SU1058006A1 - Устройство дл измерени потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе - Google Patents

Устройство дл измерени потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе Download PDF

Info

Publication number
SU1058006A1
SU1058006A1 SU823492548A SU3492548A SU1058006A1 SU 1058006 A1 SU1058006 A1 SU 1058006A1 SU 823492548 A SU823492548 A SU 823492548A SU 3492548 A SU3492548 A SU 3492548A SU 1058006 A1 SU1058006 A1 SU 1058006A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
comparison circuit
input
potential
photomultiplier
Prior art date
Application number
SU823492548A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Еронович Трубин
Анатолий Николаевич Ракитин
Владислав Георгиевич Циунелис
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1298
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1298 filed Critical Предприятие П/Я А-1298
Priority to SU823492548A priority Critical patent/SU1058006A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1058006A1 publication Critical patent/SU1058006A1/ru

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПОВЕРХНОСТИ В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ, содержащее энергоанализатор, включающий выт гивающий и анализирующий электроды, и сцинтилл ционный преобразователь с фотоэлектронным умножителем, соединенным с одним из входов схвмы сравнени , выход которой соединен с входой задан дего генератора, а вы-, ход генератора электрически соединен с анализирующим электродом, отличающеес  тем, что, с целью повышени  точности измерени , оно снабжено селективным усилителем переменного тока с выпр мителем на выходе, делителем напр жени  и ным источником посто нного тока, при этом селективный усилитель с выпр мителем включен между фотоэлектронным умножителем и первым входом схемы сравнени , делитель напр жени  включен между выходом фотоэлектронного умножител  и вторым входом схемы сравнени , а третий выход схемы сравнени  соединен с опорным (Л источником посто нного тока.

Description

ел
сю
о
Изобретение относитс  к электронной микроскопии и предназначено дл  измерени  микропотенциалов на поверхности изделий электронной техники. Одним из наиболее точных методов измерени  потенциала поверхности  вл етс  метод, в котором используетс  эффект сдвига спектра энергии истинновторичных электронов при измерении потенциала эмиттирующей точки, а измерени  свод тс  к регист рации этого сдвига. Соответствукадие устройства содержат ту или иную систему электродов дл  улавливани  и энергетического анализа вторичных электронов.. Известно устройство дл  измерени  потенциала поверхности в растре вом электронном микроскопе РЭМ ), со держащее энергоанализатор с выт ги- вающим и анализирующим электродами, На после дний из которых подаетс  потенциал от генератора пилообразного напр жени  задержки Сигнал с энергоанализатора в этом случае пред ставл ет собой кривую задержки медленных вторичных электронов. Сдвиг спектра в виде кривых задержки отиосительно начала пилообразного напр жени  характеризует потенциал повер хности в точке облучени  первичным электронньам зондом Cl3« Дл  обеспечени  работы данного устройства требуетс  непосредственное участие оператора дл  оценки сдвига кривых, воспроизводимых на экране осциллографа, т. е. сигнал, непосредственно характеризующий потенциал поверхности, отсутствует. В другом режиме работы устрвйства, используемого при формировании изображени  в потенциальном койтрас те, на анализирукйций электрод йодаетс  посто нный уррвень потенциала задержки. В этом случае коллектора достигают только вторичные электроны с энергией, большей потен циала задержки, В зависимости от соотношени  потенциалов поверхности образца и анализирующего электрода отсекаетс  больша  или меньша  част вторичных электродов и, соответстве но, измен етс  выходной сигнеш, про порциональный интегралу от распреде лени  вторичных электронов по энерг в пределах от потенциала з ержки до энергии электронов первичного эо да. Одним иэ основных недостатков устройства  вл етс  сильна  зависимость сигнала от геометрических (рельеф, микроморфологи  поверхност и эмиссионных (химический состав, работа выхода) характеристик образца и тока электронного зонда. Наиболее близким к предлагаемому по технической CSTUHOCTH  вл етс  ус ройство дл  измерени  потенцигша по верхности в РЭМ, содержащее энергоанализатор , включающий выт гивающий и анализирующий электроды, и сцинтилл ционный преобразователь с фотоэлектронным умножителем, соединенным с одним из входов схемы сравнени , выход которой соединен с входом задающего генератора, а выход генератора электрически соединен с анализирующим электродом 2j . Недостатком этого устройства  вл етс  неполна  компенсаци  вли ни  на измерени  отличий физико-химических свойств, микрогеометрин поверхности образца и нестабильности параметров первичного электронного зонда . Это обусловлено тем, что потенциал анализируквдего электрода должен быть приведен к такому значению, чтобы сигнал с энергоанализатора был пропорционален опорному - с дополнительного детектора. В идеальном случае, когда угловые и энергетические распределени  вторично ектронйой эмиссий посто нны вдоль образца,; потенциал отсечки на анализирунйцем электроде может характеризовать сдвиг кривой энергетического распределени  вторичной эндассии и Ьобственно потенциал поверхности образца . В случае же неоднородных образцов угловые и энергетические распределени  вторичной эмиссии мен ютс  вдоль поверхности образца, что приводит к неадекватности опорного сигнала, достиггиощей величин пор дка дес тков процентов. Соответствующа  погрешность определени  потенциала поверхности образца про вл етс  на изобргикени х в потенциальном контрасте , как наложение контраста от рельефа. Кроме того, отличие эмиссионных характеристик разных образцов, а также некоторый произвол в выборе исходной рабочей точки, завис щий от . степени неоднородности образца, ведет к невозможности абсолютных измерений потенциала поверхности (с учетом разности работ выхода образца и управл ющей сетки анализатора ). Цель изобретени  - повышение точности измерени  потенциала поверхности . Указанна  цель достигаетс  тем, что устройство дл  измерени  потенциала поверхности в РЭМ, содержащее энергоанализатор,включающий выт гиг вакщий и анализирующий электроды, и сцинтилл ционный преобразователь с фотоэлектронным умножителем, соединенным с одним из входов схемы сравнени , выход которой соединен с входом задающего генератора, а
выход генератора электрически соединен с анализирующим электродом, снабжено селективным усилителем переменного тока с выпр мителем на выходе, делителем напр жени  и опорным источником посто нного тока, при этом селективный усилитель с выпр мителем включен между фотоэлектронным умножителем и первым входом схемы сравнени , делитель напр жени  включен между выходом фотоэлектронного умножител  и вторым входом схемы сравнени , а третий вход схемы сравнени  соединен с опорным источником посто нного тока.
На чертеже изображена схема устройства.
Сфокусированный электронный зонд 1 направл етс  отклон ющей системой 2 на исследуемый образец 3 через отверстие энергоанализатора, включающего систему последовательно расположенных выт гиваквдего электрода 4 , анализирующего электрода 5 и дополнительного электрода 6. За . энергоаналиэатором размещен сцинтилл ционный преобразователь 7 с фото электронным умножителем(. К выходу ФЭУ подключен селективный усилитель 9 переменного тока и выпр митель 10. К электронной схеме 11 сравнени  выход выпр мител  10, опорный источник 12 посто нного тока и дополнительный делитель 13 посто нной составл кнцей сигнала , соединенный.своим входом с выходом ФЭУ 8. Выход схемы 11 сравнени  соединен с задающим генератором 14, подключенным к анализирующему электроду 5.
Устройство работает следующим образом.
Электронный зонд 1, управл емый отклон ющей системой 2, взаимодействует с заданной точкой поверхности образца 3. Генерируемые им вторичные электроны улавливаютс  выт гивак цим полем, создаваемым электродом 4 относительно поверхности образца 3. Далее вторичные электроны, имекхцие энергию большую, чем потенциальный барьер анализирующего электрода 5, ускор ютс  электродом 6 и достигают поверхности сцинтилл ционного преобрйзовател  7. При наличии на электроде 5 переменной составл ющей потенциала , обеспечиваемой с помощью генератора 14, величина потока электроно на преобразователь также оказываетс  промодулированной, переменна  составл юща  сигнала с ФЭУ 8 усиливаетс  селективным усилителем 9 переменного тока и после выпр млени  подаетс  н схему 11 сравнени , на которую в качестве опорного сигнала подаетс  также напр жение с источника 12 посто нного тока и посто нна  составл юща  с ФЭУ с определенным коэффициентом , определ емым делителем 13. При неравенстве сигнала с выпр мител  10 и опорногЬ выходного сигнала схема сравнени  регулирует уровень посто нной составл ющей потенциала задержки на электрод 5 таким образом, чтобы восстановилось равенство сравниваемых сигналов.
Перед началом работы устройство измерени  настраиваетс  следующим образом. При разорванной обратной св зи и потенциале образца 3 и анализирукндего электрода 5 равному нулю амплитуда модул ции потенциала на электроде 5 устанавливаетс  такой, чтобы сигнал на выходе селективного усилител  достаточно превышал уровень шумов. Затем, при замыкании обратной св зи, регулируют величину опорного напр жени  с Источника 12 до установлени  нулевого сигнала на выходе схемы сравнени .
При изменении потенциала образца, например в сторону, отрицательных значений , крива  распределени  истинно вторичных электронов смещаетс  в боле высокоэнергетическую область. При это уменьшаетс  глубина высокочастотной модул ции потока электронов и, соответственно , уровень переменной составл ющей сигнала на выходе энергоаналиэатора . Св занное с этим смещение сигнала на выпр мителе 10 по сравнению с опорным напр жением ведет к по влению на выходе схемы 11 сравнени  управл ющего сигнала, который в качестве обратной св зи регулирует величину посто нной составл к цей потенциала
.задержки на анализирующем электроде 5 в сторону смещени  энергии низкоэнергетических эле:ктронов так, что глубина модул ции электронного потока и, соответственно, уровень сигнала на выходе выпр мител  10 восстанавливаютс  до прежнего заданного значени . Таким образом, напр жение на выходе схемы сравнени  авто1матически отслеживает смещение начала кривой энергетического распределени  вторичных электронов при изменении потенциала поверхности образца в точке зондировани .
Повышение точности измерений в случае неоднородных образцов в предлагаемом устройстве по сравнению с известными определ етс  тем, Ч1;;р переменна  составл юща  сигнала с преобразовател  7 зависит только от модулируемого начального участка кривой задержки, а зависимость от всей более высокоэнергетичной части электронной эмиссии исключаетс , тогда как в известном устройстве во всей этой области вариации угловых и энергетических распределений, регистрируеьйвс неэквивалентными датчикг1ми , привод т к значительным погреш

Claims (1)

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПОВЕРХНОСТИ В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ, содержащее энергоанализатор, включающий вытягивающий и анализирующий электроды, и сцинтилляционный преобразователь с фотоэлектронным умножителем, соединенным с одним из входов схвмы сравнения, выход которой соединен с входой задающего генератора, а вы-, ход генератора электрически соединен с анализирующим электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, оно снабжено селективным усилителем переменного тока с выпрямителем на выходе, делителем напряжения и опорным источником постоянного тока, при этом селективный усилитель с выпрямителем включен между фотоэлектронным умножителем и первым входом схемы сравнения, делитель напряжения включен между выходом фотоэлектронного умножителя и вторым входом схемы сравнения, а третий выход g схемы сравнения соединен с опорным источником постоянного тока.
    I
SU823492548A 1982-09-22 1982-09-22 Устройство дл измерени потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе SU1058006A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823492548A SU1058006A1 (ru) 1982-09-22 1982-09-22 Устройство дл измерени потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823492548A SU1058006A1 (ru) 1982-09-22 1982-09-22 Устройство дл измерени потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1058006A1 true SU1058006A1 (ru) 1983-11-30

Family

ID=21029491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823492548A SU1058006A1 (ru) 1982-09-22 1982-09-22 Устройство дл измерени потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1058006A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Авторское свидетельство СССР № 256098,, кл. Н 0± J 37/26, 1968. 2. Авторское свидетельство СССР 672670, кл. Н 01 J 37/26, 1977 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4220854A (en) Method for the contactless measurement of the potential waveform in an electronic component and apparatus for implementing the method
US4460866A (en) Method for measuring resistances and capacitances of electronic components
Statham X‐ray microanalysis with Si (Li) detectors
US5260648A (en) Process and system for rapid analysis of the spectrum of a signal at one or several points of measuring
KR970000785B1 (ko) X선 분석장치
US4629889A (en) Potential analyzer
CA1048163A (en) Process and apparatus for the elementary and chemical analysis of a sample by spectrum analysis of the energy of the secondary electrons
GB2126355A (en) Potential analyzer
KR960012331B1 (ko) 시료표면 분석에 있어서 백그라운드 보정을 위한 방법 및 장치
SU1058006A1 (ru) Устройство дл измерени потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе
JP2723215B2 (ja) 動作中に集積回路の機能を監視する方法と装置
Barnett et al. Characteristics of an electron multiplier in the detection of positive ions
JP2001084946A (ja) 二次粒子検出器系の評価方法および粒子線装置
US4099054A (en) Sem having d-c bias of video signal controlled by maximum and/or minimum of crt beam current
GB2148050A (en) Ac-modulation quadrupole mass spectrometer
SU1274028A1 (ru) Устройство дл измерени потенциала поверхности в растровом электронном микроскопе
JP2828265B2 (ja) ガス洩れ検査装置
Eschard et al. Signal to Noise and Collection Efficiency Measurements in MicroChannel Wafer Image Intensifies
JP2001167726A (ja) 仕事関数像生成装置
US4412191A (en) Method and arrangement for quantitative potential measurements on surface-wave filters
RU2050326C1 (ru) Способ измерения поверхностных потенциалов
Barcz et al. Apparatus for surface microanalysis by nuclear reactions with automatic energy scanning
Martignoni et al. Rapid Determination of Electron Impact Ionization and Appearance Potentials
JP2937598B2 (ja) 深さ方向元素濃度分布測定装置
Fedak The determination of electron energy distributions at low energy