SU1091783A1 - Биполярный транзистор - Google Patents

Abstract

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возможностей, в структуре выполнен паз, дно которого расположено в области коллектора, а области эмиттера и базы ограничены одной из стенок паза, на стенках паза сформированы слой диэлектрика и электрод, причем последний является полевым по отношению к области коллектора.