Изобветение относитс к вычислительвЫ технике и может быть использовано при проектировании запоминающих устройств на циливдрк еских магнитных доменах {1ЩЦ),например со ступенчатым движением информации или ;с циркул одей информации, Известен канал дл продвижени ЩЩ, содержащей магнитоод оосную Пленку и ферромагнитные аппликации, состо щие из Т-1 элементов, отделенных друп от друга зазорен ; канал управлени двум магнитосв занн1л«1 с апшшкаци ми катушками, скрещенны№1 относительно друг друга под углом . Недостатком известного устройства вл етс повышенное потребление мощности, которое обусловлено наличием потенциального барьера в каждом из зазоров между элементами аппликащй . Величина потенциального барьера в зазоре определ ет минимальное значение напр женности плоского вращающего магнитного пол , при Котором домен будет продвигатьс , и устройства с такой структурой отличаютс повышенньм потреблением мощности. Kpoke того, такие устройства имеют уменьшенную область устойчивой работы (ОУР) вследствие модул ции диаметра домена при его прохождении через зазор.. Помимо этого, структура аппликаций с зазором сложна в изготовлензии необходимости вьдерживать заданные размеры зазоров, меньшие дИаметра домена, а наличие двух катушек .в устройстве усложн ет технологию .сборки и усложн ет конструкцию кристаллодержател дл схем, использующих такие каналы. На йолее близким техническим решением к изо етЁнию вл етс канал дл продвижени ЦЩ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой рас положены ферромапдатные аппликации |1| угольной формы, магнитосв занны с тoкoщ)oвoд щн ffi , причем фер ромагнитные апплтикации расположены параллельно друг даугу, перпе днкул рно токопровод адим вшнам и таким образом, что одна ферромагнйтйа аппликаци в каждой паре расположена под,.а друга над токопровод щей шиной. При пропускании знакопеременных импульсов тока то в первую токопровод щую шин, то в. ближайшую другую токопровод щую шину ферромагнитные аппликации, лежащие над и под токопровод щи№1 шинами, последоватепьно намй гничиваютс планарной составл ющей магнитного пол от тока токопровод щих шин, за счет чего создаетс магнитостатическа ловушка С2 . Недостаток данного канала при использовании его в качестве регистра хранени данных в накопителе ЗУ заключаетс в технической сложности сопр жени его с каналом ввода-вывода из-за необходимости преодолени 1ЩЦ мест соединени токопровод щих шин. Другим недостатком описанного устройства вл етс повышенное потребление мощности. Наибольший градиент хфодвигающегос пол достигаетс , когда ЦМД продвигаетс под суммарным воздействием отталкивающего и прит гивающего полюсов ферромагнитных аппликаций. В описанном канале движение ЦМЯ осуществл етс только под действием прит гивающего полюса ферромагнитной аппликации, что требует увеличени тока в шинах дл обеспечени необходимой величины градиента пр од виг акщег о пол . Кроме того, на кра х микросхем. Содержащих параллельно расположенные описанные каналы дл продвижени ЦМД, возникает Z-компонента . магнитного пол , образованного токопровод щими шинами, что приводит к значительному уменьшению области устойчивой работы в крайних двухтрех каналах. Цель изобретени - упрощение канала при одновременном снижении потребл емой мощности. Поставленна цель достигаетс тем, что.в канале дл продвижени ЩВД, содержащем магнитоодноосную пленку, на которой расположены две группы токопровод щих шин, причем токопровод щие шины первой группы размещены в промежутках между токопровод прми шинами второй группы, и ферромагнитные аппликации, расположенные Над токопровод щими шинами обеих групп и магнитосв занные с источником магнитного пол управлени , оси симметрии ферромагнитных аппликаций расположены вдоль токопровод щих шин, причем смежные ферромагнитные аппликации повернуты относительно друг друга на 180° и гальванически св заны между собой. В предложенном канале дл продвижени 1ЩЦ выполнение и размещение токопровод пщх пин и ферромагнитных аппликаций совместно с указанными св з ми, в том числе с источником . внешнего магнитного пол , обеспечивают формирование магнитостатическо ловушки, имеющ5ей в отличие от прото типа значительно болыиий градиент продвигающего пол , и в предложенно устройстве нет элементов, мень их диаметра ЦОД. . В такомiканале формнровдиие магни тостатических ловушек ) обуслав ливаетс суммарньм воздейстш ем пёр менного тока, подаваемого в шины, и внешнего переменного магнитного пол с заданным сдвигом фазы относительно зшом нутого переменного тока. При этом мел, формируемые в соответствук цих позици х под ферромагнитными аппликаци ми, не существуют там дост то нно, а образуютс в соответствии с изменением намагниченности указанных аппликаирй, т.е. в соответствии с изменени ми тока и пол . Причем дл обеспечени требуемой глубины мел при суммарном воздействии, названных фактотров делаетс возможным уменьшение величины тока управлени мел, формируемых в токовых позици х расположенных в предложенном канале в месте соединени смежных ферромаг нитных аппликаций, обусловленной . взаимодействием встречных токов в смежных шинах. Предложенный канал делает возможньм располсйсение смежных шин на любом требуемом рассто нии , меньшем диаметра ЦМД, которое выбираетс из условий достижени максимальной глубины МСЛ. Так как глубина МСЛ в предложенном канале пропорциональна суммарному воздействию встречных токов, дл формировани МСЛ заданной глубины можно yMeiHb шить величину тока управлени :соответственно в 1,5-2 раза (в зависимос ти от ширины зазора между шинамн) . С помощью предложенного канала возможно осуществить встречно-параллельное движение ЦМД,что достигаетс соответствугадим размещением апшшкаи ий . в двух смежных каналах. На фиг. 1 изображена конструкци предложенного канала; на фиг. 2 диаграмма изменени во времени тока управлени и пол управлени . Канал дл продвижени 1ЩЦ (фиг. 1 содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены две группы токопровод щих шин 2 и 3 и ферромагнитные аппликации 4, разделенные изолируюпшми сло ми- 5. Группа шин 2 соединена встречно-последовательно с группой шин 3, которые в каждой из групп соединены между собой параллельно . Группа встречно-последователь.но соединенных шин 2 и 3 своими зажимами а и Ьподсоединена к истрч нику (не показан) переменного тока I.. Т-образные ферромагнитные аппликации 4 магнитосв заны с источником внешнего переменного пол Н, который показан в виде катушки 6, своими зажимами с f соединенной с источником питани (не показан). Своими ос ми симметрии ферромагнитные аппликации 4 совмещены с продольными ос ми нижележащих шин 2 и 3, повернуты относительно друг друга на 180 и гальванически св загШ между собой.. Вдоль оси продвижени доменов изображены позиции А-Г; занимаемые доменом во-Врем работы предложенного канала дл продвижени ЦМД, и аналогичные позиции А -г дл такого же канала продвижени ЦМД, смежного с первым, (соответственно позиции г дл канала на шевронных 7 :элементах) . Предложенньй канал дл продвижени ЦМД работает следующим образом. Пусть ток положительной пол рности поступает па входы а и Ъ пмн 2и 3. При зтрм в смежных шинах 2 и 3(например, шины перва и втора снизу на фиг. 1) Токи будут направлены встречно, образу суммарное магнитное поле, планарна компонента которого намагничивает участки аппли каций 4 в. позиции А, лежащие под cooтвeтcтвyк ци в пинагда, Под суммарным воздействием намагниченных аппликаций 4 и пол встречных токов в нижележащих шинах 2 и 3 в позиции А образуетс МСЛ требуемой глубины, фиксирующа домен, введенньй в канал известным способом. При этом заданна глубина МСЛ в канале будет обес- . печена током в шинах, имеющим величину в. 2-2,5 раза меньшую по сравнению с устройством-прототипом. Через четверть периода (фиг. 2) сформированное в катушке магнитное поле Н положительной пол рности намагнитит ферромагнитные аппликации 4в позиции Б и обеспечит в ней . j 112 форм1фование МСЛ той же глубины, что и в пози1 ш А в предвдущем периоде. В то же врем в позиции Х суммарное .магнитное поле будет равно 1кулю, и домен легко переместитьс в позицио Б. В следующем такте продвижени под воздействием встречно-направленных токов в другой паре смежных; шин 2 и 3 в позиции В сформируетс МСЛаналогично ее формированию в позиции А, при этом намагниченность ферромагнит ных аппликаций в позиции В стремитс к нулю, и домен переместитьс в позици Г, где МСЛ формируетс аналогично описанной в позиции Б. Таким образом, подача в шины переменного тока и воздействие на канал внешнего переменного магнитного пол с заданным сдвигом относительно переменного тока приводит к продай- , жению ЦМД по первому каналу снизу вверх (позици А-Г). В то же врем в смежном канале, по позици м А-Г ЦВД , будзт продвигатьс во встречном направлении , что позволит образовать петлевой регистр хранени данных. При этом взаимное размещение шин 2,. 3 и ферромагнитных аппликаций 4 позвол ет сформировать МСЛ заданной глубины при величине управл кщего тока в проводинках в 2-2,5 раза меньшей по сравнению с прототипом.The report relates to computing technology and can be used when designing storage devices on city magnetic magnetic domains (1), for example, with stepped information movement or with information circulation. A channel is known for advancing the SCHSCH containing a magnetic axis film and ferromagnetic applications consisting of from T-1 elements that are separated from each other are dirty; The control channel of two magnetized cables "1" with auxiliary coils, crossed with number 1 relative to each other at an angle. A disadvantage of the known device is the increased power consumption, which is caused by the presence of a potential barrier in each of the gaps between the applicator elements. The magnitude of the potential barrier in the gap determines the minimum value of the strength of the plane rotating magnetic field, under which the domain will advance, and devices with such a structure are distinguished by increased power consumption. Kpoke, such devices have a reduced area of stable operation (ESD) due to the modulation of the domain diameter as it passes through the gap. In addition, the structure of the applications with a gap is difficult to make necessary to maintain the specified dimensions of the gaps smaller than the diameter of the domain, and the presence of two coils. the device complicates the assembly technology and complicates the design of the crystal holder for circuits using such channels. A closest technical solution to this is a channel for advancing a CSh, containing a magnetically uniaxial film, on which ferromapdate applications are placed | 1 | coal-shaped, magnetically coupled with current) ffi, whereby ferromagnetic appli cations are parallel to each other, perpendicular to the conductor, and so that one ferromagnetic appli cation in each pair is located under the busbar. When passing alternating current pulses into the first busbar, then c. The nearest other bus bar is ferromagnetic applications lying above and below the busbar 1 busbar, sequentially biased by the planar magnetic field component from the bus bar current, thereby creating a magnetostatic trap C2. The disadvantage of this channel when using it as a data storage register in a storage device is the technical difficulty of mating it with the I / O channel due to the need to overcome the 1st SCB busbar junction points. Another disadvantage of the described device is the increased power consumption. The greatest gradient of the moving field is achieved when the CMD is advanced under the combined effect of the repulsive and pole-attracting ferromagnetic applications. In the described channel, the motion of the CMU is carried out only under the action of a pole-attracting ferromagnetic application, which requires an increase in the current in the tires in order to provide the necessary gradient value of the field. In addition, on the edge of the microcircuits. Containing the channels described in parallel to promote CMD, a Z-component appears. the magnetic field formed by conductive tires, which leads to a significant decrease in the area of stable operation in the extreme two-three channels. The purpose of the invention is to simplify the channel while reducing power consumption. This goal is achieved by the fact that in the channel for promotion of HPV containing a magnetically uniaxial film on which two groups of conducting buses are located, the conducting buses of the first group are placed between the conductors by the right tires of the second group, and ferromagnetic applications located above the conductive tires of both groups and magnetically connected with the source of the magnetic control field, the symmetry axes of the ferromagnetic applications are located along the conductive tires, and the adjacent ferromagnetic applications along Revert to each other by 180 ° and are electrically coupled together. In the proposed channel for the advancement of the SChC, the execution and placement of the conductor of pin pins and ferromagnetic applications together with the indicated connections, including the source. external magnetic field, provide for the formation of magnetostatic traps, having, in contrast to the proto-type, a much larger gradient promoting the field, and in the proposed device there are no elements smaller than their data center diameter. . In such a channel, the forma tion of magnetostatic traps is caused by the total effect of the alternating current supplied to the busbars and the external alternating magnetic field with a predetermined phase shift relative to the measured alternating current. At the same time, the chalk formed in the corresponding positions under ferromagnetic applications does not exist sufficiently, but is formed in accordance with the change in the magnetization of the said applica- tion, i.e. in accordance with changes in current and gender. Moreover, in order to provide the required depth of chalk with the total effect of these factors, it is possible to reduce the amount of control current chalk formed in the current positions located in the proposed channel at the junction of adjacent ferromagnetic applications due. the interaction of oncoming currents in adjacent tires. The proposed channel makes possible the expansion of adjacent tires at any desired distance smaller than the diameter of the CMD, which is selected from the conditions for achieving the maximum depth of the MSL. Since the MSL depth in the proposed channel is proportional to the total effect of counter currents, to form a MSL of a given depth, you can sew the control current yMeiHb: respectively, 1.5-2 times (depending on the width of the gap between the tires). With the help of the proposed channel, it is possible to carry out the counter-parallel movement of the CMD, which is achieved by appropriately placing the apshshkay. in two adjacent channels. FIG. 1 shows the construction of the proposed channel; in fig. 2 is a diagram of the time variation of the control current and control field. The channel for advancing the 1SCT (Fig. 1 contains a magnetically uniaxial film 1, on which there are two groups of conducting busbars 2 and 3 and ferromagnetic applications 4, separated by insulating layers of minus 5). The group of tires 2 is connected in an anti-successive series with a group of tires 3, which in each of the groups are interconnected in parallel. The group of opposing-connected tires 2 and 3 with their terminals a and b is connected to an input circuit (not shown) of an alternating current I .. T-shaped ferromagnetic applications 4 are magnetically coupled to an external AC source H, which is shown in the form of a coil 6, with its clips connected to a power source f (not shown) Ferromagnetic applications 4 are combined with the axes of symmetry of the axes of the underlying tires 2 and 3, rotated relative to each other by 180 and electrically connected each other .. Along the advancement axis of the domains, positions A – G are shown; occupied by the domain during the operation of the proposed channel for promotion of CMD, and similar positions A – g for the same channel of promotion of CMD adjacent to the first one (respectively, position g for the channel on over 7: elements). The proposed channel for advancing CMD operates as follows. Let the current of positive polarity go through the inputs a and b of PMN 2 and 3. At the crush in adjacent buses 2 and 3 (for example, the first and second tires from the bottom in Fig. 1) the currents will be directed oppositely to form a total magnetic field whose planar component magnetizes plots of applications 4 c. positions A, lying under the range of qi in pinagda, Under the combined effect of magnetized applications 4 and the field of counter currents in the underlying tires 2 and 3 in position A, a MSL of the required depth is formed, fixing the domain introduced into the channel in a known manner. In this case, the specified MSL depth in the channel will be depressed. pechen current in tires, having a value of c. 2-2.5 times smaller compared with the device prototype. After a quarter of the period (Fig. 2), the magnetic field H formed in the coil of positive polarity magnetizes the ferromagnetic applications 4 in position B and provides in it. j 112 form the MSL of the same depth as in position 1 in the previous period. At the same time, in position X, the total. Magnetic field will be equal to 1 bar, and the domain can easily be moved to position B. In the next stroke of advancement under the influence of counter-directed currents in another pair of adjacent ones; tires 2 and 3 in position B will be formed MSL similarly to its formation in position A, while the magnetization of ferromagnetic applications in position B tends to zero, and the domain is moved to position G, where the MSL is formed similarly to that described in position B. Thus, feed into tires AC and the impact on the channel of an external alternating magnetic field with a given shift relative to the alternating current leads to the distribution of the CMD on the first channel from the bottom up (position A – H). At the same time, in the adjacent channel, along the A – D positions of the high-pressure cylinder, the buzt will move in the opposite direction, which will make it possible to form a loop register of data storage. At the same time mutual placement of tires 2,. 3 and ferromagnetic applications 4 makes it possible to form an MSL of a given depth with a control current in the conductors 2-2.5 times smaller than the prototype.
А-АAa