Изобретение относитс к электрон ной технике и может быть использова но в электронно-лучевых приборах с разверткой электронного луча. Известен способ формировани раз вертки электронного луча (изображени ) в электронно-лучевых приборах, снабженных проходной отклон ющей системой, при которйм отклон ющее высокочастотное напр жение подаетс в направлении распространени электронного .луча Cl ;. При этом фазовую скорость волны напр жени делают равной скорости электронов. В результате такого спо соба подачи напр жени компенсируетс падение чувствительности откло нени при высоких частотах отклон ю щего напр жени . Однако чувствитель ность отклон ющей системы при этом уменьшаетс вследствие взаимодействи электронного .луча с магнитным полем пластин. Известен способ формировани эле тронного изображени , включающий возбуждение бегущей волны напр жени в отклон ющей системе проходного типа, взаимодействующей с потоком электронов 2 . В известном способе направление распространени волны перпендикул р но направлению движени электронов, поэтому при малых длительност х управл ющих напр жений (в частности, при хронографической регистрации с. помощью врем анализирующего электро но-оптического преобразовател ) воз никает поворот изображени вследствие конечной скорости распростране ни напр жени развертки. При этом магнитное поле, обусловленное токами, текущимипо пластинам , совпадает по направлению с потоком электронов и поэтому не взаимодействует с ним, не оказыва , таким образом, вли ни на отклонение электронного луча. Цель изобретени - повышение чувствительности отклонени , уменьшение искажени , а также исключение поворота изображени . Указанна цель достигаетс соглас но способу формировани развертки электронного изображени а электронно-лучевых приборах, включающему возбуждение бегущей волны напр жени в отклон ющей системе проходного типа, взаимодействующей с потоком электронов, возбуждение бегущей волны напр жени осуществл ют в направлении , противоположном направлению дв 1жени потока электронов. На чертеже изображено устройство, реализующее предлагаемый способ. Отклон юща система, имеюща на выходе согласованные нагрузки 1 и 2 состоит из проходных пластин 3 и 4, коаксиальных вводов 5-8 и заземленного корпуса 9. Цифрой 10 обозначен электронный поток. Пусть на вводы 6 и 7 поданы линейно нарастающие напр жени соответственно положительной и отрицательной пол рности )u-rr U(t)-u-|-, где и и t - кшксимальна амплитуда и длительность развертки . Это вызывает разность потенциалов между пластиной 3 и корпусом 9, равную U(x;,t)U(t- -|-), ; ТОК В пластине 3 1х,(х, t) 4-U,(tи ток в пластине 1. к ч Z /, где Z - волновое сопрот1 лег . t ние линии пластина - корпус. Разность потенциалов между пластиной 3 и корпусом 9 и ток в пластине 3 ( t-f) соответственно равны U,;(x,t)U и i2(x,t) )/ Пара противоположно направленных токов i и i- создает магнитное поле, которое в пространстве между пластинами, согласно закону Био-Саварра , направлено по оси. Электрическое поле направлено от пластины А к пластине 3i т.е. параллельно оси Z. При распространении электромагнитного пол плотности энергии электрического и магнитного полей равны между собой, отсюда вытекает равенство напр женностей этих полей E2(x,t)H,((x,t). На электрон в отклон ющей системе действует сила . г- Н , где V - скорость электрона е - зар д, В случае движени электронов перпендикул рно направлению распространени отклон ющих напр жений (по оси у), т.е. вдоль силовых линий магнитного пол , последнее не воздействует на электроны, и формула (t) принимает вид .. При движении электронов в направении оси из формулы (1) следует F2(x,t)eE2(x,t)(lt ) Знак минус относитс к случаю; вижени электронов по направлению распространени отклон ющего напр жени , знак плюс - к случаю движени электронов во встречном напра лении. Интегриру уравнени движени элeкtpoнa в отклон ющей системе ( lif)U(tf ), (t-tJ -. ;, ;C V-VU-LO нэхбдим в частном случае линейно нарастающего напр жени чувствитель ность отклон ющей системы: € ук| ) E.llil 0 2 Uc,d где UQ, - анодное напр ж(ение; t- длина отклон ющих пластин; d - рассто ние между пластинами; h - рассто ние от центра пластин до экрана; m - масса электрона. Из (З ) видно, что при совпадении направлений распространени электро нов и волны напр жени развертки чувствительность отклон ющей системы уменьшаетс , в то врем как предлагаемый способ подачи напр жени развертки навстречу направлению распространени электронов приводит к увеличению чувствительности в () раз. Формула (3 ) верна при любой фор- . ме отклон ющих напр жений. При анодном напр жении U 11 кВ отклонение электронного луча на экране увел ичиваетс на 20%, Кроме того, предлагаемый способ подачи отклон ющего напр жени устран ет поворот изображени на экране , так как отклон ющее напр жение, действующее на электрон, не зависит от его положени в сечении пучка, т.е. от координат электрона у и z. Предлагаемый способ формировани развертки электронного изображени применим ив случае подачи напр жени только на одну пластину при заземленной второй пластине.. Предлагаемый способ повышает чувствительность отклонени и уменьшает искажени изображени .The invention relates to electronic engineering and can be used in electron beam devices with scanning an electron beam. A known method of forming the unwrapping of an electron beam (image) in an electron-beam device, equipped with a pass-through deflecting system, at which the deflecting high-frequency voltage is applied in the direction of propagation of the electron radiation Cl ;. In this case, the phase velocity of the voltage wave is made equal to the electron velocity. As a result of this method of supplying voltage, the drop in sensitivity of the bias is compensated for at high frequencies of deflecting voltage. However, the sensitivity of the deflecting system is reduced due to the interaction of the electron beam with the magnetic field of the plates. A known method of forming an electron image involves the excitation of a traveling voltage wave in a passing type deflection system interacting with a stream of electrons 2. In the known method, the direction of propagation of the wave is perpendicular to the direction of movement of the electrons, therefore, with short durations of control voltages (in particular, during chronographic registration with the help of the time of the analyzing electro-optical converter), the image is rotated due to the finite velocity of propagation groom sweep. In this case, the magnetic field caused by the currents flowing through the plates coincides in direction with the flow of electrons and therefore does not interact with it, thus not affecting the deflection of the electron beam. The purpose of the invention is to increase the sensitivity of the deviation, to reduce the distortion, and also to exclude the rotation of the image. This goal is achieved according to the method of forming an electronic image sweep on electron-beam devices, including the excitation of a traveling voltage wave in a passing-type deflecting system interacting with the electron flow, and the traveling voltage wave is excited in the opposite direction to the flow of electrons . The drawing shows a device that implements the proposed method. The deviating system, which has matched loads 1 and 2 at the output, consists of passage plates 3 and 4, coaxial inlets 5–8 and grounded casing 9. The figure 10 denotes the electron flow. Let the inputs 6 and 7 be supplied with linearly increasing voltages of positive and negative polarity, respectively) u-rr U (t) -u- | -, where and and t is the maximum amplitude and duration of the sweep. This causes a potential difference between the plate 3 and the housing 9, equal to U (x;, t) U (t - - | -),; CURRENT In the plate 3 1x, (x, t) 4-U, (t and the current in the plate 1. k h Z /, where Z is the wave resistance of a light t the line of the plate is the body. The potential difference between the plate 3 and the body 9 and the current in plate 3 (tf) is respectively equal to U,; (x, t) U and i2 (x, t)) / A pair of oppositely directed currents i and i - creates a magnetic field which, in the space between the plates, according to the law of Bio-Savarre directed along the axis. The electric field is directed from plate A to plate 3i i. parallel to the Z axis. When the electromagnetic field propagates, the energy densities of the electric and magnetic fields are equal to each other, hence the equality of the strengths of these fields is E2 (x, t) H, ((x, t). A force acts on the electron in the deflecting system. - H, where V is the electron velocity, e is the charge, In the case of electrons moving perpendicular to the direction of propagation of the deflecting stresses (along the y axis), i.e. along the magnetic field lines, the latter does not affect the electrons, and the formula ( t) takes the form .. When electrons move in the direction The axis from the formula (1) follows F2 (x, t) eE2 (x, t) (lt) The minus sign refers to the case; the electrons move in the direction of propagation of the deflecting voltage, the plus sign to the case of electrons moving in the opposite direction Integrating the equation of motion of an electron in a deflecting system (lif) U (tf), (t-tJ -.,;; C V-VU-LO nechbdim in a particular case of linearly increasing voltage, the sensitivity of the deflecting system: € ук |) E.llil 0 2 Uc, d where UQ, is the anodic voltage (s; t is the length of the deflecting plates; d is the distance between the plates; h is the distance from the center of the plates to the screen; m is the electron mass. It is clear from (3) that if the propagation directions of the electrons and the sweep voltage wave coincide, the sensitivity of the deflecting system decreases, while the proposed method of applying the sweep voltage to the direction of the electron propagation increases the sensitivity by () times. Formula (3) is true for any form. deflection stresses. With an anode voltage of U 11 kV, the deflection of the electron beam on the screen is increased by 20%. In addition, the proposed method of applying a deflection voltage eliminates the rotation of the image on the screen, since the deflection voltage acting on the electron does not depend on it position in the beam section, i.e. from the coordinates of the electron y and z. The proposed method of forming an electronic image scan is applicable in the case of applying voltage only to one plate with the second plate grounded. The proposed method increases the sensitivity of the deviation and reduces image distortion.