Изобретение относитс к приборостроению , в частности к способу изготовлени электростатической записы вающей головки, котора может быть использована в различного рода регистрирующих устройствах. Как и при любом виде записи инфор мации на любой носитель в тех случа х , когда записываема информаци не должна лодвергатьс визуальному наблюдению и анализу, повышение плотное ти записи вл етс первостепенной задачей. Плотность же записи находит с в пр мой зависимости от плотности расположени пии1ущих элементов, в частности электродов электростатичес них головок. До недавнего времени наибольшую разрешающую способность позвол л получать метод печатного монтажа, т.е. когда на непровод щую основу нанос тс проводники 1. Однако и такие электростатические головки имеют предел плотности рас положени проводников, так как сами проводники могут иметь конечную толщину и ширину 1, меньше которой наступает саморазрушение электродов. Т.е. при всех своих положительных ка чествах электростатические головки, {Выполненные на базе печатного монтажа , не обладают той разрешающей способностью по плотности записи информации , котора требуетс современной технике регистрации данных. Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ изготовлени электро статической записывающей головки, включающий формирование изолированных токоведущих шин, записывающих электродов и токоограничивающих элементов С23, Однако несмотр на то, что при та ком способе формирование шин, элект .родов и токоограничивающих элементов производитс отдельно, что позвол ет повысить точность каждого из пере численных, при сборке головки разброс электродов оказываетс относительно большим и тогда плотность записи информации существенно снижаетс . Целью изобретени вл етс noBtdшение плотности записи информации. Поставленна цель достигаетс тем что при реализации способа изготовле ни электростатической записывающей головки, включающего в себ формиров ние изолированных токоведуисих шин, записывающих электродов и токоограничивающих элементов, эти элементы и записывающие электроды формируют в едином полупроводниковом кристалле, локально оплавл емом электроннолучевым излучением при ускор ющем напр жении 50 - 60 кВ, токе 100 - 110 мкА и воздействии луча в течение 0,3 0 ,5 с с введением при этом в расплав легирующей примеси. На фиг. 1 показан момент формировани токопровод щих шин; на фиг.2 введение легирующей примеси; на фиг, 3 - момент получени локально оплавленных областей. Токопровод щие шины 1 изолируютс слоем окисла 2 от общей полупроводниковой пластины 3, представл ющей собой единый полупроводниковый кристалл . По окончании формировани шин вновь формируетс окисел, но уже в виде сло 4, после чего в вакууме наноситс слой 5 легирующей примеси . Слой 4 можно получать методом термического окислени такого полупроводникового материала, как кремний , Толщина этого сло выбираетс в пределах 1,0 - 1,5 мкм. Толщина сло 5 выбираетс в пределах 0,3 0 ,5 мкм. После нанесени легирующей примеси на такую сборку воздействуют острофокусированным ( с диаметром до 10 мкмj электронным лучем, а именно, на места расположени шин 1. Характеристика луча такова: ускор ющее напр жение 50 - 60 кВ, ток луча 100 110 мкА, врем воздействи луча на выбранные участки 0,3 - 0,5 с. В результате на кристалле 3 образуютс локально оплавл емые области 6, где легирующа примесь позвол ет получать, например, Р-п переходы (при кремниевом кристалле), представл ющие собой токоограничивающие элементы 7. Диаметр оплавленной зоны составл ет 7--1Q мкм, высота вершин 8, представл ющих собой записывающие электроды, до 3 мкм, а рассто ние меж,цу вершинами соседних зон 30 - 40 мкм. Легко видеть, что посредством такой головки оказываетс возможным повысить плотность записи информации в несколько раз. Повышение плотности записи помимо экономии носител записи позвол ет сократить врем эксплуатации записывающей аппаратуры на единицу информации что снижает энергозатраты.The invention relates to instrumentation, in particular, to a method for producing an electrostatic recording head, which can be used in various kinds of recording devices. As with any type of recording information on any medium in cases where the recording information should not be subject to visual observation and analysis, increasing the dense recording is of paramount importance. The recording density, however, is found in direct dependence on the density of the arrangement of the transmitting elements, in particular, electrodes of electrostatic heads. Until recently, the highest resolution allowed us to obtain the method of printed wiring, i.e. when conductors 1 are deposited on a non-conductive base. However, even such electrostatic heads have a limit on the density of conductors, since the conductors themselves may have a finite thickness and width 1, less than which self-destruction of the electrodes occurs. Those. for all their positive qualities, electrostatic heads {made on the basis of printed wiring, do not have the resolution on the density of information recording, which is required by the modern data recording technique. The closest to the present invention is a method of manufacturing an electrostatic recording head, including the formation of insulated busbars, recording electrodes and current-limiting elements C23, However, despite the fact that with this method, the formation of busbars, electrodes and current-limiting elements is produced separately, which allows There is no need to improve the accuracy of each of these, when the head is assembled, the spread of the electrodes is relatively large and then the information recording density significantly is. The aim of the invention is to noBtd a decrease in information recording density. This goal is achieved by the fact that when implementing a method for manufacturing an electrostatic recording head that includes the formation of insulated busbars, recording electrodes and current-limiting elements, these elements and recording electrodes form in a single semiconductor crystal locally melted by electron beam radiation at accelerated voltage 50 - 60 kV, a current of 100 - 110 μA and exposure to the beam for 0.3-0.5 s with the introduction of a dopant into the melt. FIG. 1 shows the time at which busbars are formed; in figure 2 the introduction of the dopant; FIG. 3 shows the moment of obtaining locally melted areas. Conductive busbars 1 are insulated with a layer of oxide 2 from a common semiconductor wafer 3, which is a single semiconductor crystal. At the end of tire formation, the oxide is formed again, but already in the form of layer 4, after which a layer of 5 dopant is applied in vacuum. Layer 4 can be obtained by thermal oxidation of a semiconductor material such as silicon. The thickness of this layer is chosen in the range of 1.0-1.5 microns. The thickness of the layer 5 is chosen in the range of 0.3 to 5 microns. After applying a dopant to such an assembly, an optically focused (with a diameter of up to 10 µm j electron beam, namely, the location of the tires 1) is affected. The beam characteristic is as follows: accelerating voltage 50–60 kV, beam current 100–110 µA, beam exposure time selected areas of 0.3-0.5 s. As a result, locally fused regions 6 are formed on crystal 3, where the doping impurity allows to obtain, for example, Pn junctions (with a silicon crystal), which are current-limiting elements 7. The diameter melted zone of composition It is 7–1.0 µm, the height of the vertices 8, which are recording electrodes, is up to 3 µm, and the distance between the peaks of the neighboring zones is 30–40 µm. It is easy to see that with such a head it is possible to increase the information recording density in several times. Increasing the recording density, in addition to saving the recording media, reduces the operating time of recording equipment per unit of information, which reduces energy consumption.