Р ХЖХХКХХЮ ХКХХ1 Х 1ХХХХХ Ф Х Ф( ////////////////////////////////
// ////////////////////////////// W99
/////////// / / / //7///////////////
Фиг.1
11
3-jz 1:;()и)етсние относитс к измерительной гсхинке и может быть использовано, в частности , li качестве первичного преобразовате .1 в автоматизированных системах мераз} )уп1аюш,его контрол качества неметаллических материалов. Известно устройство д.л имерени параметров неметаллических материалов, например ди.чектрической проницаемости, тан|-епса угла потерь и других в котором контролпр .(-мый материа.1 помещаетс между обкладками измерительного конденсатора, иклк)че1П1()го в различные измерительные цепи 1. Однако известное устройство обладает погрешностью измерений. Ыаиболее близки.м техническим решением к изобретению вл етс устройство, содержащее генератор пилообразного напр жени , счетчик имнульсов и измерительный конденсатор с обкладками 2. Однако наличие аналого-цифрового преобразовател и перечисленных электронных блоков усложн ет конструкцию устройства, снижает его надежность. Целью изобретени вл етс упрощение конструкции и повышение его надежности. Цель достигаетс тем, что в устройстве дл измерени диэлектрических параметров материалов, содержащем генератор пилообразного напр жени , счетчик имнульсов и измерительный конденсатор, обкладки конденсатора выполнены трапецеидальными, па одну из которых последовательно нанесены перва изол ционна пленка, втора изол ционна пленка, снабженна токосъемными зондами, контактирующими с ферромагнитной пленкой и соединенными между собой напыленными проводника.ми, расположенными вдоль оси симметрии обкладок. Фе|)р()магнит}1а пленка выполнена из материала с 11р моуго.1ьпой петлей гистерезиса (ИНГ), причем ось легкого намагничивани if..ieiiKH перпепдикул рна оси симметрии обкладок, а токосъе.мные зонды расположеп вдоль оси сим.метрии обкладок. На фиг. 1 схематически изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - то же, вид сверху. На верхнюю токопровод щую обкладку 1 измерительного конденсатора нанесены плепкп; изол ционна 2, ферромагнитна 3 и изол ционна 4 с отверсти ми под токосъе .мные зонды 5 и напыленными проводниками 6. Напр жение переменного тока подводитс к входным клеммам 7 и 8, а напыленные проводники подсоединены к выводам 9 и 10. Устройство работает следующим образом. Контролируемый материал 11, например диэлектрическа пленка, помещаетс между обкладками измерительного конденсатора. При подаче напр жени к клеммам 7 и 8, между обкладками 1, образующими измерительный конденсат, протекает ток, величина 10 2 которого зависит от емкостного сопротивлени , вл ющегос функцией параметров контролируемого материала: его толщины, диэлектрической проницаемости, влажности. Нротекание тока по обк.тадкам приводит к по влению магнитного нол , напр женность которого HBH должна превын1ать величину коэрцитивной силы HC ферромагнитной пленки 3 дл образовани в пей управл емой подвижной доменной стенки. Неременна плотность тока по сечению обкладок сопровождаетс по влением градиента напр женности grad Н, направленного вдоль оси симметрии обкладок и обеспечивающего управл емое движение границы. Движение стенки осуществл етс до тех пор, пока HC . При пересечении подвижной доменной стенкой токосъемных зондов в них по вл ютс электрические импульсы, пол рность которых зависит от направлени перемагничивани , а число определ етс нлощадью перемагниченного участка пленки и дискретностью зондов. При изменении характеристик контролируемого материала (диэлектрической проницае .мости, толщины пленки, влажности) и посто нной амплитуде подаваемого напр жени измен етс площадь перемагниченпого участка, а с„тедовательно, и количество и.мпульсов, снимаемых с выводов 9 и 10. Таким образом, по количеству импульсов можно судить о свойствах контролируе.мого материала. При непрерывнном перемещении контролируемого материала (пленки) между обкладками измерительного конденсатора снимаемые импульсы с выводов 9 и 10 целесообразно передавать в микропроцессоры или ЭЦВМ дл дальнейщей обработки или в соответствующий цифровой индикатор. Трапецеидальное выполнение обкладок конденсатора необходимо дл создани градиента пол , обеспечивающего управл емое движение подвижной стенки в пленке. Существенность последовательности нанесени слоев; 1-й слой необходим дл изол ции токопровод щего основани обкладки конденсатора от 2-го ферромагнитного сло , а 3-й - дл изол ции токосъе.мных проводников и ферромагнитной пленки. Толщина изол ционных слоев выбрана в пределах 0,084 - 0,1 .мкм, при этих значени х исключаетс веро тность пробо . Толщина ферромагнитной пленки выбрана, исход из услови посто нства коэрцитивной силы пленки при незначительном технологическо.м разбросе толщин (Г 0,13-0,3 мкм. В этом интервале Н, const. Предлагаемое устройство обладает по сравнению с базовы.м выходным сигнало.м в виде число-импульсного кода, что позвол ет сопр гать его с цифровыми вычислительНЫМ .И машинами, мину промежуточные устройства . Это может Оыть полезным при использовании устройства в виде первичного преобразовател в автоматизированных системах неразрушаемого контрол качества неметаллических материалов и позвол ет
ускорить нропесс коптро.ч , ii() oiii качество. Кроме того, прел.пагаемое xorpoiiство имеет простую надежную конструкцию технологично, отличаетс невысокой себестоимостью .