SU1025010A1

SU1025010A1 - Triangular-trapezoidal voltage generator

Info

Publication number: SU1025010A1
Application number: SU813321453A
Authority: SU
Inventors: Павел Валентинович Корнев; Самуил Борисович Райхель
Original assignee: Предприятие П/Я В-2962
Priority date: 1981-07-15
Filing date: 1981-07-15
Publication date: 1983-06-23

Description

Изобретение относитс к импульс .ной технике и может быть использоваНр , например, в устройствах отображени информации.The invention relates to a pulse technique and can be used, for example, in information display devices.

Известен генератор линейно измен ющегос напр жени , содержащий зар дный и разр дные источники тока на транзисторах разного типа проводимости , коллекторы которых соединены через стабилитронj анод и катод стабилитрона через резисторы соединены с конденсатором и входом усили тел , выход которого через ключи соединен с анодом или катодом стабилитрона .A linearly varying voltage generator is known, containing charge and discharge current sources on transistors of different conductivity types, the collectors of which are connected via an Zener diode anode and cathode of a Zener diode through resistors connected to a capacitor and the input force of the bodies, whose output is connected to the anode or cathode zener diode.

Недостатком этого устройства вл етс его низкое быстродействие.A disadvantage of this device is its low speed.

Наиболее близким к изрб.ретению вл етс генератор треугольно-трапецеидального напр жени , содержащий первый р-п-р транзистор, эмиттер которого через первый резистор подключен к шине источника положительного напр жени , коллектор - к потенциальной обкладке конденсатора и к коллектору первого п-р-п транзистора, эмиттер которого через второй резистор подключен к шине источника отрицательного напр жени , третий и четвертый резисторы, первые выводы которых подключены соответственно к шинам источников положительного и отрицательного напр жений, второй ri-p-n. транзистор, эмиттер которого через п тый резистор соединен с шиной источника отрицательного напр жени , база соединена с базой первого п-р-п транзистора, второй р-п-р транзистор и шестой резистор .The closest to the current resolution is a triangular-trapezoidal voltage generator, containing the first pp transistor, the emitter of which through the first resistor is connected to the positive voltage source bus, the collector to the potential capacitor plate and to the first pr collector -n transistor, the emitter of which through the second resistor is connected to the bus of the source of negative voltage, the third and fourth resistors, the first terminals of which are connected respectively to the buses of the sources of positive and negative voltages second ri-p-n. a transistor whose emitter is connected via the fifth resistor to the negative voltage source bus; the base is connected to the base of the first npp transistor, the second pnp transistor and the sixth resistor.

Недостатком известного устройства вл етс низка стабильность работы.A disadvantage of the known device is the low stability of operation.

Целью изобретени вл етс повышение стабильности в работе устройства ..The aim of the invention is to increase the stability of the device.

Поставленна цель достигаетс тем, что в генератор треугольно-трапецеидального напр жени , содержащий первый р-п-р транзистор, эмиттер которого через первый резистор подключен к шине источника положительно .го напр жени , коллектор - к потенциальной обкладке конденсатора и к коллектору первого п-р-п транзистора эмиттер которого через второй резистор подключен к шине источника отриц тельного напр жени , третий и четвертый резисторы, первые выводы кото х подключены соответственно к PJHнам источников положительного и отрицательного напр жений, второй п-р-п транзистор, эмиттер которого через п тый резистор соединен с шиной источника Отрицательного напр жени , база соединена с базой первого п-р-п транзистора, второй р-п-р транзистор и шестой резистор, введены седьмой и восьмой резисторы, операционный Q усилитель, инвертирующий вход которого соединен с общей шиной устройства , неинвертйрующий вход - с коллекторами вторых п-р-п и р-п-р транзисторов , выход - с первыми выводамиThe goal is achieved by the fact that the generator of a tri-trapezoidal voltage, containing the first pp transistor, the emitter of which through the first resistor is connected to the source bus, has a positive voltage, the collector is connected to the potential capacitor plate and The pp of the transistor is an emitter of which, via the second resistor, is connected to the negative voltage source bus, the third and fourth resistors, the first terminals of which are connected respectively to the PJH on the positive and negative sources The second pnp transistor, the emitter of which through the fifth resistor is connected to the negative voltage source bus, the base is connected to the base of the first pnp transistor, the second pnp transistor and the sixth resistor, are introduced the seventh and the eighth resistors, the operational Q amplifier, the inverting input of which is connected to the common bus of the device, the non-inverting input - to the collectors of the second npp and pnp transistors, the output - to the first terminals

шестого и седьмого резисторов, второй вывод шестого резистора - со вторым выводом четвертого резистора «базой первого п-р-п транзи тора, : второй вывод седьмого резистора сое- . динен со вторым выводом третьего резистора , с базой первого р-п-р транзистора и базой второго р-п-р транзистора , Эмиттер которого соединен через восьмой резистор с источником . положительного напр жени .the sixth and seventh resistors; the second output of the sixth resistor — with the second output of the fourth resistor “base of the first npp transistor,: the second output of the seventh resistor co-. dinene with the second output of the third resistor, with the base of the first pp transistor and the base of the second pp transistor, the Emitter of which is connected through the eighth resistor to the source. positive voltage.

На чертеже приведена принципиальна электрическа схема устройства. Устройство содержит первый р-п-р транзистор 1, первый резистор 2 конденсатор 3 первый п-р-п транзистор , второй резистор 5, третий 6 и четвертый 7 резисторы,.вторюй п-р-п транзистор 8, п тый резистор 5 шины 10 и 11 источников положительного и отрицательного напр жений,The drawing shows a circuit diagram of the device. The device contains the first ppp transistor 1, the first resistor 2, the capacitor 3, the first pnp transistor, the second resistor 5, the third 6 and the fourth 7 resistors, the second pnp transistor 8, the fifth resistor 5 bus 10 and 11 sources of positive and negative voltages

5 второй р-п-р транзистор 12 операционный усилитель 13, шестой lA, седьмой 15 восьмой 16 резисторы, а Также транзисторы 17 и 18 управлени .5 the second pnp transistor 12 operational amplifier 13, the sixth lA, the seventh 15th the eighth 16 resistors, and also the transistors 17 and 18 of the control.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

Дл формировани линейно нарастающего напр жени .на базы транзисторов 17 и 18 управлени подаетс напр жение большее, чем на базах транзисторов 1 и Ц соответственно. При этом происходит зар д конденсатора 3 током истс чника на транзисторе 1.To form a linearly increasing voltage, a higher voltage is applied to the base of the transistors 17 and 18 than to the bases of the transistors 1 and C, respectively. When this happens, the capacitor 3 is charged by the source current on the transistor 1.

Дл формировани линейнр спадающего напр жени на базы транзисторовTo form a linear voltage falling across the base transistors

0 17 и 18 подаетс напр жение меньшее, чем на базах транзисторов 1 и i соответственно . При этом происходит разр д конденсатора 3 током источника на транзисторе k,0 17 and 18 voltage is applied less than on the bases of transistors 1 and i, respectively. When this occurs, the discharge of the capacitor 3 by the current source on the transistor k,

Дл формировани плоского участка трапецеидального напр жени на базу транзистора 17 подаётс напр жение меньшее, чем на базе транзистора 1, а на базу транзистора 18 - большее. чем на базе транзистора i. При этом оба транзистора 1 и k выключены, и на конденсаторе 3 поддерживаетс посто нный уровень напр жени . Симметри формы треугольного и трапецеидального напр жени зависит от того, насколько равны токи зар дного и разр дного источников тока.. В рассматриваемом устройстве нераг BeiHCTBo токов сведено к минимальной величине схемой компенсации, включаю щей в себ два источника тока на . транзисторах 8 и 12 и операционный усилитель 13. Транзисторы 1, 12,Г и 8 представл 1рт собой интегральные пары. Характеристики транзисторов каждой интегральной пары идентичны . Поскольку сопротивлени резйс iTopoo 2, 16 и 5 9 попарно равны, а транзисторы 1, 12 и k, 8 идентичны, то индентичны и источники тока. На .пр жение на выходе операционного уси лител 13 поддерживаетс таким, чтобы создать нулевой потенциал в точке соединени коллекторов транзисторов 12 и 8. Поскольку источник тока на трай(зисторе 1 индентичен источнику ,тока на транзисторе 12, а источник трка на транзисторе f - источнику то ка на. транзисторе 8, то устанавливав ютс равные токи и у транзисторов 0 1 и -. Этим обуславливаетс высока симметричность выходного напр жени устройства. При воздействий температуры из-за различий температурнмх характеристик транзисторов 12 и 8, равенство токов источников тока нарушаетс - ток транзистора 12 больше, чем у.тран-зистора 8, это вызывает увеличение напр жени на иеинвертирующем входе операцирнного усилител 13 что вызывает увеличение напр жени на его выходе. При этом ток транзистора 12 уменьшаетс , а транзистора 8 растет. Этот процесс происходит до тех пор, пока токи транзисторов не сравн ютс , а ввиду идентичности температурных характеристик транзисторов 1, 12 и kf В сравн ютс токи и у источников тока на транзисторах 1 и. t. В предлагаемом устройстве равенство токов зар дного и разр дного источников тока сохран етс в широком диапазоне температур, что Обеспечивает высокую симмет|жчность выходного напр жени и повышает стабильность работы устройства. Отсутствие элемента регулировки noлoжитeльнq вли ет на эксплуатационные качества устройства . To form a flat section of trapezoidal voltage, a lower voltage is applied to the base of transistor 17 than to the base of transistor 1, and more to the base of transistor 18. than transistor-based i. In this case, both transistors 1 and k are turned off, and a constant voltage level is maintained on the capacitor 3. The symmetry of the shape of the triangular and trapezoidal voltage depends on how equal the currents of the charging and discharge current sources are. In the device under consideration, the current BeiHCTBo of the currents is reduced to the minimum value by a compensation circuit that includes two current sources. transistors 8 and 12 and operational amplifier 13. Transistors 1, 12, G and 8 are 1p integrated circuits. The transistor characteristics of each integral pair are identical. Since the resistors of the iTopoo 2, 16 and 5 9 are pairwise equal, and the transistors 1, 12 and k, 8 are identical, the current sources are identical. The output voltage of the operational amplifier 13 is maintained so as to create a zero potential at the collector junction point of transistors 12 and 8. Since the current source is tray (resistor 1 is identical to the source, current at transistor 12 and source at transistor f is at source This transistor 8, then equal currents are established and the transistors 0 1 and -. This causes a high symmetry of the output voltage of the device. Under the effects of temperature due to differences in temperature characteristics of transistors 12 and 8, the equality current sources are broken - the current of transistor 12 is greater than that of transistor 8, this causes an increase in the voltage on the inverting input of the operational amplifier 13, which causes an increase in the voltage on its output, while the current of transistor 12 increases. This process occurs until the currents of the transistors are compared, and because of the identical temperature characteristics of the transistors 1, 12 and kf B, the currents of the current sources at transistors 1 and 2 also compare. t. In the proposed device, the equality of the currents of the charge and discharge current sources is maintained over a wide range of temperatures, which ensures a high symmetry of the output voltage and increases the stability of the device. The absence of an adjustment element positively affects the performance of the device.

Claims

A TRIANGULAR-KEY VOLTAGE GENERATOR containing a first rp transistor, the emitter of which is connected through the first resistor to the bus of the positive voltage source, the collector to the potential lining of the capacitor and to the collector of the first rp transistor, the emitter of which the second resistor is connected to the bus of the source of negative voltage, the third and fourth · resistors, the first conclusions of which are connected respectively to the buses of the sources of positive and negative voltages, the second pnp transistor, em which through the fifth resistor is connected to the bus of the source of negative voltage, the base is connected to the base of the first rfp transistor, the second rpp transistor and the sixth resistor, characterized in that, in order to increase stability in operation, they are introduced into it seventh and eighth resistors, an operational amplifier, the inverting input of which is connected to the common bus of the device, non-inverting input - with the collectors of the second transistors and rpp transistors, the output - with the first terminals of the sixth and seventh resistors, the second terminal of the sixth resistor - from sec with the output of the fourth resistor and the base of the first pp transistor, the second output of the seventh resistor with the second pin of the third resistor, with the base of the first pp transistor and the base of the second pp transistor, the emitter of which is connected through the eighth resistor with a source of positive voltage.

1 '