SU1081605A1 - Устройство дл локального облучени - Google Patents

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛОКАЛЬНОГО ОБЛУЧЕНИЯ, содержащее прот женный источник излучени  и концентрирующий отражатель, включающий эллиптические участки, в общем фокусе которых расположен излучатель, отличающеес  тем, что, с целью повышени  концентрации энергии в центре зоны облучени , профиль отражател  выполнен из п участков, по меньшей мере два из которых имеют форму поверхности , характеризующуюс  выражением дл  первого участка jrt0-f -L/2 y xt§fm Wa || -ttf|(), гдех.у -координаты точки профил ; L -длина прот женного источника из лучени ; Н -рассто ние от центра источника излучени  до центра зоны облучени ; У -угол излучени  источника, при котором его  ркость максимальна, и дл  второго участка -3ft$f -% &y -xt0-f +L/2 дл  (агс10| 5Г- р„), х vl при этом граничные услови  у (Л о X - Хо соответствуют координатам начальной точки профил  соответствующего участка , а остальные участки отражател   вл ютс  сопр женными с ними элементами эллипсов . 00 С5 о ел

Description

Изобретение относитс  к оптике, в частности к концентраторам лучистой энергии. Известен концентратор лучистой энергии , содержащий криволинейный отражатель и линейный источник цилиндрической волны.Этот концентратор выполнен в виде двух вырезок из параболических цилиндров с совмещенными фокальными плоскост ми и параллельными фокальными ос ми. Излучательна  лента расположена вдоль фокальной оси одного из параболических цилиндрических цилиндров 1. Данное устройство рассчитано на работу в том случае, когда линейный источник расположен вдоль фокальной оси. Известно также устройство дл  локального облучени , содержащее прот женный источник излучени  и концентрирующий отражатель, включающий эллиптические участки 2. При использовании спиралевидного источника концентраций от накала такого источника неравномерна по различным направлени м , что приводит к потер м концентрируемой энергии. Целью изобретени   вл етс  повыщение концентрации энергии в центре зоны облучени . Указанна  цель достигаетс  тем, что в устройстве дл  локального облучени , содержащем прот женный источник излучени  и концентрирующий отражатель, включающий эллиптические участки, в общем фокусе которых расположен излучатель, профиль отражатель выполнен из п участков, по меньщей мере два из которых имеют форму поверхности, характеризующуюс  выражением дл  первого участка X t$ р - L/г У4 X t0 V -н L/г дл  g t$|(arct$ -b «.). где X,Y координаты точки профил ; L - длина прот женного источника излучени ; Н - рассто ние от Центра источника излучени  до центра зоны облучени ; т - угол излучени  источника, при котором его  ркость максимальна , и дл  второго участка -xto --L/z«Y -xt$ +L/z дл  ; -t5|-(arct0.C-Yj, ГГ -г VL - Т . (2) при этом граничные услови  Y Y5 соответствуют координатам начальной точки профил  соответствующего участка, а остальные участки отражател   вл ютс  сопр женными с ними элементами эллипсов . По своей форме отражатель может быть осесимметричным или цилиндрическим. На фиг. 1 изображен профиль отражател  предлагаемого устройства с членением по щести участкам; на фиг. 2 - экспериментально полученна  индикатриса излучени  источника со спиралевидным телом накала. Устройство дл  локального облучени  содержит прот женный источник 1 излучени  с центром в точке О| и концентрирующий отражатель 2. Профиль отражател  построен с учетом угловой неравномерности  ркости источника излучени  таким образом , чтобы от каждой точки отражател  в центр зоны облучени  точки О, падали лучи , имеющие максимально возможную интенсивность , и в общем случае состоит из щести последовательно сочлененных участков . Участки профил  ВС (II) и Е (V) направл ют в центр зоны облучени  точки Oj лучи 3 и 4, выход щие из источника 1 под углами15( УГОЛ между осью прот женного источника и направлением излучени , при котором  ркость источника максимальна ) и имеющие наибольщую интенсивность . Участок АВ(1) направл ет в центр зоны облучени  точки Ог лучи, выход щие из точки М источника (фиг. 2) под углами , меньщими, 4eMfn, () и имеющие интенсивность, близкую к наибольщей (фиг. 1). Участок СД(111) направл ет в центр зоны облучени  точки О лучи,выход щие из точки N источника под углами. больщими, чемТ. В точке D профил , имеющей координату У, совпадающую с координатой у центра источника излучени  (точка Oi ) целесообразен, переход к новому участку профил  fiE (IV ). В этой точке fi Yj(paBHbi углы излучени  участков CD и DE), участок DE(IV) направл ет в точку Oj лучи, выход щие из точки М источника под углами OTfj доУт, а в точке D на профиле по вл етс  характерный излом . Построение .участка FG (VI) аналогично построению участка АВ(1), при этом угол излучени  задаетс . Участки профил  АВ(1), CD(III), DE(IV) и FG(VI)  вл ютс  элементами эллипсов, каждый из которых сопр жен с одним из участков, направл ющих в центр зоны облучени  лучи наибольщей интенсивности (АВ и CD сопр жен с участком ВС, DE и FG сопр жены, с участком EF), и имеет один фокус в центре зоны облучени  точки Oj, а второй фокус - на том конце прот женного источника излучени , который соответствует сопр жению . Так, дл  участков АВ и DE второй фокус располагаетс  в точке М, дл  участков CD и FG - в точках, где точки М и N - концы прот женного источника излучени . На фиг. 1 показан профиль отражател , имеющего щесть участков. Однако в частном случае, в зависимости от величины уг

Claims (1)

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛОКАЛЬНОГО ОБЛУЧЕНИЯ, содержащее протяженный источник излучения и концентрирующий отражатель, включающий эллиптические участки, в общем фокусе которых расположен излучатель, отличающееся тем, что, с целью повышения концентрации энергии в центре зоны облучения, профиль отражателя выполнен из η участков, по меньшей мере два из которых имеют форму по верхности, характеризующуюся выражением для первого участка + ДЛЯу>0;

   + fm), гдех.у -координаты точки профиля;

   L —длина протяженного источника из лучения;

   Н -расстояние от центра источника излучения до центра зоны облучения;

   -угол излучения источника, при котором его яркость максимальна, и для второго участка для у<0;

   ~ J· * ίί- Ψη,), при этом граничные условия у = у* ; х — х* соответствуют координатам начальной точки профиля соответствующего участка, а остальные участки отражателя являются сопряженными с ними элементами эллипсов.

   » SU .„,1081605