SU1089051A1 - Способ получени фотоэлектрически чувствительного материала - Google Patents

Abstract

I. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА , включающий нанесение на подложку сло  оксида свинца (П) с последующим обжигом в атмосфере кислорода, отлнч ающийс  тем, что, с цепью улучшени  фотодиэлектрических характеристик материала, на слой оксида свинца (П) дополнительно нанос т слой смеси сурика с 5-15 мас.% полимерного св зующего и высушивают. 2. Способ по п. I, отличающийс  тем, что высушивание ведут при 80-120°С. О) с:

Description

00

со Изобретение относитс  к способу получени  фотоэлектрически чувствительного материала и может быть использовано в производстве оптического стекла (флинтгласса), в лакокраСОЧНОМпроизводстве дл  создани  антикоррозийных покрытий, в электротехнической промышленности. Известен способ получени  фотоэлектрически чувствительного материала , заключающийс  в окислительном обжиге пленок оксида свинца (П) при 475-485°С Г1. Недостатком данного способа  вл етс  то, что получаемые слои имеют нестабильные фотодиэлектрические параметры , низкие значени  фотоемкости и высокие величины диэлектрических потерь. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому  вл етс  способ получени  фотоэлектрически чувствительного материала, включающий нанесение на подложку сло  оксида свинца (11) с последующим нагревом и обжигом в атмосфере кислорода при 475-48S°C со скоростью подъема температуры friHH, начина  с 95-105°С 2J, Недостатком способа  вл етс  то, что получают материал с нестабильными диэлектрическими параметрами, низкими значени ми диэлектрической проницаемости cf (. 4 , 6-2 ) и фотоемкости (тe нoвoe значение емкости С составл ет 10-130 пФ) и высокими величинами тангенса диэлектрических потерь (0,061-0,12). Цель изобретени  - улучшение фотодиэлектрических характеристик материала . Поставленна  цель достигаетс  способом , включающим нанесение на подложку сло  оксида свинца (П) с после дующим обжигом в атмосфере кислород и нанесение сло  смеси сурика с 515 мас,% полимерного св зующего с по следующим высущиванием при 80-120 С, При содержании в смеси полимерног св зующего в количестве менее 5% и более 15% не имеет места повьш1ение диэлектрической проницаемости и сни жение тангенса диэлектрических потер причем указанные характеристики мате риала  вл етс  нестабильными, При температуре высушивани  ниже 80 С резко возрастает продолжительность процесса, а увеличение темпе108 12 ратуры выше 120°С приводит к потере св зующим пластических свойств. Пример 1, Берут 200 мг порошкообразного химически чистого оксида свинца (II) и засыпают в платиновую лодочку испарител  вакуумной установки дл  напьшени . При вакууме рт,ст, прогревают подложку в течение 1 ч при . Затем в подколпачное устройство ввод т кислород до давлени  5-10 мм рт,ст. При заданном давлении кислорода расплавл ют оксид свинца (II) и производ т напьшение его на установленную на рассто нии 50 мм от испарител  подложку. Полученный слой оксида свинца (II) обжигают н муфельной печи или в атмосфере кислорода при 100-480с со скоростью Ю С/мин. При соблюдении этих условий на подложке получают слой сурика толщиной 10 мкм. Затем порошок химически чистого сурика измельчают и прокаливают дл  вьтаривани  из него влаги при 350400°С в течение 45-60 мин и засыпают в стекл нньш стакан с органическим св зующим - полибутилметакрилатом в соотношении, мас,%: Порошок Полибутилметакрилат15 В стакан помещают несколько агатовых или стекл нных шариков (применение дл  этой цели металлических щариков исключено во избежание попадани  металлических включений в слой), закрывают герметично стекл нной крыщкой , размещают его на центрифуге так, чтобы ось вращени  совпадала с осью симметрии стакана и вращают его со скоростью 40 об/мин в течение 3 ч. После диспергировани  образовавшуюс  смесь сурика с полимерным св зующим нанос т с помощью пульверизатора на полученный слой сурика толщиной 10 мкм до достижени  общей толщины структуры 50 мкм. Полученнуго структуру высушивают пои ВО С в течение 5 ч, Фотодиэлектрические характеристики материала при этом следующие: диэлектрическа  про}пщаемость составл ет 29,5, тангенс диэлектрических потерь tgcA 2-10, темновое значение емкости CQ 250 пФ, фотоемкость при освещении белым светом 10 лк Сф 320 пФ, Отклонени  от значений перечисленных фотодиэлектрических характеристик материала после хранени  в течение „ ;2 мес. на воздухе по сравнению с чальными не превышают 2-3%. Пример 2. Услови  получени  и обжига сло  оксида свинца (II) дл  образовани  сло  сурика такие же, как и в примере I. При загрузке шихты весом 500 мг получаемый слой сурика имеет толщину 40 мкм. Смесь сурика и полимерного св зующего получают, как в примере 1. Соотношение порошка сурика и свйзз ощег составл ет, мас.%: Порошок PfjO .90 Сополимер стирола с дивинилом10 Толщину структуры довод т после полива до 70 мкм и провод т сушку в течение 4 ч. Фотодиэлектрические характеристики 20 материала при .этом следующие: 32, tgd 540--, Сд 270 пФ, Сф 372 пФ. После хранени  в течение 2 мес.на воздухе фотодиэлектрические

характеристики материала по сравнению с их начальными значени ми практически остаютс  неизмененными.

Пример 3. Услови  полз ени  и обжига сло  оксида свинца (II) дл  10 на25 значительно уменьшить диэлектрические потери, а также увеличить диэлектрическую проницаемость и фотоемкость фотоэлектрически чувствительного материала . . 1 образовани  сло  сурика такие же, как в примере 1-. При загрузке шихты весом 900 мг получаемый слой сурика имеет толщину 60 мкм. Смесь сурика и полимерного св зующего получают, как в примере I. Соотношение порошка сурика и св зующего составл ет, мас.%: Порошок Кремнийорганический лак КО-8155 Толщину структуры довод т после полива до 90 мкм и провод т сушку при 120°С в течение 3 ч. Фотодиэлектрические характеристики материала при этом следующие; , . е 30, tp сГ , с 260 пФ, Сф 360 пФ и после хранени  на воздухе в течение 2 мес,разброс значений указанных характеристик не превьш1ает 3%. Таким образом, предложенный способ позвол ет повысить стабильность фотодиэлектрических характеристик,

Claims (2)

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА, включающий нанесение на подложку слоя оксида свинца (П) с последующим обжигом в атмосфере кислорода, отлнч ающийся тем, что, с целью улучшения фотодиэлектрических характеристик материала, на слой оксида свинца (П) дополнительно наносят слой смеси сурика с 5-15 мас.% полимерного связующего и высушивают.

2. Способ поп. I, отличающийся тем, что высушивание ведут при 80-120°С.

о

SU „„1089051