Изобретение относитс к микроэлектронике и может быть исгТол&зовано дл контрол топологического рисунка при изготовлении фотошаблонов дл полупроводниковых приборов и интегральных схем. Известен способ контрол совмещаемости фотошаблонов на оптическом компараторе, при котором изображени .контролируемых фотошаблонов проспируютс на экран и совмещаютс l j . Недостатком данного способа вл етс то, что он не позвол ет контролировать более двух фотошаблонов. Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ-контрол точности совмещени , при котором на подложку последовательно нанос т планки окиси кремни , по каждой из которых провод т пробную фотолитографию с использованием различных фотошаблонов комплекта, а затем измер ют погреши ности совмещени элементов топологического рисунка, расположенных в раз ных сло х .. Недостатком известного способа в л етс низка точность контрол , обусловленна тем, что границы элементов , расположенных в нижних сло х получаютс нечеткими. Цель изобретени - повышение точности контрол . Поставленна цель достигаетс тем что согласно способу контрол точнос ти совмещени при иикролитографии, включающему последовательную пропечатку рисунков топологических слоев на подложку путем пробных литографических процессов и измерение погрешностей совмещени , все пробные литографические процессы провод т по одной и той же прозрачной дл видимого света пленке, примем а каждом литографическом процессе микрогравировку осуществл ют на глубину ut, определ емую по формуле At . , где t - начальна толщина прозрачно пленки; N - количество литографических процессов. В результате осуществлени предла гаемого способа в прозрачной пленке .формируетс ступенчатый рельеф, Kf-xда ступенька которого соответствует определенному топологическому слою. Так как в процессе контрол на подложку не нанос тс ,никакие пленки, очертани элементов всех топологических рисунков остаютс четкими, что обеспечивает высокую точность контрол . На чертеже показан рельеф, получаемый в результате микрогравировки. В результате последовательной пропечатки рисунков топологических слоев на одну и ту же прозрачную пленку 1, расположенную на подложке 2, элементы этих рисунков представл ют собой углублени , вписанные друг в друга, и образуют ступенчатый рельеф 3 с четкими очертани ми каждой ступени. Затем подложку наблюдают под микроскопом в отраженном свете. При этом ступени рельеЛа оказываютс поразному окрашенными за счет интерференции лучей и 5 света, отраженных от нижней и.верхней поверхностей прозрачной пленки соответственно, что обеспечивает хорошую контрастность изображени . Далее провод т измерение погреш ностей совмещени с помощью специальных измерительных приспособлений, например окул рного микрометра. Пример. На стандартной стекл нной подложке, покрытой прозрачной дл видимого света пленкой фоторезиста типа ФП-617 выполн ют совмещенный рисунок семи топологических слоев линейной интегральной схемы.; Формирование осуществл ют на прецизионном фотоповторителе ЭМ-552 путем последовательной пропечатки семи промежуточных фотооригиналов со вре.менем экспонировани в семь раз меньше , чем при обычной экспозиции. Затем пластину обрабатывают в 0,5%-ном растворе КОН. В результате получают ступенчатый рельеф, где каждый топологический слой совмещенного рисунка имеет определенный цвет, и определенную глубину рельефа, что позвол ет четко определить границы элементов каждого , сло и точно оценить степень совмещенности контролируемых слоев. Таким образом, изобретение позвол ет повысить точность контрол , что при контроле совмещаемости комплектов фотошаблонов дает возможность повыситThe invention relates to microelectronics and can be used to control a topological pattern in the manufacture of photomasks for semiconductor devices and integrated circuits. There is a known method for controlling the compatibility of photomasks on an optical comparator, in which images of controlled photomasks are woken onto the screen and lj are juxtaposed. The disadvantage of this method is that it does not allow controlling more than two photomasks. The closest to the proposed method is the control of alignment accuracy, in which silicon oxide strips are successively applied to the substrate, each of which is subjected to test photolithography using various photomasks of the kit, and then the alignments of the alignment of elements of the topological pattern located in different layers. The disadvantage of the known method is the low accuracy of the control, due to the fact that the boundaries of the elements located in the lower layers are fuzzy. The purpose of the invention is to improve the accuracy of control. The goal is achieved by the fact that according to the method of controlling the accuracy of combining with icrolitography, including sequential printing of patterns of topological layers on a substrate by trial lithographic processes and measurement of errors of combining, all trial lithographic processes are performed on the same transparent for visible light film For each lithographic process, microgravings are carried out to a depth of ut defined by the formula At. where t is the initial thickness of the transparent film; N is the number of lithographic processes. As a result of the implementation of the proposed method, a step-like relief is formed in the transparent film, the Kf-xda step of which corresponds to a particular topological layer. Since no substrate is applied to the substrate during the inspection, no films, outlines of the elements of all topological patterns remain clear, which ensures high accuracy of control. The drawing shows the relief resulting from micro-engraving. As a result of the successive printing of patterns of topological layers onto the same transparent film 1 located on the substrate 2, the elements of these patterns are recesses inscribed into each other and form a stepped relief 3 with clear outlines of each step. Then the substrate is observed under a microscope in reflected light. At this stage, the relief of the relief is rendered in different ways by the interference of rays and 5 light reflected from the lower and upper surfaces of the transparent film, respectively, which ensures good image contrast. Next, the measurement of alignment errors is carried out using special measuring devices, such as an ocular micrometer. Example. On a standard glass substrate coated with a transparent for visible light photoresist film of the type FP-617, a combined pattern of seven topological layers of a linear integrated circuit is performed .; The formation was carried out on an EM-552 precision photo-repeater by successively printing seven intermediate photo originals with an exposure time seven times less than with a normal exposure. Then the plate is treated in 0.5% KOH solution. As a result, a stepped relief is obtained, where each topological layer of the combined pattern has a certain color, and a certain depth of the relief, which makes it possible to clearly define the boundaries of the elements of each layer and accurately estimate the degree of combination of the layers being monitored. Thus, the invention makes it possible to increase the accuracy of control, which, while controlling the combinability of sets of photomasks, makes it possible to increase
камество этих комплектов, а при технй- этой диагностики, что в конечном итоге ческой диагностике литографического приведет к повышению выхода годных иноборудовани повысить.достоверность тегральных схем.the monotony of these sets, and with the tech- nical of this diagnosis, which ultimately diagnoses lithography will lead to an increase in the yield of usable equipment to increase the accuracy of tegral circuits.