсти .The end wall with the measuring hole and the internal cavity of the solenoid are formed in the shape of a truncated cone, oriented with our base towards the measuring hole.
Изобретение относитс к технике измерений на сверхвысоких частотах и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, а также в исследовательской практике при изучении свойств новых полупроводниковых материалов.The invention relates to a technique for measuring at ultrahigh frequencies and can be used in the manufacture of semiconductor devices, as well as in research practice in studying the properties of new semiconductor materials.
Известен датчик дл измерени электрофизических параметров полупроводников , который содержит отрезок запредельного пр моугольного волновода, на одной из широких стенок которого расположен индуктивный штырь, и св зи, причем дл измерени параметров полупроводников исследуемый образец помещаетс в зазор между свободным торцом индуктивного штьф и щирокой стенкой отрезка запредельного пр моугольного волновода lJ .A sensor is known for measuring the electrophysical parameters of semiconductors, which contains a segment of an extraordinary rectangular waveguide, on one of the wide walls of which an inductive pin is located, and a connection, and to measure parameters of semiconductors, the sample under study is placed in the gap between the free end of an inductive pin and a wide wall of an outlying segment rectangular waveguide lJ.
Недостатками известного датчика вл ютс необходимость приготовлени исследуемых образцов в вцде пластин определенной толщины и формы, трудоемка операци размещени исследуемо го образца внутри отрезка запредельного пр моугольного волновода под свободным торцом индуктивного штыр и узкий диапазон измерени удельного сопротивлени (10 - ю Ом-см). The disadvantages of the known sensor are the need to prepare test samples in all plates of a certain thickness and shape, the time-consuming operation of placing the test sample inside a segment of a transverse rectangular waveguide under the free end of an inductive pin and a narrow resistivity measurement range (10 - ohm-cm).
Наиболее близким по техническому решению к предпагаемому вл етс датчик злектрофизических параметров полупроводников, который содержит цилиндрическ1й СВЧ-резонатор, на одной из торцовых стенок которого расположен индуктивный штырь, а на другой вьтолнено измерительное отверстие , в которое введен свободный конец индуктивного штыр , а также элементы св зк цилиндрического СВЧрезонатора с СВЧ-генератором и индикатором .The closest technical solution to the expected one is the sensor of the electrophysical parameters of semiconductors, which contains a cylindrical microwave resonator, on one of the end walls of which an inductive pin is located, and on the other there is a measuring hole in which the free end of the inductive pin is inserted, as well as zk cylindrical microwave resonator with microwave generator and indicator.
Однако с помощью такого датчика невозможно измер ть подвижность свободных носителей зар да.However, using such a sensor, it is impossible to measure the mobility of free charge carriers.
Целью изобретени вл етс измерение подвижности свободных носителей зар да.The aim of the invention is to measure the mobility of free charge carriers.
Поставленна цель достигаетс тем что в датчик злектрофизических параметров полупроводников, содержащий цилиндрический СВЧ-резрнатор, на одной.из торцовых стенок которого расположен индуктивный щтырь, а на другой выполнено измерительное отверстие , в которое введен свободный конец индуктивного штыр , а также злементы св зи цилиндрического СВЧрезонатора , с СВЧ-генератором и иидикатором , введен соленоид, который охватывает цилиндрический СВЧ-резонатор в области измерительного отверсти и установлен соосно с индуктивным штьфем.The goal is achieved by the fact that the sensor of the electroscopic parameters of semiconductors, containing a cylindrical microwave resonator, on one of the end walls of which is an inductive schtyr, and on the other there is a measuring hole, in which the free end of the inductive pin, as well as the elements of a cylindrical UHF resonator , with a microwave generator and an indicator, a solenoid is inserted, which covers a cylindrical microwave resonator in the area of the measuring hole and is installed coaxially with an inductive pin.
Торец соленоида расположен в плоскости наружной поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием.The end of the solenoid is located in the plane of the outer surface of the end wall with the measuring hole.
Торцова стенка с измерительным от верстием и внутренн полость солено1еда выполнены в форме усеченного конуса, ориентированного меньшим основанием в сторону измерительного отверсти .The end wall with a measuring hole and the internal cavity of the solenoid are made in the shape of a truncated cone, oriented with a smaller base towards the measuring hole.
На чертеже приведена схема датчика электрофизических параметров полупроводников .The drawing shows a diagram of the sensor electrical parameters of semiconductors.
Датчик электрофизических параметров полупроводников содержит ципиндрический СВЧ-резонатор 1, на одной из торцовых стенок которого расположен индуктивный штырь 2, а на другой выполнено измерительное отверстие 3, гибкую металлическую диафрагму 4, элементы 5 св зи и соленоид 6, внутренн полость которого вьлолнена 3 в форме усеченного конуса, а торец расположен в плоскости наружной поверхности торцовой стенки с измер тельным отверстием 3. Датчик электрофизических парамет ров полупроводников работает следую щим образом. /1п проведени измерений цилиндрический СВЧ-резонатор 1 через элементы 5 св зи включаетс в СВЧ-изме рительный тракт, соленоид 6 подключ етс к внешнему источнику тока..Исследуемый образец 7 полупроводника накладываетс на измерительное отверстие 3. Измер етс добротность цилиндрического СВЧ-резонатора 1 с исс1тедуеМ)1М образцом 7 полупровод ника в магнитном поле и вотсутстви магнитного пол , а также добротност цилиндрического СВЧ-резоиатора 1 с эталонным о&разцом удельного сопр тивлени в отсутствие магнитного по л . Измерени производ тс при фиксированной резонансной частоте. Настройка цилиндрического СВЧ-резонатора t на фиксированную частоту про изводитс путем продольного перемещени индуктивного штыр 2 с помощь гибкой металлической диафрагмы 4. Пojчвижнocть Я« свободных носителей зар да полупроводника определ етс из соотношений: r-;f (of 0(6)1-(рРэм - эн CQ,H-Q(o,lQieVPH дл низкоомного полупроводника 6 , г ,((в) .С0{вг(о11(р-гэ8)а дл высокоомного полупроводника ( - юОм-см), где В индукци магнитного пол в области локализации краевого СВЧ-электрического пол измерительного отверсти ; .всоответственно удельное сопротивление низкоомного и высокоомного эталонных полупроводников; Q Q - добротность цш1индри 1еского СВЧ-резонатора 1 с низкоомным и высокоомным эталонными образцами 7; р - удельное сопротивление исследуемого полупроводникового образца; Q, .,Q - добротность цилиндрического СВЧ-резонатора 1 с исследуемым образцом 7 в магнитном поле с И1щукцией Вив отсутствие магнитного пол.. Если удельное сопротивление исследуемого образца 7 неизвестно,, то его предварительно определ ют с помощью датчика электрофизических параметров полупроводников по известной методике . Применение предлагаемого датчика. электрофизических параметров полупроводников позволит повысить качество разбраковки, сортировки полупроводникового материала вследствие получени подробной информациц о распределении электрофизических параметров в пределах каждого образца.The sensor for the electrophysical parameters of semiconductors contains a tsipindric microwave resonator 1, on one of the end walls of which inductive pin 2 is located, and on the other there is a measuring hole 3, a flexible metal diaphragm 4, elements 5 of communication and a solenoid 6, the internal cavity of which is 3 the truncated cone, and the end face is located in the plane of the outer surface of the end wall with the measuring hole 3. The sensor for the electrophysical parameters of semiconductors works as follows. / 1p measuring cylindrical microwave resonator 1 through the elements 5 of the connection is included in the microwave measuring path, the solenoid 6 is connected to an external current source. The test sample 7 of the semiconductor is superimposed on the measuring hole 3. The quality factor of the cylindrical microwave resonator 1 with a sample 1M sample 7 of a semiconductor in a magnetic field and there is a magnetic field, as well as the quality factor of a cylindrical microwave resonator 1 with a reference specific amplitude in the absence of a magnetic field. Measurements are made at a fixed resonant frequency. The tuning of the cylindrical microwave resonator t to a fixed frequency is made by longitudinal movement of the inductive pin 2 with the help of a flexible metal diaphragm 4. The jitter I of the free charge carriers of the semiconductor is determined from the relations: r-; f (of 0 (6) 1- ( reRem - en CQ, HQ (o, lQieVPH for a low-resistance semiconductor 6, g, ((v). С0 {br (o11 (p-ge8)) and for a high-resistance semiconductor (- YuOhm-cm), where B is the magnetic field induction in the region localization of the edge of the microwave electric field measuring hole; accordingly, the resistivity e low-resistance and high-resistance reference semiconductors; QQ is the Q factor of 1H microwave resonator 1 with low-resistance and high-resistance reference samples 7; p is the resistivity of the semiconductor sample under study; Q,., Q is the Q of cylindrical microwave resonator 1 with the sample 7 in magnetic the Viv field without the magnetic field. The absence of a magnetic field. If the resistivity of the sample 7 is unknown, it is preliminarily determined with the aid of a sensor of the electrophysical parameters of semiconductors todike. The application of the proposed sensor. Electrophysical parameters of semiconductors will improve the quality of screening, sorting of semiconductor material due to obtaining detailed information on the distribution of electrophysical parameters within each sample.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU833661782A SU1148006A1 (en) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | Semiconductor electrophysical parameter pickup |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU833661782A SU1148006A1 (en) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | Semiconductor electrophysical parameter pickup |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1148006A1 true SU1148006A1 (en) | 1985-03-30 |
Family
ID=21088848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU833661782A SU1148006A1 (en) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | Semiconductor electrophysical parameter pickup |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1148006A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170311438A1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Laird Technologies, Inc. | Board level shields with virtual grounding capability |
-
1983
- 1983-11-04 SU SU833661782A patent/SU1148006A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Авторское свидетельство СССР 779937, кл. G 01 R 31/28, 1972. 2. Авторское свидетельство СССР 896524, кл. G 01 N Я2/00, 1982 (прототип). * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170311438A1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Laird Technologies, Inc. | Board level shields with virtual grounding capability |
| US9999121B2 (en) * | 2016-04-25 | 2018-06-12 | Laird Technologies, Inc. | Board level shields with virtual grounding capability |
| US10455688B2 (en) | 2016-04-25 | 2019-10-22 | Laird Technologies, Inc. | Board level shields with virtual grounding capability |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4257001A (en) | Resonant circuit sensor of multiple properties of objects | |
| SE7511181L (en) | SET AND DEVICE FOR TESTING HEAVY CONTACTS | |
| US2630472A (en) | Method and apparatus for inspecting cavities | |
| SU1148006A1 (en) | Semiconductor electrophysical parameter pickup | |
| US3371271A (en) | Measurement of unpaired electron density | |
| US2517975A (en) | Magnetometer probe | |
| US2489092A (en) | High-frequency surface testing instrument | |
| US20130207670A1 (en) | Regenerative feedback resonant circuit | |
| Cadez et al. | Measuring high mechanical quality factors of bodies made of bare insulating materials | |
| US3691453A (en) | Compact microwave spectrometer | |
| US2448794A (en) | Device for testing magnetic materials | |
| US3529235A (en) | Magnetic induction spectrometer employing a pair of coupled resonant cavities | |
| SU868662A1 (en) | Method of measuring magnetic permeability of ferromagnetic liquid materials | |
| PL431387A1 (en) | Holder for a sample for measurements of optically detected MRI | |
| GB2130728A (en) | Measuring settling rates | |
| US3521162A (en) | Frequency analyzing device and method using vibrating reeds | |
| US3437922A (en) | Microwave dimensional measuring apparatus and method | |
| RU2793577C1 (en) | Device for measuring noise of thin magnetic films in the microwave range | |
| SU911270A1 (en) | Method of checking thin film physical parameters | |
| SU911269A2 (en) | Electron paramagnetic resonance spectrometer | |
| SU849057A1 (en) | Device for investigating thin magnetic film ferromagnetic resonance | |
| Holmes | Propagation in rectangular waveguide containing inhomogeneous, anisotropic dielectric | |
| SU1001241A1 (en) | Method of measuring critical magnetic fields in superconductors | |
| SU1636795A1 (en) | Device for measuring dielectric parameters | |
| SU1307249A1 (en) | Device for measuring mechanical stresses in objects of ferromagnetic materials |