Изобретение относитс к электротехнике и предназнаыено дл использовани в установках, питаемых от трехфазной сети переменного тока/ в частности в преобразовательной тех нике. По основному сшт, св. № 955324 известно устройстводл защиты элект роустановок от снижени питающего на пр жени , содержащее диодный выпр ми тель, исполнительный .орган, первый вывод которого подключен к отрицател ному полюсу выпр мител через тиристор , управл ющий электрод которого через резистор соединен с анодом стабилитрона, а также дополнительный стабилитрон, два дополнительных рези тора и р-п-р-транзистор, эмиттер которого соединен с положительным полю сом выпр мител и с катодом стабилитрона , коллектор соединен с вторым выводом исполнительного органа, база подключена через последовательно сое диненные первый дополнительный резис тор и дополнительный стабилитрон к отрицательному полюсу выпр мител , а между эмиттером и базой подключен второй дополнительный резистор Cl. Однако это устройство не реагирует на недопустимые повышени питающего напр жени более, чем на 10% (ГОСТ 18142-72). Целью изобретени вл етс расширение функциональных возможностей устройства путем обеспечени защиты электроустановок от превышени питаю щего напр жени , Поставленна цель достигаетс тем что в устройство дл защиты введены конденсатор, второй дополнительный стабилитрон, дополнительный тиристор третий, четвертый и п тый дополнител ные резисторы, полевой транзистор с каналом р-типа, истоком подключенный к положительному полюсу выпр ми-, тел , стоком - к аноду дополнительно го стабилитрона, а затвор через третий дополнительный резистор подключен к аноду дополнительного тиристора , катод которого подключен к отрицательному полюсу выпр мител , управ л ющий электрод через последовательно сое,циненныр второй дополнительный стабилитрон и четвертый дополнительный резистор соединен с положительны полюсом выпр мител , а между истоком и затвором полевого транзистора с каналом р-типа подключены соединенны параллельно п тый дополнительный ре зистор и конденсатор. На фиг, 1 представлена схема пред лагаемого устройства; на фиг. 2 эпюры напр жений. Устройство содержит диоды 1, 2 и 3, резистор 4, первый дополнительный резистор 5, второй дополнительный резистор б, третий дополнительный ре зистор 7, четвертый дополнительный pejaacTop 8, п тый дополнительный резистор 9, стабилитрон 10, допблнительный стабилитрон 11, второй дополнительный стабилитрон 12, тиристор 13, дополнительный тиристор 14, р-п-ртранзистор 15, полевой транзистор с каналом р-типа 16, конденсатор 17, исполнительный орган 18. На фиг, 2 дл по снени работы устройства показаны следующие эшоры напр жений: 19 - выпр мленные номинальные фазные напр жени ; 20 - выпр мленные фазные напр жени , на 50% првышшсщие ноглинальные; 21 - напр жение на конденсаторе. На диодах 1, 2 и 3 собран трехфазный нулевой выпр митель. При отсутствии нулевого провода выпр митель моможет быть собран по мостовой схеме. Первый вывод исполнительного органа 18 подключен к отрицательному полюсу выпр мител через тиристор 13, управл ющий электрод которого чере последовательно соединенные первый резистор 4 и стабилитрон 10 подключен к положительному полюсу выпр мител . Эмиттер р-п-р-транзистора 15 соединен с положительным полюсом выпр ми тел , коллектор соединен с вторым выводом исполнительного органа 18, база подключена к катоду дополнительного стабилитрона 11, анод которого через первый дополнительный резистор 5 соединен с отрицательным полюсом выпр мител . Между эмиттером и базой, транзистора подключен второй дополнительный резистор б. Полевой транзистор с каналом р-типа истоком подключен к положительному полюсу выпр мител , стоком - к аноду дополнительного стабилитрона 11, а затвор через третий дополнительный резистор 7 подключен к аноду дополнительного тиристора 14, катод которого подключен к отрицательному полюсу выпр мител , управл ющий электрод через последовательно соединенные второй дополнительный резистор 8 .соединен.-С--положительным полюсом выпр мител . Между истоком и затвором полевого транзистора 16 подключены соединенные параллельно п тый дополнительный резистор 9 и конденсатор 17. При снижении питающего напр жени до величины пробо стабилитрона 10 открываетс тиристор 13 и на исполнительный орган 18 подаетс напр жение. Транзистор 15 находитс в насыщенном состо нии, так как напр жение пробо стабилитрона 11 ниже пробо стабилитрона 10, При снижении питающего напр жени на 25% в момент наименьшего мгновенного значени запираетс стабилитрон 11, в тот же момент закрываетс транзистор 15 и тиристор 13, резистор б обеспечивает надежное запирание тиристора 13.The invention relates to electrical engineering and is intended for use in installations powered by a three-phase AC network / in particular in converter technology. On the main STS, sv. No. 955324 is known a device for protecting electrical installations from reducing the supply voltage to a voltage, containing a diode rectifier, an executive organ, the first terminal of which is connected to the negative pole of the rectifier through a thyristor, the control electrode of which is connected through a resistor to the Zener diode anode, as well as additional stabilitron, two additional resistors and pn-transistor, the emitter of which is connected to the positive pole of the rectifier and to the cathode of the zener diode, the collector is connected to the second output of the executive body a, the base is connected via a series-connected first additional resistor and an additional zener diode to the negative pole of the rectifier, and a second additional resistor Cl is connected between the emitter and the base. However, this device does not respond to unacceptable increases in the supply voltage by more than 10% (GOST 18142-72). The aim of the invention is to expand the functionality of the device by providing protection of electrical installations from excess supply voltage. The goal is achieved by introducing a capacitor, a second additional Zener diode, an additional thyristor, a third, fourth and fifth additional resistors, a field-effect transistor with a protection device. a p-type channel connected by a source to the positive pole of the rectifier, tel, by a drain to the anode of the additional zener diode, and the gate through the third additional cut The source is connected to the anode of the additional thyristor, the cathode of which is connected to the negative pole of the rectifier, the control electrode through the series solenoid, the second additional zener diode and the fourth additional resistor are connected to the positive pole of the rectifier, and between the source and gate of the field-effect transistor with the p-channel A type is connected, connected in parallel, a fifth additional resistor and a capacitor. Fig. 1 is a diagram of the proposed device; in fig. 2 stress plots. The device contains diodes 1, 2 and 3, resistor 4, first additional resistor 5, second additional resistor b, third additional resistor 7, fourth additional pejaacTop 8, fifth additional resistor 9, Zener diode 10, additional Zener diode 11, second additional Zener diode 12 , thyristor 13, additional thyristor 14, pnc-transistor 15, field-effect transistor with p-type channel 16, capacitor 17, actuator 18. In Fig. 2, the following voltage level points are shown to explain the operation of the device: 19 - straightened nominal phases e tension; 20 - rectified phase voltages, 50% higher noglinalny; 21 - voltage across a capacitor. A three-phase zero rectifier is assembled on diodes 1, 2 and 3. If there is no neutral wire, the rectifier can be assembled according to the bridge circuit. The first output of the actuator 18 is connected to the negative pole of the rectifier via a thyristor 13, the control electrode of which through the first resistor 4 connected in series and the zener diode 10 is connected to the positive pole of the rectifier. The pnp transistor 15 emitter is connected to the positive pole of the rectified bodies, the collector is connected to the second output of the actuator 18, the base is connected to the cathode of the additional zener diode 11, the anode of which is connected to the negative pole of the rectifier through the first additional resistor 5. Between the emitter and the base, the transistor is connected to the second additional resistor b. A p-type field-effect transistor is connected to the positive pole of the rectifier, a drain to the anode of the additional Zener diode 11, and a gate through the third additional resistor 7 is connected to the anode of the additional thyristor 14, the cathode of which is connected to the negative pole of the rectifier, the control electrode through connected in series the second additional resistor 8. connected.-C - the positive pole of the rectifier. A fifth additional resistor 9 and a capacitor 17 are connected in parallel between the source and the gate of the field-effect transistor 16. When the supply voltage drops to the level of the zener diode 10, the thyristor 13 opens and the actuator 18 is energized. The transistor 15 is in a saturated state, since the breakdown voltage of Zener diode 11 is lower than the breakdown of Zener diode 10. When the supply voltage is reduced by 25% at the time of the smallest instantaneous value, Zener diode 11 closes, at the same time transistor 15 and thyristor 13 close, resistor B provides reliable locking of the thyristor 13.
При превышении питающим фазным напр жением величины пробо второго дополнительного стабилитрона 12 (, ) открываетс дополнительный тиристор 14, при этом через низкоомный третий дополнительный резистор 7 зар жаетс конденсатор 17 до напр жени выше отсечки полевого транзистора 16, Полевой транзистор 16 открываетс и вызывает закрывание р-п-р-транзистора 15. Исполнительный орган 18 обесточиваетс и производит защитное воздействие. После зар да конденсатора 17«дополнительный тиристор 14 закрываетс . Посто нна времени разр да конденсатора 17 выбираетс таким образом, чтобы напр жение на нем снижалось, до величины отсечки полевого т1ранзистора 16, более чем за период питгиощей сети. Во вреУ1 следующего пульса фазного напр жени оп ть открываетс дополнительный тиристор 14 и дозар жаетс конденсатор 17, При восстановлении питающего напр жени ниже величины, при которой пробиваетс второй дополнительный стабилитрон 12, исполнительный орган 18 вновь получает питание.When the supply voltage of the supply voltage exceeds the second additional Zener diode 12 (,), an additional thyristor 14 opens, and the capacitor 17 is charged through the low-third third additional resistor 7 to a voltage above the cut-off of the field-effect transistor 16, the field-effect transistor 16 opens and causes the closing p- p-transistor 15. The executive body 18 is de-energized and produces a protective effect. After charging the capacitor 17, the additional thyristor 14 is closed. The constant discharge time of the capacitor 17 is chosen in such a way that the voltage across it decreases to the cut-off value of the field transistor 16, more than during the power supply network period. At the time of the next phase voltage pulse, the additional thyristor 14 opens again and the capacitor 17 is recharged. When the supply voltage is restored below the value at which the second additional Zener diode 12 is punched, the actuator 18 again receives power.
Предлагаемое изобретение позвол ет расширить функциональные возможности , обеспечива защиту от превышени питающего напр жени , что позвол ет улучшить защиту электроустановок от изменени питающего напр жени .The present invention allows for enhanced functionality, providing protection against overvoltage, which improves electrical installation protection against changes in the supply voltage.
//
2121
//
7 УТ -У77 UT-U7