SU1129652A1

SU1129652A1 - Source of rotary magnetic field for bubble storage

Info

Publication number: SU1129652A1
Application number: SU813282528A
Authority: SU
Inventors: Владимир Васильевич Костин; Дмитрий Викторович Цаплин; Николай Леонидович Прохоров
Original assignee: Институт Электронных Управляющих Машин
Priority date: 1981-04-27
Filing date: 1981-04-27
Publication date: 1984-12-15

Abstract

ИСТОЧНИК ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ ДОМЕННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА , содержащий две многовитковые обмотки с взаимно ортогональными витками, прилегающие друг к другу в области их перекрыти без зазора, отличающийс тем, что, с целью снижени потребл емой мощности и повышени быстродействи , многовитковые обмотки выполнены с поперечным сечением в форме пр моугольного меандра, а их витки последовательно охвачены друг другом с зазорами между област ми перекрыти многовитковых обмоток. 1С СО 05 СП tsdSOURCE OF ROTATING MAGNETIC FIELD TO DOMAIN memory comprising two multiturn coil with mutually orthogonal coils adjacent to each other in the region of their overlap without a gap, characterized in that, in order to reduce power consumption and improve performance, multiturn windings formed with a cross section in the form of a rectangular meander, and their turns are successively covered with each other with gaps between the overlapping areas of the multi-turn windings. 1C CO 05 JV tsd

Description

Изобретение относитс к вычи-слительной технике, и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).The invention relates to computing technique and can be used in storage devices on cylindrical magnetic domains (CMD).

Известен источник вращающегос магнитного пол дл доменного запоминающего устройства, выполненный в виде пары плоских удлиненных катущек, со спиралеобразной намоткой, витки которых взаимно ортогональны друг другу в области их перекрыти . В этих област х создаетс вращающеес магнитное поле при подаче соответствующих напр жений питани на выводы катущек 1.A known source of a rotating magnetic field for a domain memory device, made in the form of a pair of flat elongated coils with spiral-shaped winding, the turns of which are mutually orthogonal to each other in the region of their overlap. In these regions, a rotating magnetic field is created when the corresponding supply voltages are applied to the terminals of the coils 1.

Недостаток известного источника - высокое энергопотребление, обусловленное небольщой площадью областей однородного вращающегос магнитного пол по сравнению с общей площадью катущек.A disadvantage of the known source is high power consumption due to the small area of the areas of a uniform rotating magnetic field compared to the total area of the rollers.

Наиболее близким техническим рещением к изобретению вл етс источник вращающегос магнитного пол дл доменного запоминающего устройства, выполненный в виде пары двух сжатых катущек индуктивности (плоских обмоток), вставленных одна в другую, с взаимно ортогональными витками в област х их перекрыти без зазора. В зазоре внутренней катущки индуктивности создают вращающеес магнитное поле путем подачи на выводы катущек индуктивности пилообразных или синусоидальных напр жений, сдвинутых по фазе 2.The closest technical solution to the invention is the source of a rotating magnetic field for a domain memory device, made in the form of a pair of two compressed inductors (flat windings) inserted one inside the other, with mutually orthogonal turns in the areas of their overlap without a gap. In the gap, the internal inductors create a rotating magnetic field by injecting sawnuts or sinusoidal voltages shifted in phase 2 to the leads of the inductors.

Данное устройство характеризуетс также высоким энергопотреблением, обусловленным тем, что зона действи магнитного потока, создаваемого обмотками, используетс частично, особенно в источниках дл многокристалльных доменных микросборок .This device is also characterized by high power consumption, due to the fact that the zone of action of the magnetic flux created by the windings is used in part, especially in sources for multi-crystal domain microassemblies.

Цель изобретени - снижение потребл емой мощности и повышение быстродействи источника вращающегос магнитного пол дл доменного запоминающего устройства.The purpose of the invention is to reduce power consumption and increase the speed of a source of a rotating magnetic field for a domain storage device.

Поставленна цель достигаетс тем, что в источнике вращающегос магнитного пол дл доменного запоминающего устройства , содержащем две многовитковые обмотки с взаимно ортогональными витками, прилегающими друг к другу, в области их перекрыти без зазора, многовитковые обмотки выполнены с поперечным сечением в форме пр моугольного меандра, а их витки последовательно охвачены друг другом с зазорами между област ми перекрыти многовитковых обмоток.The goal is achieved by the fact that in the source of a rotating magnetic field for a domain memory device containing two multi-turn windings with mutually orthogonal coils adjacent to each other, in the region of their overlap without a gap, the multi-turn windings are made with a cross-section in the shape of a rectangular meander, their coils are successively covered with each other with gaps between the overlapping regions of the multi-turn windings.

На чертеже изображена конструкци предложенного устройства.The drawing shows the structure of the proposed device.

Источник вращающегос магнитного пол дл доменного запоминающего устройства содержит две многовитковые обмотки 1, последовательно и поочередно охватывающие основани 2 с доменосодержащимиThe source of the rotating magnetic field for the domain storage device contains two multi-turn windings 1, sequentially and alternately covering the bases 2 with the domain-containing

кристаллами 3. Основани .2 скреплены направл ющими щтыр ми 4.crystals 3. The bases .2 are fastened with guide pins 4.

Обмотки формируют из одного замкнутого и одного разрезного щлейфов изолированного провода, витки которого, прилегающие без зазоров друг к другу, скреплены клеем.The windings are formed from one closed and one split plumes of insulated wire, the turns of which, adjacent to each other without gaps, are sealed with glue.

Вследствие особенностей св зи между обмотками источник имеет нечетное количество областей перекрыти обмоток, т.е. предназначен дл нечетного количества оснований с кристаллами.Due to the nature of the connection between the windings, the source has an odd number of winding overlap areas, i.e. designed for an odd number of bases with crystals.

Источник работает следующим образом .The source works as follows.

При подаче напр жений питани на выводы обмоток в петл х, образованных обмотками , возникает магнитное поле. Так как напр жени питани имеют пилообразную форму и сдвинуты по фазе, то в зазорах между област ми перекрыти обмоток образуетс вращающийс по направлению в горизонтальной плоскости магнитный поток , равный сумме измен ющихс по амплитуде магнитных потоков, создаваемых каждой обмоткой. При этом магнитные потоки, создаваемые в каждой петле, одинаковы по амплитуде, так как создаютс идентичными участками конструкции при одинаковой амплитуде токов питани . Этим создаетс возможность разместить доменосодержащие кристаллы во всей зоне действи магнитного потока в отличие от размещени их в половине зоны действи магнитного потока (как в известном устройстве) и, следовательно, уменьщить общую длину проводов , необходимых дл формировани .магнитного пол в заданной зоне действи .When the supply voltage is applied to the terminals of the windings in the loops formed by the windings, a magnetic field arises. Since the supply voltages are sawtooth and phase shifted, a magnetic flux rotating in the horizontal plane is formed in the gaps between the winding overlap areas, equal to the sum of the amplitudes of the magnetic fluxes generated by each winding. In this case, the magnetic fluxes generated in each loop are the same in amplitude, since they are created by identical parts of the structure with the same amplitude of the supply currents. This creates the possibility of placing domain-containing crystals in the entire area of the magnetic flux, in contrast to placing them in half of the area of the magnetic flux (as in the known device) and, consequently, reduce the total length of the wires needed to form a magnetic field in a given area of action.

Так как магнитное поле создаетс петл ми проводников, а не витками проводников , то индуктивность обмоток меньще, чем индуктивность обмоток известного источника .Since the magnetic field is created by the loop of the conductors, and not by the turns of the conductors, the inductance of the windings is smaller than the inductance of the windings of a known source.

Испытани источника вращающегос магнитного пол дл п ти кристаллов, соединенного последовательно с известным источником дл одного кристалла, обмотки которого были выполнены той же щирины и из проводов того же диаметра, показали, что магнитные пол , создаваемые источниками в зазорах при одном и том же токе питани , одинаковы по амплитуде. Однородность магнитного пол в зонах установки кристаллов в предложенном источнике на 13% больще, чем в известном, что объ сн етс взаимодействием пол в зоне установки кристаллов с пол ми соседних зон, взаимно выпр мл ющих свое направление в област х между обмотками. Удельное энергопотребление , т.е. энергопотребление приход щеес на один кристалл, на меньще, чем в известном устройстве.Testing the source of a rotating magnetic field for five crystals, connected in series with a known source for a single crystal, the windings of which were made of the same width and wires of the same diameter, showed that the magnetic fields created by the sources in the gaps at the same power current are the same in amplitude. The homogeneity of the magnetic field in the installation zones of the crystals in the proposed source is 13% larger than in the known one, which is explained by the interaction of the field in the installation zone of the crystals with the fields of the neighboring zones mutually rectifying their direction in the areas between the windings. Specific energy consumption, i.e. The power consumption per chip is less than that of the known device.

Изменени параметров обмоток предложенного и известного источников (соответственно дл компланарного размещени 3 п ти кристаллов и дл планарного размещени четырех кристаллов), выполненных из проводов одного и того же диаметра, показали , что активное сопротивление каждои из обмоток предложенного устройства, меньше на 4°/о, чем в известном устройстве, а это совпадает t теоретически рассчитанной величиной. Кроме того, индуктивность 1 Ч6 52 Ц каждой из обмоток предложенного устройства меньше на 48/о, чем в известном устройстве (32 мкГн и 60 мкГн соответственно ). Таким образом, изобретение позвол ет существенно уменьшить потребл емую электроэнергню и расширить частотный диапазон работы предлагаемого источника.Changes in the parameters of the windings of the proposed and known sources (respectively, for coplanar placement of 3 and 5 crystals and for planar placement of four crystals) made of wires of the same diameter showed that the resistance of each winding of the proposed device is 4 ° / o less. than in the known device, and this is the same t theoretically calculated value. In addition, the inductance 1 CH6 52 C of each of the windings of the proposed device is 48 / o less than in the known device (32 μH and 60 μH, respectively). Thus, the invention allows to significantly reduce the consumed electric energy and to expand the frequency range of the proposed source.

Claims

A SOURCE OF A ROTATING MAGNETIC FIELD FOR A DOMAIN STORAGE DEVICE, comprising two multi-turn windings with mutually orthogonal turns, adjacent to each other in the area of their overlap without a gap, characterized in that, in order to reduce power consumption and increase speed, multi-turn windings are made with multi-turn windings the shape of a rectangular meander, and their turns are sequentially covered by each other with gaps between the overlapping regions of multi-turn windings.

No. СО о SI ke