Изобретение относитс к автоматике и вычислительной технике и может найти применение в устройствах хранени информации специализированных ЭВМ, работающих в услови х вли ни дестабилизирующих факторов. Известны триггерные элементы, сюхран ющне записанную ин(}юрмащ1ю при перерывах в подаче питани , выполненные на полупроводниковых транзисторах и магнитных сердечниках из феррита с пр моугольной петлей гистерезиса 1. Недостатками данных элементов вл ютс низка помехоустойчивость и радиационна сто кость. Наиболее близким к предлагаемому вл етс триггер, содержащий магнитный элемент с двум больщими и двум малыми отверсти ми , через которые проход т обмотки установ ки О и 1, обмотка опроса и обща выхо на обмотка, выводы которой через диоды подключены в базовые цепи. 1ранзисторов стати ческого полупроводникового триггера. При этом магнитный элемент с двум больпшми двум малыми отверсти ми используетс в прототипе в качестве элемента пам ти, сохран ющего записанную информаодю при многократ ном считывании 2. Недостатком известного триггера вл етс низка устойчивость к воздействи м помех и проникающей радиации. Цель изобретени - повышение устойчивости к дестабилизируюидам факторам. Поставленна цель достигаетс тем, что магнитно-полупроводниковый элемент, содержащий магнитную запоминающую чейку, содержащую обмотку записи 1, обмотку записи О, магнитна чейка выполнена на двух магнит-. ных триггерах без разрушени информации, реализованных путем прошивки tpex отверстий многоотверстной ферритовой пластины обмотка ми записи считывани , подготовки, опроса и выходными обмотками, причем последовательное включение обмотки записи первого тригге ра без разрушени информации с обмоткой сч тывани второго триггера без разрущени информации образует обмотку записи 1 магнит ной запоминающей чейки, последовательное включение облютки считывани первого тригге ра без разрушени информации с обмоткой за писи второго триггера без разрушени информ ции образует обмотку записи магнитной запоминающей чейки, последовательное включение обмоток подготовки обоих триггеров без разрушени информации, а также последовательное включение обмоток опроса образует обмотку подготовки, опроса и обмотку опроса состо ни магнитной запоминающей чейки соответственно , при этом каждый триггер без разрушени информации через выходные обмотки подключаетс к базе и эмиттеру соответствующего выходного транзистора, причем коллектор первого выходного транзистора соединен с шиной питани , а его эмиттер - с коллектором второго выходного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, нагруженного на конденсатор и подключенного к эмиттерному повторителю. На фиг. 1 представлена принципиальна схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - схема прощивки обмоток магнитного триггера без разрущени информации, используемого дл организации магнитной запоминающей чейки. Магнитно-полупроводашковйй элемент с повышенной устойчивостью к дестабилизирующим факторам содержит магнитную запоминающую чейку 1, выполненную на двух триггерах без разрущени информации 2 и содержащую обмотку 3 записи 1, обмотку 4 записи О, представл ющие собой последовательно включенные обмотки 5 записи и 6 считывани соответствующих триггеров без разрущени информации 2, а также обмотку 7 подготовки опроса и обмотку 8 опроса состо ни , представл ющие собой последовательно включенные обмотки 9 подготовки и обмотки 10 опроса соответствующих ТБРИ 2. Кроме того, магнитна запоминающа чейка 1 содержит две выходные обмотки 11, подключенные к базам и змиттерам выходных транзисторов 12 и 13, причем коллектор первого выходного транзистора 12 соединен с шиной питани , а его эмиттер - с коллектором второго выходного транзистора 13, включенного по схеме с общим эмиттером, нагруженного на конденсатор 14 и подключенного к эмиттерному повторителю , выполненному на транзисторе 15. При этом каждый магнитный триггер без разрушени информации 2 занимает три отверсти 16-18 многоотверстной ферритовой пластины 19 и содержит обмотку 5 записи, проход щую через отверсти 16 и 18, обмотку считывани , проход щую через отверстие 17, обмотку 9 подготовки, проход щую через Отверсти 17 и 18, обмотку 10 опроса, проход щую через отверстие 18, а также выходную обмотку 11, проходащую через отверсти 17 и 18 (начала всех указанных обмоток помечены знаком -, а концы знаком х). Магнитно-полупроводниковый элемент с повышенной устойчивостью к дестабилизирую-. щим факторам работает следующим образом. Импульс тока, подаваемый в обмотку 5 записи триггера без разрущеии информации 2, переводит мапштный материал перемычек- между отверсти ми многоотверстной ферритовой пластины 19, через которые проходит указаннал обмотка, в насыщенное состо ние, либо подтверждает это состо ние, если магнитньш материал перемычэк между отверсти ми- до этого момента времени в нем находилс . Подачей в после; огю1цие моменты последовательjuocTH сдвинутых во времени импульсов тока в обкютку 9 подготовки и в обмотку 10 опроса производитс смена состо ний .намагниченности перемычки между отверсти ми 17 и 18 многоотверстной фер штовой пластины 19. Пуи этом на выходной обмотке 11 триггера без раз рушени информации 2 возникает импульс ЭДС отрицательной пол рности в момент импульса тока в обмотку 9 подготовки н импульс ЭДС положительной пол рности в момент пода чи импульса тока в обмотку 10 опроса. Подачу последователыюсга сдвинутых во времени импульсов тока в обмотки 9 и 10 можно производить многократно. В случае подачи импульса тока в обмотку 6 считывани происходат йюкировка переключени перемычки между отверсти ми 17 и 18 многоотверстной ферритовой пластины 19 и поэтому при последующей подаче последовательности сдвинутых во времени импульсов тока в обмотки 9 и 10 на выходной обмотке 11 импульсов ЭДС не возникает. На этом принципе работы триггера без разрушени информации 2 основана работа предлагаемого устройства , в которрм один из триггеров без разрушени информации 2 используетс дл хранени Г информавди, а второй - дл хранени О. Запись 1 информащш в магнитно-полупроводанковый элемент осуществл етс подачей импульса тока в обмотку 3 записи 1 магнитной запоминающей чейки 1. При подаче в следующий момент. последовательности сдвинутых во времени импуль- . сов тока в обмотку 7 подготовки опроса и в обмотку 8 опроса состо ни чейки 1 возникающий в выходаой обмотке 11 одаюго из триггеров fe3 разрущенИ информации 2 импульс ЭДС положительной пол рности откроет выходной транзистор 12 до состо ни насыщени . При этом.происходит зар д емкости 14 и на выходе ЭАШттериого повторител , выполненного на транзисторе 15, устзг навливаетс уровень 1, соответствующий нач пр жению питани . Последующа подача импульсов тока.в обмотке 7 и 8 подзар жает конденсатор. 14, обеспечивай тем самым на выходе устройства посто нный уровень 1. Запись О в устройство осуществл етс аналогично подачей импульса тока в обмотку 4 записи О магнитной запоминающей чейки 1. Возникающий на выходной обмотке } 1 при последующей подаче импульсов тока в обмотки 7 н 8 импульс ЭДС откроет выходной транзистор 13 до состо ни насыщени , за , счет чего произойдет разр д конденсатора 14 и на вь)ходе элемента установитс уровень О. В случае отключени напр жени питани иыфс маци сохргш етс в магнитной запоминающей чейке 1 и при последующем включении питани подачей последовательности одвинутых во времени импульсов тока в обмотки 7 и 8 обеспечиваетс восстановление на выходе устройства уровн записанной информащш . Основным элементом хранени в предлагаемом устройстве вл етс магнитна запоминающа чейка 1, управл ема полными токами, энерги переключени которой на несколько пор дков превышает энергию переключени известных полупроводниковых статических триггеров, что обуславливает повьшенную помехоустойчивость предлагаемой магнитно-полупроводниковой схемы по сравнению с базовым объектом. Повышенна устойчивость предлагаемого устройства к радиационным воздействи м по сравнению с известными триггерными элементами .определ етс , главным образом, ключевым. режимом работы выходных транзисторов 12 и 13, допускающим уменьшение коэффициента передачи тока до минимальной величины пор дка нескольких единиц. Кроме того, соединение базы и эмиттера выходных транзисторов 12 и 13 низкоомными выходными обмотками 11 резко снижает вли ние ионизационных токов за счет устранени вторичных фототоков в базовых цеп х транзисторов. Помимо этого подключение коллектора вьтходного транзистора 13 к эмиттеру транзистора 12 и базе транзистора 15 обеспечивает компенсацию первичных фототоков , возникающих в коллектор-базовых цеп х транзисторов при импульсном ионизирующем излучении. Предлагаемое устройство повышает устойчивость к дестабилизирующим факторам, т.е. увеличивает помехоустойчивость И увеличивает радиационную стойкость.
fn
/fHatffysHe