SU1070205A1 - Solution for depositing rhenium coatings - Google Patents
Solution for depositing rhenium coatings Download PDFInfo
- Publication number
- SU1070205A1 SU1070205A1 SU823433822A SU3433822A SU1070205A1 SU 1070205 A1 SU1070205 A1 SU 1070205A1 SU 823433822 A SU823433822 A SU 823433822A SU 3433822 A SU3433822 A SU 3433822A SU 1070205 A1 SU1070205 A1 SU 1070205A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- solution
- coatings
- ammonium perrhenate
- rhenium
- coating
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
РАСТВОР ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ РЕНИЕВЫХ ПОКРЫТИЯ, содержащий перренат аммони , отличаю.щивс тем, что, с целью обеспечени прочного сцез лени покрытий с кремниевой основой,, он дополнительно содержит едкий натр при следующем соотношении компонентов, г/л: Перренат аммони 20-30 .Едкий натр15-20SOLUTION FOR DEPOSITION OF RENIUM COATINGS, containing ammonium perrhenate, differs in that, in order to ensure durable stenosis of silicon-based coatings, it additionally contains caustic soda in the following ratio of components, g / l: Ammonium Perrhenate 20-30. natr15-20
Description
Изобретение относитс к н анесени металлических покрытий на неметаллические материалы, в частности рениевых покрытий на кремний.The invention relates to the removal of metallic coatings on nonmetallic materials, in particular rhenium coatings on silicon.
Известен раствор дл электролитического осаждени рени , содержащий перренат аммони , плавиковую кислоту и едкий натр 111 .A known solution for the electrolytic precipitation of rhenium containing ammonium perrhenate, hydrofluoric acid, and caustic soda 111.
Однако наводораживание получаемого осадка приводит к его разрыхлению и не дает возможности получать покрыти на кремнии.However, hydrogenation of the resulting precipitate leads to its loosening and makes it impossible to obtain coatings on silicon.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату вл етс раствор дл осаждени рениевых покрытий, содержащий перренат аммони и формальдегидсульфоксипат в качестве восстановител , в котором рН поддерживают равным 2,5-4,5 путем добавлени кислоты 21.Closest to the proposed technical essence and the achieved result is a solution for the deposition of rhenium coatings containing ammonium perrhenate and formaldehyde sulfoxypate as a reducing agent, in which the pH is maintained equal to 2.5-4.5 by adding acid 21.
Однако известный раствор не позвол ет получать на кремнии прочно сцепленные покрыти .However, the known solution does not allow to obtain firmly adhered coatings on silicon.
Цель изобретени - обеспечение прочного сцеплени покрытий с кремниевой основой.The purpose of the invention is to provide a strong adhesion of coatings to a silicon base.
Поставленна цель достигаетс тем, что раствор дл осаждени рениевых покрытий, содержащий перренат аммони , дополнительно содержит едкий натр при следующем соотношении компонентов, г/л:This goal is achieved by the fact that the solution for the deposition of rhenium coatings containing ammonium perrhenate, additionally contains caustic soda in the following ratio of components, g / l:
Перренат аммони 20-30Ammonium perrhenate 20-30
Едкий натр15-20Caustic soda 15-20
Процесс получени рениевых покрытий сэсуществл ют путем погружени в него подложки и выдержки в течение определенного времени при рН 11,812 ,5 и температуре 90-100 С.The process of obtaining rhenium coatings is carried out by immersing the substrate in it and holding it for a certain time at a pH of 11.812.5 and a temperature of 90-100 ° C.
Предлагаемый раствор позвол ет получать на кремнии покрыти толщи/ной 500-700 А, которые могут исполь зоватьс как барьерные слои и предотвращают пробой р-н перехода.The proposed solution allows to obtain coatings of a thickness of 500-700 A on silicon, which can be used as barrier layers and prevent breakdown of the transition.
Раствор готов т путем растворени перрената аммони в воде и добавлени в раствор необходимого количества едкого натра. Приготовленный раствор необходимо хранить в полиэтиленовой или фторопластовой таре. Увеличение концентрации перрената аммони в растворе выше 30 г/л, а также снижение его концентрации менее 20 г/л приводит к снижению адгезии рениевого покрыти . При концентрации перрената аммони менее 10 г/л процесс осаждени рени прекраидаетс Повышение концентрации едкого натра более 20 г/л приводит к растравливанию поверхности кремни и уменьшению адгезии покрытий. Снижение концентрации едкого натра менее 15 г/л уменьшает скорость осаждени , а при концентрации едкого натра менее 6 г/л процесс осаждени покрыти прекращаетс .The solution is prepared by dissolving ammonium perrhenate in water and adding the required amount of caustic soda to the solution. The prepared solution must be stored in plastic or fluoroplastic containers. An increase in the concentration of ammonium perrhenate in the solution above 30 g / l, as well as a decrease in its concentration of less than 20 g / l leads to a decrease in the adhesion of the rhenium coating. When the concentration of ammonium perrhenate is less than 10 g / l, the process of precipitation of rhenium is stopped. An increase in the concentration of caustic soda over 20 g / l leads to etching of the silicon surface and a decrease in the adhesion of coatings. A decrease in the concentration of caustic soda of less than 15 g / l decreases the deposition rate, and when the concentration of caustic soda is less than 6 g / l, the coating deposition process stops.
Раствор не рекомендуетс использовать при температуре ниже 90, так как это приводит к снижению скорости осуждени рениевых покрытий. Аналогичное вли ние оказывает снижение рН раствора менее 10,5. При рН более 12,5 адгези покрыти также снижаетс из-за растравливани кремниевой поверхности .The solution is not recommended to be used at a temperature below 90, as this leads to a decrease in the rate of conviction of rhenium coatings. A similar effect has a lower pH of the solution less than 10.5. At pH values greater than 12.5, the adhesion of the coating also decreases due to the etching of the silicon surface.
Перед нанесением покрыти кремниевую подложку необходимо обработать в растворе плавиковой кислоты (48% HF) в течение 10 с, и затем промыть в дистиллированной воде.Before coating, the silicon substrate must be treated in a solution of hydrofluoric acid (48% HF) for 10 seconds, and then rinsed in distilled water.
Использование предлагаемого раствора может быть проиллюстрировано примерами, представленными в табл. 1.The use of the proposed solution can be illustrated by the examples presented in table. one.
Таблица 1Table 1
Марка кремниевой КДБ-0,1 КДБ-2,0 КДБ-0,3 подложкиSilicon grade KDB-0.1 substrates KDB-2.0 KDB-0.3
1емпература, °С1 temperature, ° С
рНpH
Врем , минTime, min
Толщина покрыти , Сцепление с основой,-,, r/MMiCoating thickness, Base adhesion, - ,, r / MMi
пленки основа разрушалась КЭФ-10,0 КЭФ-0,2 КЭФ-1,0 КЭФ- КЭФ1 ,0 20,0 - Состав и свойства раствора г«. .VriaAifiLrTiiKiHr ГЧЧАТП- Коэффициент свето поглощени , % Размер зерен покрыти , i 200-500 200Пористость покрыБеспо- Беспо- Беспоти ристое ристое ристое base film is destroyed EFC-10,0 CEF-0.2 CEF-1.0 CEF-CEF1, 0 20.0 - Composition and properties of the solution g ". .VriaAifiLrTiiKiHr CCTVTP- Light absorption coefficient,% Coating grain size, i 200-500 200 Poreness of coating without protection;
Как видно из данных таблицы, адгези наносимых покрытий к кремниевой подложке достаточно велика. Покрытие не стираетс механически (подложку можно брать пинцетом) и может быть подвергнуто многократной промывке, кроме того, покрытие равномерно и не имеет сквозных пор. Равномерность осаждени рейи в окна-диэлектрического покрыти , определенна дл примера 3, представлена в табл. 2, где dj - толщина рениевого покрыти в центральной части окн, d/( - толщина рениевого покрыти на периферии. Рениевые покрыти , осажденные с помощью предлагаемого раствора, могут быть использованы в радиоэлектронике , а также при изготовлейии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.As can be seen from the table, the adhesion of the applied coatings to the silicon substrate is rather large. The coating is not mechanically wiped off (the substrate can be taken with tweezers) and can be subjected to repeated washing, moreover, the coating is evenly and does not have through pores. The uniformity of the deposition of the ray in the window dielectric coating, defined for example 3, is presented in Table. 2, where dj is the thickness of the rhenium coating in the central part of the window, d / (is the thickness of the rhenium coating at the periphery. The rhenium coatings deposited using the proposed solution can be used in radio electronics, as well as in the manufacture of semiconductor devices and integrated circuits.
ТаблицаTable
.1,4-1,6 1,4-1,6 1, Li-.iJ..j....Lf Ь в 500200-500 200-500 200-500 200-500 200- 200;;; :JlP5 P j H2ie табл. 1 Показатели по примерам . - - - - -. - - - , 500 500 Беспо- Беспо- Беспо- Беспо- J,Q ристое ристое ристое ристое ...1.4-1.6 1.4-1.6 1, Li-.iJ..j .... Lf b in 500200-500 200-500 200-500 200-500 200-200 ;;;; : JlP5 P j H2ie table. 1 Indicators by examples. - - - - -. - - -, 500 500 Bespo-Bespo-Bespo-J, Q Pista Pista Pista ..
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823433822A SU1070205A1 (en) | 1982-05-03 | 1982-05-03 | Solution for depositing rhenium coatings |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823433822A SU1070205A1 (en) | 1982-05-03 | 1982-05-03 | Solution for depositing rhenium coatings |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1070205A1 true SU1070205A1 (en) | 1984-01-30 |
Family
ID=21010336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823433822A SU1070205A1 (en) | 1982-05-03 | 1982-05-03 | Solution for depositing rhenium coatings |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1070205A1 (en) |
-
1982
- 1982-05-03 SU SU823433822A patent/SU1070205A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6368924B1 (en) | Amorphous carbon layer for improved adhesion of photoresist and method of fabrication | |
JP3330143B2 (en) | Metal coating method using low temperature plasma and electrodeposition | |
EP0111957B1 (en) | Method of applying a metallic coating to a substrate | |
EP0290539A1 (en) | Process for the chemical treatment of ceramic parts and subsequent metallization. | |
TW201026891A (en) | Conditioner for electroless plating | |
EP2876188A2 (en) | Thermal resistant mirror-like coating | |
US20160017510A1 (en) | Multifunctional anodized layer | |
CN107112311A (en) | Method for the electromagnetic shielding and heat management of driving component | |
US3736170A (en) | Process for improved adhesion of electroless copper to a polyimide surface | |
BR112014021995B1 (en) | METALIZATION PROCESS FOR NON-CONDUCTIVE PLASTIC SURFACES | |
US3467540A (en) | Method of increasing the adhesion of metal to a subsurface | |
SU1070205A1 (en) | Solution for depositing rhenium coatings | |
JP2009019266A (en) | Method for forming silane coupling agent film | |
EP0641870B1 (en) | Process for preparing plastic surfaces to be plated | |
EP1088117B1 (en) | Method for depositing a metallic layer on a polymer surface of a workpiece | |
KR20040015090A (en) | Method of pretreatment of material to be electrolessly plated | |
US4702793A (en) | Method for manufacturing a laminated layered printed wiring board using a sulfuroxy acid and an oxiding treatment of the metallic wiring patterns to insure the integrity of the laminate product | |
US3660293A (en) | Pre-etch treatment of acrylonitrile-butadiene-styrene resins for electroless plating | |
JP2003193247A (en) | Pretreatment method for electroless plating material | |
KR20230067550A (en) | Metal displacement solution, method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy | |
US2113977A (en) | Manufacture of mirrors | |
JPH0745600A (en) | Solution which prevents deposit of submerged, foreign substance, etching using that and device | |
US3671289A (en) | Pre-etch treatment of acrylonitrile-butadiene-styrene resins for electroless plating | |
US3959564A (en) | Method for the preliminary treatment of plastic surfaces for electroplating | |
JPH0226097A (en) | Copper foil for printed board and its manufacture |