изобретение относитс к радиотехнике сверхвысоких частот и может быт использовано в радиосистемах различного назначени в качестве преобразовател частоты. Известен смеситель, состо щий из шлейфной линии передачи с .подключенными к ней трактами сигнала и гет родина, и полупроводниковые диоды til Однако известный смеситель обеспечивает требуекнле параметры только в узком диапазоне частот. Цель изобретени - расширение рабочего диапазона частот. Поставленна цель достигаетс тем что шлейфна лини передачи выполнена в виде элёктромагнитно св занных и короткозамкнутых с обоих концов первого и второго отрезков линии передачи, при этом на рассто нии Х/2 от их короткозамкнутых концов к первс лу отрезку линии передачи под ключен тракт сигнала, а к вто|рому от резку линии передачи - тракт гетеродина , и к обоим отрезкам линии передачи на рассто нии Л/4 от их короткозалжнутых концов подключены полупроводниковые диоды, где Л- - рабо ча длина волны. На чертеже приведена электрическа схема смесител . Смеситель содержит шлейфную линию передачи, состо щую из первого 1 и второго 2 отрезков линии передачи, которые; электромагнитно св заны межд собой и короткозамкнуты с обоих концов 3, На рассто нии; jL/2 от короткозамкнутых концов 3 к первому 1 отрезку линии передачи подключен тракт 4 сигнала, а к второму 2 отрезку линии передачи - тракт 5 гетеродина. К первому 1 и к второму 2 отрезкам линии передачи на.рассто нии /1/4 от их короткозамкнутух концов 3 подключены полупроводниковые диоды б, через элементы 7 согласовани . Высокочастотный сигнал через тракт 4сигнала поступает на первый 1 отрезок линии передачи. Так как оба плеча первого 1 отрезка линии передачи равны между собой и имеют элект рическую длину, равную Х/2, то в точках подключени полупроводниковых диодов 6 образуетс пучности напр жени сигнала. Аналогично высокочастотный сигнаЛ через тракт 5 гетеродина поступает на второй 2 отрезок линии передачи. Так как режим работы первого 1 и второго 2 отрезков 1инии передачи , одинаков, то тракт 4 игнала и тракт 5гетеродина электромагнитно взаимно.; разв заны в широком диапазоне частот; Надтройка на резонансную частот.у, . полупроводниковых диодов б,включенных на рассто нии Л/4 от короткозамкну-, тых концов 3 первого 1 и второго 2 отрезков линии передачи, обеспечиваетс элементами 7 согласовани ; Применение предлагаемого смесител позвол ет обеспечить требуемые параметры в широком диапазоне частот :(i:60%).The invention relates to microwave technology and can be used in radio systems for various purposes as a frequency converter. A mixer is known, consisting of a stub transmission line with signal paths and a homewire connected to it, and til semiconductor diodes. However, a known mixer provides the required parameters only in a narrow frequency range. The purpose of the invention is to expand the operating frequency range. The goal is achieved by the fact that the stubby transmission line is made in the form of electromagnetically coupled and short-circuited at both ends of the first and second segments of the transmission line, while at a distance X / 2 from their short-circuited ends to the first segment of the transmission line the signal path is connected, the second path from cutting the transmission line is the heterodyne path, and semiconductor diodes are connected to both segments of the transmission line at a distance of L / 4 from their short-cured ends, where L is the working wavelength. The drawing shows the electrical circuit of the mixer. The mixer contains a stub transmission line consisting of the first 1 and second 2 segments of the transmission line, which are; they are electromagnetically interconnected and short-circuited at both ends 3, at a distance; jL / 2 from the short-circuited ends 3 to the first 1 segment of the transmission line is connected to the 4 signal path, and to the second 2 segment of the transmission line - to the local oscillator 5. Semiconductor diodes b are connected to the first 1 and to the second 2 segments of the transmission line at a distance of 1/4 from their short-circuited ends 3, through matching elements 7. The high-frequency signal through the 4-signal path is fed to the first 1 segment of the transmission line. Since the two arms of the first 1 segment of the transmission line are equal to each other and have an electric length equal to X / 2, the signal voltage antinodes are formed at the connection points of the semiconductor diodes 6. Similarly, the high-frequency signal through the path 5 of the local oscillator enters the second 2 segment of the transmission line. Since the operation mode of the first 1 and second 2 segments of the transmission line is the same, the path 4 is ignited and the path of the 5 heterodyne is mutually electromagnetic; developed in a wide range of frequencies; Superstructure on the resonant frequency.,. semiconductor diodes b, included at a distance of L / 4 from short-circuited, solid ends 3 of the first 1 and second 2 segments of the transmission line, is provided by the matching elements 7; The application of the proposed mixer allows to provide the required parameters in a wide frequency range: (i: 60%).