Изобретение относитс к неразрушающему контролю и может быть испол зовано при ультразвуковом контроле качества материалов и изделий. Известен способ обнаружени и оп ределени координат залегани дефек та, заключающийс в том, что на поверхности издели фиксируют в не- скольких точках продольную либо поперечную волну, котора -возникает при образовании дефекта, и по триан гул ционному методу определ ют коор динаты дефекта l. Однако с помощью этого способа невозможно определить глубину залегани дефекта, поскольку нельз определить врем распространени волн из-за сложной волнойой картины, сос то щей из пр мых и отраженных продольных и поперечных волн. Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату вл етс способ определени местоположени дефекта в изделии, заключающийс в том, что на поверхности издели принимают импульс рэлеевской волны, возникающий при развитии дефекта, измер ют врем прихода этого импульса и по нему суд т о местоположении дефекта 12, . . Недостаток известного способа-за ключаетс в недостаточной информа-. тивности контрол , св занной с тем, что при его ocs цecтвлeнии невозможно определить глубину.залегани дефекта . Целью изобретени вл етс расширение технологических возможностей контрол путем определени глубины зсшегани дефекта , Эта цель достигаетс тем, что со ласно способу определени местополо жени дефекта в изделии, заключающе мус в том, что на поверхности изде ли принимают импульс рэлеевской во ны, возникающей при развитии дефект измер ют врем прихода этого импуль и по нему суд т о местоположении де фекта, измер ют спектр рэлеевской в ны, а глубину залегани дефекта опр дел ют по верхней частоте, соответ- ствующей половине амплитуды максимальной составл ющей спектра. На .чертеже представлена зависимость между верхней частотой спектра импульса рэлеевской волны и глубиной залегани дефекта, вл ющегос инициатором этой рэлеевской . Способ определени местоположени дефекта в изделии осуществл етс следующим образом. На контролируемом изделии устанавливают приемники рэлеевской волны . При развитии дефекта на поверхности издели возникает рэлеевска волна. По времени прихода этой волны в разных точках можно судить о местоположении дефекта. Анализиру спектр рэлеевской волны и определ его верхнюю частоту, можно судить о глубине залегани дефекта в изделии . Это св зано с тем, что амплитуда рэлеевских волн, излучаемых дефектом , наход щийс на глубине ii под поверхностью издели , зависит от соотношени между глубиной залегани и длиной волны Л , на которой происходит излучение данной амплитуды . Чем больше глубина залегани дефекта, тем меньше амплитуда частотной составл ющей. Спектр излучени всех дефектов практически вл етс одинаковым, но спектры рэлеевской волн, принимаемых датчиками на поверхности издели отличаютс из-за разной степени затухани . Поскольку наибольша крутизна огибающих кривых спектра наблюдаетс на частоте, соответствующей половине амплитуды, максимальнойсоставл ющей спектра, то эту верхнюю частоту выбирают в ка .честве информативного параметра. Таким образом, способопределени местоположени дефекта в изделии позвол ет с большой точностью Ьпредел тЬ глубину залегани дефекта, так как рэлеевска волна достигает приемник,, расположенный на поверхности издели , только единственным путем и. затухает в изделии в меньшей степени, чем объемные волны.The invention relates to non-destructive testing and can be used in ultrasonic quality control of materials and products. A known method for detecting and determining the coordinates of a defect bed consists in that a longitudinal or transverse wave is fixed at several points on the surface of the product, which arises during the formation of the defect, and the coordinates of the defect l are determined by the triangulation method. However, using this method, it is impossible to determine the depth of the defect, since it is impossible to determine the time of wave propagation due to a complex wave pattern, consisting of direct and reflected longitudinal and transverse waves. The closest to the invention in technical essence and the achieved result is a method for determining the location of a defect in a product, which consists in that a pulse of Rayleigh wave arising from the development of a defect is received on the surface of the product, the time of arrival of this pulse is measured and its position is measured defect 12,. . The disadvantage of this method is the lack of information. control, associated with the fact that during its occlusion it is impossible to determine the depth of the lane defect. The aim of the invention is to expand the technological capabilities of the control by determining the depth of the flaw of the defect. This goal is achieved in that according to the method of determining the location of the defect in the product, which means that the device receives an impulse of Rayleigh war arising from the development the time of arrival of this pulse is measured and the location of the defect is judged by it, the spectrum of the Rayleigh wave is measured, and the depth of the defect is determined by the upper frequency corresponding to half the amplitude s maximum spectrum component. The drawing shows the relationship between the upper frequency of the pulse spectrum of the Rayleigh wave and the depth of the defect, which is the initiator of this Rayleigh wave. The method for determining the location of a defect in a product is carried out as follows. Relay Rayleigh waves are installed on the controlled product. When a defect develops, a Rayleigh wave arises on the surface of the product. By the time of arrival of this wave at different points, you can judge the location of the defect. Analyzing the spectrum of the Rayleigh wave and determining its upper frequency, one can judge the depth of the defect in the product. This is due to the fact that the amplitude of the Rayleigh waves emitted by the defect, located at a depth of ii below the surface of the product, depends on the ratio between the depth of the floor and the wavelength L, at which this amplitude is emitted. The greater the depth of the defect, the smaller the amplitude of the frequency component. The emission spectrum of all defects is practically the same, but the spectra of Rayleigh waves received by sensors on the surface of the product differ due to the different attenuation degree. Since the greatest steepness of the spectral envelopes is observed at a frequency corresponding to half the amplitude, the maximum component of the spectrum, this upper frequency is chosen as an informative parameter. Thus, the method of determining the location of a defect in a product allows, with great accuracy, determining the depth of the defect, since the Rayleigh wave reaches the receiver located on the surface of the product in only one way and. attenuates in the product to a lesser extent than body waves.