SU1059032A2 - Устройство дл осаждени слоев - Google Patents

Устройство дл осаждени слоев Download PDF

Info

Publication number
SU1059032A2
SU1059032A2 SU823390342A SU3390342A SU1059032A2 SU 1059032 A2 SU1059032 A2 SU 1059032A2 SU 823390342 A SU823390342 A SU 823390342A SU 3390342 A SU3390342 A SU 3390342A SU 1059032 A2 SU1059032 A2 SU 1059032A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
tubes
chamber
length
layers
inner tube
Prior art date
Application number
SU823390342A
Other languages
English (en)
Inventor
Вадим Иванович Иванов
Николай Михайлович Мытарев
Виктор Семенович Насонов
Майя Филипповна Егорова
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8495
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8495 filed Critical Предприятие П/Я В-8495
Priority to SU823390342A priority Critical patent/SU1059032A2/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1059032A2 publication Critical patent/SU1059032A2/ru

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

К Soffyyfi/fo y f/acocy
6
i (Л
С Изобретение относитс  к устройCTI вам дл  осаждени  слоев на подложку различными способами, преимущественно при пониженном давлении (эпитакси , диффузи , пиролиз и др.) и может быть использовано в промышленности получени  микросхем, счетнорешающей и запоминающей технике. По основному авт. св. 796246 известно устройство дл  осаждени  слоев на подложку различными способа ми, преимущественно при пониженном давлении, кот.орое содержит вакуумную камеру с зоной демпфировани , состо  щую И.З реактора, выполненного в виде двух коаксиально размещенных труб и камеры загрувки -выгрузки, нагреватель , охватываклций вакуумную камеру /подложкодержатель, трубку дл  подачи . инертного газа,размещенную в зоне в куумносо демпфировани ,трубки дл  no дачи-реагентов в реактор,размещенные под углем к оси внут)енней трубы рёак (жора, один конец которой расположена камере загрузки-разгрузки, Подложкодержатель выполнен ввиде лодочки с подложками и размещен в (центре рабочей зоны камер М . . Недостатками известного устройств  вл ютс  интенсивное осаждение сло  стороны камерн загрузки-выгрузки и подачи газообразных реагентов, его Обеднение, в результате, чего осазкден по.длине неравномерно, осыпание при. вдвижении лодочки с подложкайи и воз никновение дефектности. Все-это приводит к снижению качества осаждаемых слоев. Цель изобретени  - повышение качества осаждаемых слоев за счет умень taeHH Ьсаждени  на стенках реактора и обеднени  газообразных реагентов по его длине. Указанна  -цель достигаетс  тем, что устройство дл  осаждени  слоев .снабжено уплотнением,- расположенным между наружной и внутренней трубами со стороны зоны демпфировани , на внутренней трубе по длине подложкодержател  выполнены отверсти , а один из концов трубок дл  подачи газа разбавител  размещен во внутрен ней трубе. На чертеже представлено предлагаемое устройство,общий вид, в разрезе Устройство дл  осаждени  слоев включает вакуумную камеру 1 с зоной демпфировани , внутри которой раз-. моцена наружна  труба 2 и внутренн   Труба 3 peakTofeia, Внутренн   труба 3 уплотнена по наружной трубе 2 в зоне .демпфирс5вани , а полость между внутренней 3 наружной 2 трубами соединена с камерой 4 загрузки-выгрузки. Наружна  труба 2 реактора уплотнена на вакуум в водоохлаждаемом корпусе вакуумной системы 5. Внутренн   труба 3 реактора выполнена по длине больше, чем наружна ; и своим концом входит в камеру 4 загрузки-выгрузки. Трубки 6 ввода реагентов направлены под углом к внутренней трубе, а одна из этих трубок 7 дл  напуска газаразбавител  соединена.с внутренней трубой 3. Труба 3 уплотнена потрубе 2 уплотнением 8 из термостойких материалов , чем предотвращаетс  попадание непрореагировавшей парогазовой смеси в вакуумную систему. Подложкодержатель, выполненный в виде лодочки 9 с подложками, размещен в центре-рабочей зоны вакуумной камеры Т. На стенке внутренней трубы 3 вокруг подложнодержател  на его длину выполнены отверсти  10. .Устройство работает следующим образом . При разогретой печи до установившегос  реж:има работы лодочку 9. помещают в трубу 3 в зону, ограниченную отверсти ми 10, герметизируют камегру .1 и производ т откачку до заданного давлени , затем через трубку 6 подают газы-реагенты, а через трубку 7 - газ-разбавитель и выдерживают устройство в таком режиме -заданное врем  процесса осаждени . По окончании процесса пр.оизвод т подачу только газа-разбавител , затем прекращают откачку, заполн ют камеру инертным газом До атмосферного давлени , открывают камеру 1 дл  смены  одочки, одновременно осуществл етс  продувка азотом навстречу, в сторону загрузочного окна. Выполнение отверстий на стенке внутренней трубы вокруг подложкодержател  на его длину и соединение полости между внутренней и наружной трубами с камерой загрузки-выгрузки позвол ет подавать реагент непосред:СТ (венно подложкс1ми, а соединение одной из трубок с внутренней трубой позвол ет подавать газ-разбавитель вдоль подложек, в результате происходит лучшее перемешивание реагентов, устран ютс  застойные зоны, исключаетс  обеднение потока и осаждение реагентов на пути выдвижени  лодочки, происходит распределенна  подача реагентов . Все это .приводит к более равномерному осажден-ию слоев, устра- . нению дефектности и тем сг№1ым к повышению качества осаждаемых слоев. Уменьшаетс  объем подачи парогазовой смеси через отверсти  распределенного газового ввода и возможность осаждени  продуктов реакции в отверсти х и их сдувани  на поверхность обрабатываемых пластин. Известное устройство позвол ет получить равномерность по пластине i5%, равномерность в партии ±5%, рав310590324
номерность от партии, к партии +5%, , равномерность в партии 3-4% а предлагаемое устройство позвол ет и равномерность от партии к партии ролучить равномерность по пластине 3-4%.

Claims (1)

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ
    СЛОЕВ по авт. св. » 796246, отли чающееся тем, что, с целью пог вышения качества осажденных слоев за счет уменьшения осаждения на стенках реактора и обеднения газообразных реагентов по его длине, оно снабжено уплотнением, расположенным между наружной и внутренней трубами со стороны зоны демпфирования, на внутренней трубе по длине подложкодержателя выполнены отверстия, а один из концов трубок для подачи газа-разбавителя размещен по внутренней трубе.
SU823390342A 1982-02-02 1982-02-02 Устройство дл осаждени слоев SU1059032A2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823390342A SU1059032A2 (ru) 1982-02-02 1982-02-02 Устройство дл осаждени слоев

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823390342A SU1059032A2 (ru) 1982-02-02 1982-02-02 Устройство дл осаждени слоев

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU796246A Addition SU165061A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ПОДАЧИ и ОРИЕНТАЦИИ КОЛЬЦЕВЬ!ХДЕТАЛЕЙ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1059032A2 true SU1059032A2 (ru) 1983-12-07

Family

ID=20995345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823390342A SU1059032A2 (ru) 1982-02-02 1982-02-02 Устройство дл осаждени слоев

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1059032A2 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5458918A (en) Gas injectors for reaction chambers in CVD systems
US4699805A (en) Process and apparatus for the low pressure chemical vapor deposition of thin films
EP0637058B1 (en) Method of supplying reactant gas to a substrate processing apparatus
US4747368A (en) Chemical vapor deposition apparatus with manifold enveloped by cooling means
US5010842A (en) Apparatus for forming thin film
US5916369A (en) Gas inlets for wafer processing chamber
US7105054B2 (en) Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
JP4045689B2 (ja) 熱処理装置
US5029554A (en) Semiconductor manufacturing apparatus including a temperature control mechanism
US6500734B2 (en) Gas inlets for wafer processing chamber
KR20030013303A (ko) 기판 처리 장치
US4484538A (en) Apparatus for providing depletion-free uniform thickness CVD thin-film on semiconductor wafers
JP2002009072A (ja) シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置
SU1059032A2 (ru) Устройство дл осаждени слоев
US4651673A (en) CVD apparatus
US5180692A (en) Method for the manufacture of boron-containing films by CVD or epitaxial techniques using boron trifluoride
JPH04184923A (ja) 熱処理装置
US11049699B2 (en) Gas box for CVD chamber
JPS6168393A (ja) ホツトウオ−ル形エピタキシヤル成長装置
JPH02174224A (ja) 熱処理装置
KR200157137Y1 (ko) 반도체 제조용 화학기상증착장치
KR100301927B1 (ko) 고밀도화학기상증착장치
US3811826A (en) Diffusion furnace process tube
SU905342A1 (ru) Устройство дл осаждени слоев из газовой фазы
JPS63199412A (ja) 気相成長装置