SU1138838A1

SU1138838A1 - Material for temperature-sensitive resistors

Info

Publication number: SU1138838A1
Application number: SU823458039A
Authority: SU
Inventors: Иван Федорович Кононюк; Игорь Олегович Попов; Людмила Андреевна Тихонова; Юрий Алексеевич Гравов
Priority date: 1982-06-18
Filing date: 1982-06-18
Publication date: 1985-02-07

Abstract

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ , содержащий оксид марганца и оксид цинка, отличающи йс тем, что, с целью расширени диапазона температурного коэффициента сопротивлени в области отрицательных значений и повьшени стабильности электрического сопротивлени путем уменьшени коэффициента старени , он дополнительно содержит оксид меди при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид марганца 15-96,6 Оксид цинка 0,7-70 Оксид меди 1,4-46,8MATERIAL FOR THERMAL RESISTANTS, containing manganese oxide and zinc oxide, characterized in that, in order to expand the range of temperature coefficient of resistance in the area of negative values and increase the stability of electrical resistance by reducing the aging factor, it additionally contains copper oxide in the following ratio of components, wt. %: Manganese oxide 15-96.6 Zinc oxide 0.7-70 Copper oxide 1.4-46.8

Description

О9 00 00O9 00 00

ооoo

00 Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовлени терморе зисторов. Известен материал дл терморезисторов , содержащий оксиды марганца и меди 1 . Недостатки терморезистивного мате риала состо т в низкой стабильности электрического сопротивлени за счет высокого коэффициента старени ( 90-100%) и узком диапазоне значений температурного коэффициента сопротив лени (от -2,4 до +3,12%/С при 20°С Наиболее близким техническим решением к изобретению вл етс резистивный материал дл терморезисторов , содержащий оксид марганца-, оксид цинка и оксид кобальта 2. Недостатки известного терморезистивного материала заключаютс в низкой стабильности электрического сопротивлени за счет высокого коэффициента старени (/100%) и узком диапазоне температурного коэффициента сопротивлени (5-8%/ с). Цель изобретени г расширение диапазона температурного коэффициента сопротивлени в области отрицательных значений и повышение стабиль ности электрического сопротивлени путем уменьшени коэффициента старени . Поставленна цель достигаетс те что материал дл терморезисторов, содержащий оксид марганца и оксид цинка, дополнительно содержит оксид меди при следующем соотношении компонентов, мае.%: Оксид марганца 15-96,6 Оксид цинка 0,7-70 Оксид меди 1,4-46,8 8 Дл приготовлени материала используют порошки , и Cu(NO,)тх . SCuO-SHjO марок дл полупроводи ZnO марок ч. или ч.д.а. НИКОВ Смесь порошков предварительно обжигают ПРИ 750-800°С 1-2 ч на воздухе, затем перетирают в агатовой ступке, увлажн ют 10%-ным раствором поливинилового спирта (ПВС) и прессуют заготовки терморезисторов в виде дисков весом 0,6 г, диаметром 10 мм, толщиной 2,3 мм, которые спекают на воздухе в течение 1-2 ч при 10501200 С . Электроды или контакты изготовл ют путем вжигани серебр ной пасты при 800°С в течение 10-15 мин с последующей закалкой (быстрым охлаждением) на воздухе. Составы и свойства материала дл терморезисторов приведены в таблице, в которой: . f 20 удельное электрическое сопротивление при температуре 20°С; cTcip коэффициент старени , определ емый по формуле K,,«p f2o-P20/P2o-I00, , удельное электрическое где р сопротивление при 20°С после вьщержки в течение 100 ч, при 250°С; В - посто нна , определ ема по формуле р АЙВ/Т; d-2Q - температурный коэффициент сопротивлени при 20°С, определ емый из соотношени В/Т2 В/85850. Изобретение позвол ет повысить стабильность электрического сопротивлени и расширить диапазон температурного коэффициента сопротивлени , а таже заменить резистивные материалы , содержащие дефицитный кобальт.00 The invention relates to electronic technology and can be used in the manufacture of thermoresistors. A known material for thermistors containing manganese and copper oxides 1. The disadvantages of the thermal resistance material are the low stability of the electrical resistance due to the high aging coefficient (90-100%) and a narrow range of values of the temperature coefficient of resistance (from -2.4 to + 3.12% / C at 20 ° C). The technical solution to the invention is a resistive material for thermistors, containing manganese oxide, zinc oxide and cobalt oxide 2. The disadvantages of the known thermal resistance material are the low stability of the electrical resistance due to the high aging factor (/ 100%) and a narrow range of temperature coefficient of resistance (5-8% / s). The purpose of the invention is to expand the range of temperature coefficient of resistance in the area of negative values and increase the stability of the electrical resistance by reducing the coefficient of aging. material for thermistors containing manganese oxide and zinc oxide, additionally contains copper oxide in the following ratio of components, wt.%: Manganese oxide 15-96,6 Zinc oxide 0,7-70 Oxide m 1.4 to 46.8 8 for the preparation of the material using powders, and Cu (NO,) tx. SCuO-SHjO grades for semiconducting ZnO grades h or h.a. NIKOV A mixture of powders is prebaked at 750-800 ° C for 1-2 hours in air, then triturated in an agate mortar, moistened with a 10% solution of polyvinyl alcohol (PVA) and pressed blanks of thermistors in the form of discs weighing 0.6 g, diameter 10 mm, 2.3 mm thick, which is sintered in air for 1-2 hours at 10501200 ° C. Electrodes or contacts are made by firing silver paste at 800 ° C for 10-15 minutes, followed by quenching (rapid cooling) in air. The compositions and material properties for thermistors are listed in the table in which:. f 20 electrical resistivity at a temperature of 20 ° C; cTcip is the aging coefficient determined by the formula K ,, “p f2o-P20 / P2o-I00, the specific electrical where p is the resistance at 20 ° C after the charge for 100 h, at 250 ° C; B is a constant defined by the formula pAIV / T; d-2Q is the temperature coefficient of resistance at 20 ° C, determined from the ratio B / T2 B / 85850. The invention makes it possible to increase the stability of the electrical resistance and to extend the range of the temperature coefficient of resistance, and also to replace resistive materials containing scarce cobalt.

5 five

-6,5 -6,5

5640 20 4300 -5,0 2890 -3,4 12 4700 -5,55640 20 4300 -5.0 2890 -3.4 12 4700 -5.5

10ten

,:Продолжение таблицы,,:Table continuation,

at, Zrcat, zrc

Claims

MATERIAL FOR THERMAL RESISTORS, containing manganese oxide and zinc oxide, characterized in that, in order to expand the range of temperature coefficient of resistance in the region of negative values and increase the stability of electrical resistance by reducing the aging coefficient, it additionally contains copper oxide in the following ratio of components, May .%:

Manganese oxide Zinc oxide Copper oxide!