2. щ и и 2. u and u
шени устойчивости работы в негоsheni sustainability work in it
транзистора. Элемент по п.1, о т л и ч а ю- - введен конденсатор, включеиньш с тем, что, с целью повы- между базой и коллектором второго 1146646transistor. Element according to claim 1, about tl and h a y- - a capacitor is inserted, including a pin, so that, in order to rise between the base and the collector of the second 1146646
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в различных устройствах измерительной , вычислительной и радиоэлектрон ной аппаратуры. Известен низковольтный опорный элемент, содержащий выходной транзи тор, коллектор и эмиттер которого соединены с вьшодами источника, два бипол рных и один унипол рньй транзисторы и один резистор 1J . Недостатком такого элемента вл етс большой температурный коэффициент напр жени (ТКН). Меньшее значение ТКН достигаетс в известном опорном элементе, содер жащем выходной транзистор, эмиттер и коллектор которого соединены с выводами элемента, два других транзистора того же типа проводимости и три резистора 2 . Нулевой ТКН данного элемента дос тигаетс при равенстве по абсолютному значению ТКН перехода база-эми тер выходного транзистора и ТКН на резисторе, включенном между базой и коллектором выходного транзистора Однако при изменении тока через опорный элемент измен етс как напр жение на база-эмиттерном переходе в выходного транзистора, так и его ТК что нарушает условие получени нуле вого ТКН источника. Известен низковольтньй опорный элемент типа LM113 з . Однако схема указанного устройства отличаетс сложностью, построена на дев ти транзисторах,11 резисторах и двух конденсаторах. Наиболее близким к изобретению вл етс низковольтньй опорньй элемент , содержащий выходной транзистор , коллектор которого подключен к выходному выводу, а эмиттер - к общему выводу,, первый транзистор, база иколлектор которого соединены и через первый резистор подключены к выходному выводу, а его эмиттер через второй резистор соединен с общим выводом 4J . Недостатком известного элемента вл етс то, что при изменении тока нагрузки измен етс ток эмиттера выходного транзистора, наруша при этом условие получени нулевого ТКН. Цель изобретени - снижение величины температурного коэффициента выходного напр жени путем устранени вли ни изменени тока, протекающего через опорньм элемент, а также повышение устойчивости работы. Поставленна цель достигаетс тем, что в низковольтный опорньш элемент, содержащий выходной транзистор , коллектор которого подключен к выходному выводу, а эмиттер - к общему вывЪду, первый транзистор, коллектор и база которого соединены и через первьй резистор подключены к выходному выводу, а его эмиттер через второй резистор соединен с общим выводом, введены третий и четвертый резисторы, второй и тре.тий транзисторы, эмиттеры которых непосредственно соединены с общим выводом , при этом база и коллектор первого транзистора соединены с базой второго транзистора, коллектор второго транзистора соединен с базой третьего транзистора и через третий резистор подключен к выходному выводу, коллектор третьего транзистора соединен с базой выходного транзистора и через четвертьй резистор с выходным выводом. Причем между базой и коллектором второго транзистора включен введенный конденсатор. На чертеже приведена принципиальна электрическа схема предлагаемого элемента. НизковольтньвЧ опорный элемент со держит выходной транзистор 1, первый транзистор 2, второй 3 и третий 4 транзисторы, резист.оры 5 - 8 и конденсатор 9. Коллектор выходного транзистора 1 подключен к выходному выводу, эмиттер - к общему выводу. База и коллектор транзистора 2 соединены и через резистор 5 подключены к выходному выводу, а эмиттер через резистор 6 соединен с общим выводов Эмиттеры транзисторов 3 и 4 соединены с общим выводом. База и коллектор первого транзистора 2 соединены с базой второго транзистора 3. Коллектор второго транзистора 3 сое динен с базой третьего транзистора 4 и через резистор 7 подключены к выходному выводу. Коллектор третьего . транзистора 4 соединен с базой выходного транзистора 1 и через резистор 8 с выходным выводом. Между базой и коллектором второго транзистора включен конденсатор 9. Устройство работает следующим образом. Величина тока эмиттера дополнительного транзистора 3 выбираетс много больше (в 10-20 раз) величины тока эмиттера транзистора 2. Соотно шение этих токов задаетс величиной сопротивлени резистора 6. При этом отрицательный ТКН перехода базаэмиттер транзистора 2 больше (на 10-15%) по абсолютной-величине ТКН перехода база-эмиттер- транзистора 3 (ввиду большого тока эмиттера последнего ) . В результате ТКН разност напр жений этих переходов, выделенной на резисторе 6, будет положителен . Прибольшом усилении по току транзистора 3 напр жение на резисторе 5 , равно произведении} величины напр жени и на резисторе 6 на отношение сопротивлений резисторов 5 и 6 и, и, Аналогичным образом определ етс величина положительного ТКН на резисторе 5 как произведение величины ТКН на резисторе 6 на отношение сопротивлений резисторов 5 и 6 Благодар усилению по току транзисторов 3 и 4 выходное напр жение источника практически равно сумме падени напр жени Uj на резисторе 5 и переходе база-эмиттер Ug транзистора 3 Uftb-x - Uf- %5. Соответственно, условие получени нулевого ТКН источника (вых можно записать как У -Пээ- 0 где - ТКН перехода база-эмиттер транзистора 3. Откуда следует (поскольку в уравнени (3) и (4) не входит ток нагрузки ) , что изменение тока нагрузки через опорный элемент, а следовательно , и тока эмиттера выходного транзистора 1 не вли ет на условие получени нулевого ТКН устройства. Конденсатор .9 преп тствует самовозбуждению схемы.The invention relates to electrical engineering and can be used in various devices of measuring, computing, and electronic equipment. A low-voltage reference element is known, which contains an output transistor, the collector and emitter of which are connected to the source outputs, two bipolar and one unipolar transistors, and one resistor 1J. The disadvantage of this element is a large temperature coefficient of voltage (TKN). A lower TKN value is achieved in a known reference element containing an output transistor, the emitter and collector of which is connected to the terminals of the element, two other transistors of the same conductivity type and three resistors 2. The zero TKN of this element is achieved when the absolute value of the TKN of the base-emitter of the output transistor and the TKN is equal on the resistor connected between the base and the collector of the output transistor. transistor, and its TC, which violates the condition for obtaining a zero TKN source. Known low-voltage support element type LM113 h. However, the circuit of this device is complicated, built on nine transistors, 11 resistors and two capacitors. Closest to the invention is a low-voltage supporting element containing an output transistor, the collector of which is connected to the output terminal, and the emitter is connected to a common terminal, the first transistor, the base of the collector of which is connected and through the first resistor to the output terminal the resistor is connected to the common pin 4J. The disadvantage of the known element is that when the load current changes, the emitter current of the output transistor changes, thus violating the condition for obtaining zero TCS. The purpose of the invention is to reduce the value of the temperature coefficient of the output voltage by eliminating the effect of a change in the current flowing through the supporting element, as well as increasing the stability of the operation. The goal is achieved by the fact that a low-voltage supporting element containing an output transistor, whose collector is connected to the output terminal, and an emitter to a common outlet, the first transistor, the collector and base of which are connected to the output terminal, and its emitter the second resistor is connected to the common output, the third and fourth resistors are introduced, the second and third transistors, the emitters of which are directly connected to the common output, while the base and collector of the first transistor are connected to b Zoe second transistor, the collector of the second transistor connected to the base of the third transistor and through a third resistor connected to the output terminal, the collector of the third transistor connected to the base of the output transistor and through a fourth resistor to the output terminal. Moreover, between the base and the collector of the second transistor included entered capacitor. The drawing shows the electrical circuit of the proposed element. The low voltage reference element contains the output transistor 1, the first transistor 2, the second 3 and the third 4 transistors, resistors 5 - 8 and capacitor 9. The collector of the output transistor 1 is connected to the output terminal, the emitter is connected to the common terminal. The base and collector of transistor 2 are connected and through a resistor 5 are connected to the output terminal, and the emitter through a resistor 6 is connected to common terminals. The emitters of transistors 3 and 4 are connected to a common terminal. The base and the collector of the first transistor 2 are connected to the base of the second transistor 3. The collector of the second transistor 3 is connected to the base of the third transistor 4 and connected via a resistor 7 to the output terminal. The collector of the third. transistor 4 is connected to the base of the output transistor 1 and through a resistor 8 with an output terminal. A capacitor 9 is connected between the base and the collector of the second transistor. The device operates as follows. The value of the emitter current of the additional transistor 3 is chosen much more (10–20 times) of the emitter current of transistor 2. The ratio of these currents is set by the resistance value of resistor 6. At the same time, the negative TKN of the emitter base of transistor 2 is greater (by 10-15%) in absolute -the magnitude of the TKN base-emitter-transistor 3 transition (due to the large emitter current of the latter). As a result, the TKN of the difference of the voltages of these transitions, highlighted on the resistor 6, will be positive. With a high current gain of the transistor 3, the voltage across the resistor 5 is equal to the product of the voltage value and the resistor 6 by the ratio of the resistances of the resistors 5 and 6 and, and the value of the positive TKN on the resistor 5 is determined in a similar way as on the ratio of resistances of resistors 5 and 6 Due to the amplification of the current of transistors 3 and 4, the output voltage of the source is almost equal to the sum of the voltage drop Uj on the resistor 5 and the base-emitter junction Ug of transistor 3 Uftb-x - Uf-% 5. Accordingly, the condition for obtaining the zero TKN source (the output can be written as U -Pe-0, where is the TKN of the base-emitter transition of the transistor 3. Where it follows (since equations (3) and (4) do not include the load current) that the change in load current through the reference element, and consequently, the emitter current of the output transistor 1 does not affect the condition for obtaining the device zero TCN. Capacitor .9 prevents the circuit from self-excitation.