SU1061240A1 - Device with controlled gain factor - Google Patents

Device with controlled gain factor Download PDF

Info

Publication number
SU1061240A1
SU1061240A1 SU803223157A SU3223157A SU1061240A1 SU 1061240 A1 SU1061240 A1 SU 1061240A1 SU 803223157 A SU803223157 A SU 803223157A SU 3223157 A SU3223157 A SU 3223157A SU 1061240 A1 SU1061240 A1 SU 1061240A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistor
field
effect transistor
gate
output
Prior art date
Application number
SU803223157A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виталий Михайлович Сергеев
Валерий Иванович Чуфистов
Валерий Львович Ким
Original Assignee
Научно-Исследовательский Институт Электронной Интроскопии При Томском Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Политехническом Институте Им.С.М.Кирова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Исследовательский Институт Электронной Интроскопии При Томском Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Политехническом Институте Им.С.М.Кирова filed Critical Научно-Исследовательский Институт Электронной Интроскопии При Томском Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Политехническом Институте Им.С.М.Кирова
Priority to SU803223157A priority Critical patent/SU1061240A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1061240A1 publication Critical patent/SU1061240A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

УСТРОЙСТВО С РЕГУЛИРУЕМЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ПЕРЕДАЧИ, содержащее две параллельно включенные цепи, в первой из которых BKjD04eHH последователь:Но первые резистор и полевой транзистор, меткду точкой соединени  которых и затвором первого полевого транзистора, включен второй резистор, затвор первого полевого транзистора через третий резистор подключен к источнику управл ющего напр жени , во второй - последовательно соединенные четвертый резистор и второй полевой транзистор, точка соединени  которых  вл етс  выходом устройства, о т л и ч а ю Щ е ее   тем, что, с целью уменьшени  г гадул ции выходного сигнала управл ющим напр жением, затвор второго полевого транзистора подключен к затвору первого полевогоg : TpaHSiFcTopa, при этом соедине (/) ни  первого и четвёртого рёзист оров  вл етс  входом устройства.DEVICE WITH ADJUSTABLE TRANSFER COEFFICIENT, containing two parallel-connected circuits, in the first of which BKjD04eHH is a follower: But the first resistor and the field-effect transistor, with the junction point and gate of the first field-effect transistor, the second resistor is connected, the gate of the first field-effect transistor through the third resistor is connected to the source control voltage, in the second - in series the fourth resistor and the second field-effect transistor, the junction point of which is the output of the device, is about l and h w w e it that, in order to reduce g gadul output tion control voltage, the gate of the second FET is connected to the gate of the first polevogog: TpaHSiFcTopa, when this compound (/) or first and fourth rozist Hur is an input device.

Description

Изобретение от1 оситс  к радиотехнике и может быть использовано в сис Темах стабилизации и автоматического регулировани  усилени . Известно устройство с регулируемым коэффициентом передачи, выполнен ное на полевых транзисторах, .в котором на сток полевого транзистора через резистор подаетс  входное напр ™ жение, а на затвор - управл ющее .напр жение, отличающеес  по частоте от входного напр жени . Выходное напр жение снимаетс  со стока полевого транзистора Cl1. .Существенным недостатком этого устройства  вл ютс  нелинейными иска женин, поскольку в полевых транзисто рах зависимость тока стока от напр жени  настоке нелинейна. Наиболее близким к изобретению  в л етс  устройство с регулируемым коэффициентом передачи, содержащее две параллельно включенные цепи, в первой из которых включены последова те.льно первые резистор и полевой тра зистор, между точкой соединени  кото рых и затвором первого полевого тран зистора включен второй резистор, зат вор . первого полевого транзистора че рез четвертый резистор подключен к источнику управл ющего напр жени , в второй - последовательно соединенные третий резистор и второй полевод транзистор, точка соединени  кото.г рых  вл етс  выходом устройства С23. Недостатком известного устройства  вл етс  наличие на еговыходе напр жени  помехи, обусловленной , прохождением на выход управл ющего напр жени , что приводит к .модул ции выходного напр жени , причем наиболее существенно этот недостаток про вл етс  при работе устройства с регулируемым коэффициентом передачи на посто нном токе, Цель изобретени  - уменьшение модул ции выходного сигнала управл ющим н а пр  жемем. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в устройстве с регулируемым коэффициентом передачи,, содержащем две параллельно включенные цепи в первой из которых включены последо вательно первые резистор и полевой транзистор, между точкой соединени  которых и затвором первого полевого транзистора включен второй резистор, затвор первого полевого транзистора через третий резистор подключен к источнику управл ющего напр жени  во второй - последовательно соединен .ные четвертый резистор и второй полевой транзистор, точка соединени  которых  вл етс  выходом устройства, затвор второго полевого транзистора подключен к затвору первого полевого т эанзистора, при этом точка соединени  первого и четвертого резисторов  вл етс  входом устройства. На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема предлагаемого устройства. Устройство с регулируемым коэффициентом передачи содержит первый резистор 1, первый полевой транзис- тор 2, второй резистор 3 второй полевой Транзистор 4, третий резистор 5, четвёртый резистор источник 7 управл ющего напр жени . Устройство работает следующим образом. При подаче входного и управл ющего напр жений первый полевой транзистор 2 линеаризуетс  за счет того, что часть напр жени  стока, определ ема  соотношением сопротивлений межд стоком и истоком и первым резистором 1, подаетс  на его затвор через делитель, образованный вторым резистором 3 и третьим резистором 5. Одновременно это напр жение поступает и на затвор второго полевого транзистора 4. Так как полевые транЗисторы имеют идентичные характеристики и сопротивлени  первого резистора 1 и четвертого резистора б одинаковы , то потенциалы на стоках обоих полевых транзисторов в любой момент времени равны, т.е. происходит линеаризаци  и второго полевого транзистора 4, при этом из-за отсутстви  пути дл  прохождени  управл ющего напр жени  на выходе оно отсутствует . Поэтому оказываетс  возможньлм уменьшить номиналы второго резистора 3 и третьего резистора 5, что ведет к расширению частотного, диапазона работы устройства, :.-. Таким образом, в предлагаемом устройстве полностью разв заны сиг  нальные и управл юидае цепи, что позвол ет уменьшить модул цию выходного сигнала управл ющим напр жением, при этом величина напр жени  помехи от управл ющего напр жени  на выходе устройства уменьшена более, чем в 100 раз, а нелинейные искажени  на выходе составл ют 0,1-0,3% во всем диапазоне рабочей полосы частот О - 200 кГц.The invention is based on radio engineering and can be used in systems of stabilization and automatic gain control. A device with an adjustable transmission coefficient, made of field-effect transistors, in which an input voltage is applied to a field-current transistor through a resistor and a control voltage different from the input voltage to the gate, is known. The output voltage is taken from the drain of the field-effect transistor Cl1. A significant disadvantage of this device is a non-linear lawsuit, since in field-effect transistors the dependence of the drain current on the voltage of the current is non-linear. The closest to the invention is a device with an adjustable transmission coefficient, containing two parallel-connected circuits, in the first of which are connected sequentially the first resistor and the field-effect resistor, between whose junction point and the gate of the first field-effect transistor, sat thief the first field-effect transistor through the fourth resistor is connected to the control voltage source; in the second, the third resistor and the second field-effect transistor are connected in series, the junction point of which is the output of the C23 device. A disadvantage of the known device is the presence of interference on its voltage output due to the passage of a control voltage to the output, which leads to modulation of the output voltage, and this deficiency is most pronounced when the device operates with an adjustable transmission coefficient on a constant voltage. The purpose of the invention is to reduce the modulation of the output signal by the controller on the current. The goal is achieved by the fact that in a device with an adjustable transmission coefficient, containing two parallel-connected circuits, the first of which includes a series of first resistor and field-effect transistor, between the junction point and gate of the first field-effect transistor, the second resistor is turned on the third resistor is connected to the control voltage source in the second - serially connected fourth resistor and second field-effect transistor, the junction point of which is the output of the device, the gate of the second field effect transistor is connected to the gate of the first field voltage sensor, and the connection point of the first and fourth resistors is the input of the device. The drawing shows a circuit diagram of the proposed device. The device with adjustable transmission coefficient contains the first resistor 1, the first field-effect transistor 2, the second resistor 3, the second field-effect transistor 4, the third resistor 5, the fourth resistor of the control-voltage source 7. The device works as follows. When the input and control voltages are supplied, the first field-effect transistor 2 is linearized due to the fact that part of the drain voltage, determined by the ratio of the resistances between the drain and source and the first resistor 1, is fed to its gate through a divider formed by the second resistor 3 and the third resistor 5. At the same time, this voltage goes to the gate of the second field-effect transistor 4. Since the field transistors have identical characteristics and the resistances of the first resistor 1 and the fourth resistor b are the same, the potentials and drains of both FETs at any given time are equal, ie, the linearization of the second field-effect transistor 4 occurs, while due to the absence of a path for the passage of the control voltage at the output, it is absent. Therefore, it is possible to reduce the ratings of the second resistor 3 and the third resistor 5, which leads to the expansion of the frequency, the range of operation of the device,: .-. Thus, in the proposed device, signal and control circuits are fully separated, which allows reducing the modulation of the output signal by the control voltage, while the magnitude of the interference voltage from the control voltage at the output of the device is reduced by more than 100 times and the nonlinear distortion at the output is 0.1-0.3% over the entire range of the working frequency band O - 200 kHz.

Claims (1)

УСТРОЙСТВО С РЕГУЛИРУЕМЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ПЕРЕДАЧИ, содержащее две парадлельно включенные цепи, в первой из которых включены последовательно первые резистор и полевой транзистор, между точкой соединения которых и затвором первого полевого транзистора, включен второй резистор, затвор первого полевого транзистора через третий резистор подключен к источнику управляющего напряжения, во второй - последовательно соединенные четвертый резистор и второй полевой транзистор, точка соединения которых является выходом устройства, от л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения модуляции выходного сигнала управляющим напряжением, затвор второго полевого транзистора под·^ ключей к затвору первого полевого__«д транзистора, при этом точка соединения первого и Четвертого резисторов является входом устройства.DEVICE WITH ADJUSTABLE TRANSMISSION FACTOR, containing two parallel-connected circuits, the first of which includes the first resistor and the field-effect transistor, between the connection point of which and the gate of the first field-effect transistor, the second resistor is connected, the gate of the first field-effect transistor is connected to the control voltage source through the third resistor , in the second - the fourth resistor and the second field-effect transistor connected in series, the connection point of which is the output of the device, from I with the fact that, in order to reduce the output signal modulation control voltage, the gate of the second field effect transistor under · ^ keys to the gate of the first field effect __ 'd transistor, wherein the first connection point and a fourth resistor is an input device.
SU803223157A 1980-12-22 1980-12-22 Device with controlled gain factor SU1061240A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803223157A SU1061240A1 (en) 1980-12-22 1980-12-22 Device with controlled gain factor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803223157A SU1061240A1 (en) 1980-12-22 1980-12-22 Device with controlled gain factor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1061240A1 true SU1061240A1 (en) 1983-12-15

Family

ID=20933890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU803223157A SU1061240A1 (en) 1980-12-22 1980-12-22 Device with controlled gain factor

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1061240A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Малин В.В. и др. Параметры и свойства полевых транзисторов. М,, Энерги / 1967, с, 14. 2. Патент Франций 2031219, КЛ. Н 03 Я 3/00, 1970 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4827207A (en) Linear load current measurement circuit
US4207538A (en) Temperature compensation circuit
US4520324A (en) MOS Gain controlled amplifier
ES354862A1 (en) Automatic gain control system employing multiple insulated gate field effect transistor
JPH0736498B2 (en) Buffer circuit
JPH0951238A (en) Microwave amplifier circuit
US4356453A (en) Reduced noise-improved gain transistor circuit
KR940023060A (en) Input circuit
SU1061240A1 (en) Device with controlled gain factor
GB2219705A (en) Fet amplifier
US3516004A (en) Signal translating circuit comprising a plurality of igfet amplifiers cascaded in direct coupled fashion
KR940003161A (en) Broadband amplifier
US3452290A (en) Low distortion variolosser
US3663888A (en) All-fet linear voltage difference amplifier
GB1121444A (en) Circuitry for static bandwidth control over a wide dynamic range
SU832705A1 (en) Device with adjustable amplification factor
SU1203687A1 (en) Controlled attenuator
US3984781A (en) Bias control circuit for an audio amplifier utilizing an unsaturated junction type FET
SU1195417A1 (en) Controlled voltage divider
SU1239838A1 (en) Amplifier with adjustable gain factor
SU944074A1 (en) Controllable dc amplifier
US4257064A (en) Wideband linear video contrast control
RU1830181C (en) Vdltage amplifier
SU1046910A1 (en) Controlled attenuator
SU1388979A1 (en) Controlled attenuator