SU1109612A1 - Измеритель электрофизических параметров полупроводниковых материалов - Google Patents

Description

1 Изобретение относитс  к контрол но-измерительной технике и может использоватьс  дл  контрол  параметров слоев полупроводниковых структ ф на СВЧ. Известен сверхв 1сокочастотный измеритель дл  измерени  электрофизических параметров полупроводни ковых структур, содержащий СВЧ генератор, подключенный к волновод ному резонатору, с отверстием, к которому прижат исследуемг.й образец l . Недостатком зтого устройства  в л етс  то, что оно имеет сравнит льно большие габарр ты, и сложно в изготовлении. Наиболее близким технически по сущности к изобретению  вл етс  измеритель электрофизических параметров полупроводниковьгх мапериалов , содержащий щелевой излучатель в виде отрезка волновода, сое диненный с СВЧ генератором и индикатором 2 1. Однако известный измеритель эле трофизических параметров полупроводниковых материалов не обеспечивает высокую точность измерени  параметров полупровол,никовь х материалов в виде слоистых структур. изобретени  - повышение то ности измерений параметров полупро водниковых материалов в виде слоис структур. Поставленна  це. достигаетс  т что в измерителе з.тектрофизических параметров полупроводниковых материалов , содержа1цем щелевой соединенный с СВЧ генератором и ИН катором, щелевой излучатель выполн в виде отрезка несимметричной поло ковой линии, в экраiinpyioiueii пласти которой прорезано не ieиee дпух из лучаю1дих 1целеГ1, расположенных друг от друга на рассто нии ,Д/2, при зтом длина каж;( излуч-лющей цели равна а ширина fO, 1-О, 01 ); , где Л - длина п отрезке нес метричной полоскопо) линии. На фиг.1 приведена конструкци  измерител  электрофизических параметров полупроводниковых материало на фиг. 2 - разрез Л-Л на фиг.1; на фиг.З - разрез В-В }ia фиг.1. Iiз epитeль электрофизических па ра метр) о в Г1олупро,чс1;1никовых материа 22 содержит щелевой излучате.пь , соединс нный с СВЧ генератором 2 и индм катором 3, ггри зтом шалевой излучаTejTii 1 ньптолнен в виде отрезка несимметричной нолосковой линии, н экраниру1оо1;ей пластине 4 которой про резано не менее двух излучающи.х щелей 5, расположенных друг от друга на рассто нии , при зтом каждой излучающей щели 5 равна , а ширина (О, 1-0,01) Я, где - длина волны в отрезке несимметричной полосковой линии . Измеритель электрофизических параметров полупроводниковых материалов работает следуюгалм образом. От СВЧ генератора 2, созданного на отрезке несимметричной полосковой линии, энерги  передаетс  непосредственно к присоединенному щелевому излучателю 1. Часть энергии электромагнитного пол - излучаетс  через щелевой излучатель 1 , который обеспечивает оптимальное излучение при длине излучающей щели 5, равной / , и Ш1рине в излучающей щели 5 b (О,1-0,01)Д и рассто нии между d /V2, где Л - длина волHh .i в отрезке несимметричной полосковой .аинии . При наложении контролируемого образца на излучающие щели 5 происходит отражение электромагнитной энергии от контролируемого образца. Отраженна  часть электромагнитной энергии измен ет величину попадающей на индикатор 3 электромагнитной энергии, что регистрируетс  индикатором 3. В зависимости от электрофизических свойств поверхностного сло  контролируемого образца (например, поверхностного сопротивлени  диффузионных полупроводниковых структур), происходит различное отражение электромагнитной энергии от контролируемого образца и индикатор 3 показывает различные значени  тока. Положительный эффект от использовани  предлагаемого изобретени  заключаетс  в существенном упрощении устройства, уменьшении его габаритов и повышении точности измерени  параметров полупроводниковых материалов в виде слоистых структур в три раза. 5 А

фиг.З А.

Claims (1)

1. Т5ТП57) ИЗМЕРИТЕЛЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ.ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий щелевой из лучатель, соединенный с СВЧ генератором и индикатором, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения параметров полупроводниковых материалов в виде слоистых структур, щелевой излучатель выполнен в виде отрезка несимметричной полосковой линии, в экранирующей пластине которой прорезано не менее двух излучающих щелей, расположенных друг от друга на расстоянии Λ /2, при этом длина каждой излучающей щели равна А , а ширина (0,1-0,01)3 , где λ -длина волны в отрезке несим метричной полосковой линии.