Изобретение относитс к электрбн нод ехнике и может быть использова дл контрол качества полупроводнйковых приборов. .Известно устройство дл измерени импульсного теплового сопротивлени полупроводниковых диодов, со держащее генератвр грек дего тока, формирователь импульсов, мостовую схему и .рсцилограф Cl .. Недостатком данного устройства вл етс низка производительность, так как контроль осуществл етс визуально на осциллографе. Наиболее близким к предлагаемсму вл етс устройство дл измерени теплового сопротивлени транзисторов , содержащее генератор посто нно грек1щего тока, подключенный между эмиттером и базой транзистора, межд коллектором и базой которого включен источник коллекторного напр жени J Однако известное устройство имее низкую производительность и не реагирует на скорость изменени термочувствительного параметра (напр жени между эмиттером и базой контролируемого транзистора), что может привести к разрушению контролируемог транзиотора при наличии дефектов в его структуре (возникновение Гор чих п тен , т.е. шнурование тока ) . Цель изобретени - защита контролируемого транзистора от разрушеПоставленна цель достигаетс тем,.что в устройство дл контрол теплового сопротивлени транзисторов содержащее генератор посто нного тока, подключенный между эмиттерсм и базой транзистора, между коллектором и базой которого включен источник коллекторного напр жени , введены компаратор и блок дифференцировани , а источник коллекторного напр жени выполнен в виде генератора пилообразного напр жени , управл ющий вход которого соединен с управл ющим входом генератора посто нного греющего тока и выходом компаратора, вход которого соединен с выходом блока дифференцировани , который своим входом подключен к эмиттеру и базе транзистора. На.чертеже приведена блок-схема устройства дл контрол теплового сопротивлени транзисторов. Устройство содержит генератор 1 посто нного греющего тока, источник 2 коллекторного напр жени , выполнен ный в виде генератора пилообразного напр жени , компаратор 3, контролируемый транзистор 4, подключенный коллектором к источнику 2 коллекторного напр жени , эмиттером - к генератору греющего тока, управл ющий вход которого соединен с выходом компаратора 3, и блока 5 дифференцировани , вход которого подключен к переходу эмиттер-база контролируемого транзистора 4, а его выход соедипе нен с входом коипаратора 3, вьосод которого подключен к управл ющему входу источника 2 коллекторного напр жени . Устройство работает следующим образом. При поступлении на контролируемый транзистор 4 заданного гpeaajero тока от генератора 1 и коллекторного напр жени от источника 2 через него : начинает протекать ток, который разогревает его и тем самым вызывает изменение напр жени на переходе эмиттер-база контрблируемого транзистора Дл идеального транзистора с однородным распределением плотности тока и температурщ зависимость ) вл етс линейной вплоть до значений П, при которых происходит лави71ный пробой коллекторного перехода . Крутизна харктеристики i(UKe) определ етс следующим выражением . . . I вЦэб ат . .-tgrJ, au;;0V . где Ugg - напр жение эмиттер-база; UKS - напр жение коллектор-база Т - температура перехода; посто нный ток эмиттера; тепловое сопротивление; коллекторный ток; угол наклона характеристики Иэб S() . Из приведенного выражени следует,, что крутизна . пропорциональна тепловому сопротивлению транзистора RT при посто ннее значении te и .Следовательно, чем больше R, тем больше igu , При увеличении напр жени К g в широком диапазоне распределение плотности тока и температуры в идеальной одели тр анэистора остаетс однородHfcjM , величины R и практически не менаютс , а характеристика i.(U.ff:} сохран етс линейной. -cons : В реальных структурах транзистоов в определенных режимах происхо- ит нарушение однородного распреелени плотности тока и температуры Образование гор чих п тен з-за различных дефектов в структуре ранзисторов, что про вл етс в виде 310355 увеличени крутизны характеристики { (UK) . Напр жение контролируемого травэистора 4 поступает на блок дифференцировани 5, который определ ет крутизну характеристики ( ° выхода сигнал поступает на компаратор 3, который производит сравнение уровн сигнала. поступающего с блока дифференцировани 5, с заданным значением. Таким 0. обрдзом производитс оценка теплойого сопро ивлени транзистора. В, :случае, если уровень сигнала с бло-404 ка 5 превысит «орму, то компаратор 3 вырабатывает сигнал.и отключает подачу сигналов с генератора 1 греющего тока и источника коллекторного напр жени 2 на контролируемый транзистор 4 и тем самым происходит зацита контролируемого транзистора от разрушени . Положительный эффект устройства дл контрол теплового сопротивлени транзисторов обеспечиваетс заацитой контролируемого транзистора от разрушени и автоматизации контро л .The invention relates to an electronic equipment node and can be used to control the quality of semiconductor devices. A device for measuring the pulsed thermal resistance of semiconductor diodes is known, which contains a Greek current generator, a pulse shaper, a bridge circuit, and a Rossilograph. The drawback of this device is low productivity, since the monitoring is carried out visually on an oscilloscope. The closest to the present invention is a device for measuring the thermal resistance of transistors, which contains a constant-current generator connected between the emitter and the base of the transistor, between the collector and the base of which is connected to the source of the collector voltage J However, the known device has poor performance and does not respond to the rate of change thermally sensitive parameter (voltage between the emitter and the base of the controlled transistor), which can lead to the destruction of the controlled transistor in the presence of defects in its structure (the occurrence of hot spots, i.e. current pinching). The purpose of the invention is to protect the monitored transistor from being destroyed. The aim is achieved by the fact that a comparator and a differentiation unit are inserted into a device for monitoring the thermal resistance of transistors containing a DC generator connected between emitters and the base of the transistor. , and the source of the collector voltage is made in the form of a sawtooth generator, the control input of which is connected to the control input of the generator Pa constant heating current and the output of the comparator, the input of which is connected to the output of the differentiation unit, which is connected by its input to the emitter and the base of the transistor. The drawing shows a block diagram of a device for monitoring the thermal resistance of transistors. The device contains a generator of constant heating current, a source of collector voltage 2, made in the form of a sawtooth generator, a comparator 3, a controlled transistor 4 connected by a collector to a source of collector voltage 2, an emitter to a generator of heating current, a control input which is connected to the output of the comparator 3, and differentiation unit 5, the input of which is connected to the emitter-base junction of the controlled transistor 4, and its output is connected to the input of the co-parator 3, the diode of which is connected control input 2 of the collector source voltage. The device works as follows. When a given gpeaajero current from the generator 1 and the collector voltage from source 2 passes through the controlled transistor 4: a current begins to flow, which heats it and thereby causes a change in the voltage of the emitter-base junction of the counterpartable transistor For an ideal transistor with a uniform density distribution current and temperature dependence is linear up to the values of P, at which a breakdown of the collector junction occurs. The slope characteristic i (UKe) is defined by the following expression. . . I in CEB at. .-tgrJ, au ;; 0V. where Ugg is the emitter-base voltage; UKS - collector-base voltage T - transition temperature; direct current emitter; thermal resistance; collector current; angle of inclination of the Ieb S characteristic (). From the above expression, it follows that the slope. proportional to the thermal resistance of the transistor RT at a constant value of te and. Consequently, the greater the R, the greater the igu. As the voltage K g increases over a wide range, the current density and temperature distribution in the ideal fit of the anistor remain HfcjM, the values of R and practically do not change , and the characteristic i. (U.ff:} is kept linear. -cons: In real structures of transistors in certain modes, the homogeneous distribution of current density and temperature occurs. The formation of hot spots due to various defaults in the structure of ranzistors, which manifests itself in the form of 310355 increase in the slope of the characteristic {(UK). The voltage of the controlled traveistor 4 goes to differentiation unit 5, which determines the steepness of the characteristic (° output signal goes to the comparator 3, which compares the signal level Coming from the differentiation unit 5, with a given value. Thus, the evaluation of the warm resistance of the transistor is carried out. B,: if the signal level from the block 404 ka 5 exceeds the form, the comparator 3 generates a signal. And turns off the signals from the heating current generator 1 and the source of the collector voltage 2 to the controlled transistor 4 and thus the occluded controlled transistor occurs from destruction. The positive effect of the device for controlling the thermal resistance of the transistors is ensured by the hardening of the controlled transistor from destruction and automation of the controller.