SU1003326A1

SU1003326A1 - Null device

Info

Publication number: SU1003326A1
Application number: SU813349280A
Authority: SU
Inventors: Марат Мансурович Сиразетдинов
Original assignee: За витель М.М. Сиразетдинов МС1;, . .| «... . I
Priority date: 1981-10-26
Filing date: 1981-10-26
Publication date: 1983-03-07

Description

Изобретение относитс к электроизмерительной технике и может-найти применение v различных мостовых -схемах посто нного тока.The invention relates to electrical measuring technology and may be used v different bridged DC circuits.

Известны нуль-органы, выполненные . на основе многокаскадных усилителей посто нного тока 17|.Known zero-bodies performed. based on multi-stage dc amplifiers 17 |.

Недостатками данных органов вл ютс низка надежность, значительное потребление энергии и отсутствие индикации состо ний.The disadvantages of these organs are low reliability, significant energy consumption and lack of indication of states.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс нуль-орган, содержащий два ключа на транзисторах противоположного типа проводимости, входы которых подключены к входной шине, два светоизлучс1ющих диода и источники питани С2.The closest in technical essence to the present invention is a null-organ containing two keys on transistors of the opposite conductivity type, the inputs of which are connected to the input bus, two light-emitting diodes and power sources C2.

Недостатками известного нуль-органа вл ютс низка чувствительность и мгшые функциональные возможности из-за отсутстви возможности индицировать нулевое состо ние.The disadvantages of the known null organ are low sensitivity and mgsh functionality due to the inability to indicate the zero state.

Цель изобретени - повышение чувствительности и расширение функциональных возможностей за счет индикации нулевого состо ни .The purpose of the invention is to increase the sensitivity and enhance the functionality by indicating the zero state.

Указанна цель достигаетс тем, что в нуль-Орган, содержащий два ключа на транзисторах противоположного типа проводимости, входы которых подключены к входной шиие, два светоизлучающих диода и источники |питани , введены.два источника тока на транзисторах противоположного типа проводимости, дополнительный светоизлучак ций диод и два стабилитрона ,, причем управл ющие входы источников тока подключены к выходам This goal is achieved by the fact that a null-organ containing two keys on transistors of the opposite conductivity type, whose inputs are connected to the input bus, two light-emitting diodes and power sources, has been introduced. Two current sources on transistors of the opposite conductivity type, additional light emitting diodes and two zener diodes, the control inputs of the current sources connected to the outputs

10 ключей на транзисторе, светоизлучак цие диоды подключены мезкду выходами источников тока и шинами источника питани через стабилитрон, а дополнительный светоизлучающий диод под15 ключён между выходами источников тока .10 keys on the transistor, the light emitting diodes are connected to the bridge between the current source outputs and the power supply busbars via a zener diode, and an additional light emitting diode is connected between the current source outputs.

На чертеже поиведена принципиальна злектрическа схема предлагаемого нуль-органа.In the drawing, the electrical circuit of the proposed zero-organ is shown in principle.

2020

Нуль-орган содержит ключи на полевых транзисторах 1 и 2 с каналом п-типа и с каналом р-типа. Применение полевых транзисторов позвол ет избавитьс от цепей смещени в цеп х 25 затворов и значительно повысить входное сопротивление нуль-органа. Затворы полевых транзисторов 1 и 2 подключены к входной шине через резисторы 3 и 4, предотвращающие па30 дение входного сопротивлени нульоргана при пр мом смещении р-п-пе- реходов затвор - сток. Входы источников тока на транзисторах р-п-ри п-р-п-типов подключены соответственно к стокам транзисторов 1 и 2. Между выходами транзисторных источников 5 и 6 тока подключен дополнительный светоизлучающий диод 7. Основные светоизлучающие диоды 8 и 9 подключены через стабилитроны 10 и 11 между выходами источников 5 и б тока и шинами 12 и 13 источников питани .The zero-body contains keys on field-effect transistors 1 and 2 with an n-type channel and with a p-type channel. The use of field-effect transistors makes it possible to get rid of the bias circuits in the 25-gate circuits and significantly increase the input resistance of the null organ. The gates of field-effect transistors 1 and 2 are connected to the input bus through resistors 3 and 4, which prevent the input resistance of the nullorgan from falling at the forward displacement of the pn-junction gate-drain. The inputs of the current sources on the pnpp transistors of pnp types are connected respectively to the drains of transistors 1 and 2. An additional light-emitting diode 7 is connected between the outputs of the transistor sources 5 and 6 of the current. The main light-emitting diodes 8 and 9 are connected via zener diodes 10 and 11 between the outputs of the current source 5 and 6 and the power supply buses 12 and 13.

Нуль-орган работает следующим образом .The zero-body works as follows.

При отсутствии входного напр жени в нулевом состо нии схемы токи в цеп х стоков транзисторов 1 и 2 определ ютс значени ми токов насыщени . Транзисторные источники 5 и 6 тока создают ток, достаточный дл зажигани светоизлучающего диода 7. Стабилитроны.10 и 11 выбираютс с напр жени ми стабилизации, превращающими сумму напр жений на гор щем светоизлучающем диоде 7 и одном источнике тока, поэтому светоизлучающие диоды 8 и 9 не гор т.In the absence of an input voltage in the zero state of the circuit, the currents in the drain circuits of transistors 1 and 2 are determined by the values of saturation currents. The transistor sources 5 and 6 of the current produce a current sufficient to ignite the light emitting diode 7. The zener diodes 10 and 11 are selected with stabilization voltages that convert the sum of the voltages on the burning light emitting diode 7 and one current source, therefore the light emitting diodes 8 and 9 are not hot t.

При входном напр жении положительной пол рности.происходит уменьшение тока стока транзистора 2 и резкое уменьшение тока, создаваемого источников б тока, обусловленное нелинейностью входной характеристики его транзистора. В результате перераспределени тока источника 5 тока светоизлучающий диод 7 гаснет, происходит пробой стабилитрона 11 и зажигаетс светоизлучающий диод 9 вследствие возрастани напр жени на последовательно включенных светоизлучающем диоде 9 и стабилитроне 11When the input voltage is positive polarity. There is a decrease in the drain current of transistor 2 and a sharp decrease in the current generated by the current sources b, due to the nonlinearity of the input characteristic of its transistor. As a result of the redistribution of the current of the current source 5, the light emitting diode 7 is extinguished, the Zener diode 11 is broken, and the light emitting diode 9 is ignited due to an increase in voltage on the series-connected light emitting diode 9 and Zener diode 11

При входном напр жении отрицательной пол рности нуль-орган работает аналогично, при этом светоизлучающий диод 7 гаснет и зажигаетс With a negative polarity input voltage, the null organ operates in a similar way, and the light emitting diode 7 goes out and lights up.

светоизлучающий диод 8 в результате уменьшени тока, создаваемого источником 5 тока, и пробо стабилитрона 10.the light emitting diode 8 as a result of the reduction of the current generated by the current source 5, and the breakdown of the zener diode 10.

Предлагаемый нуль-орган обладаетThe proposed zero-body possesses

высокой чувствительностью. Схема нуль-органа по.звол ет использовать в качестве ключей полевые транзисторы , обеспечивающие входное сопротивление нуль-рргана, измер емоеhigh sensitivity. The zero-organ circuit allows using field-effect transistors as keys that provide the input resistance of the zero

мегоомами, при соответствующем выборе сопротивлений резисторов в цеп х затворов транзисторов.megohms, with an appropriate choice of resistors in the transistor gate circuits.

Claims

1. Shvetsky VI, Electronic measuring devices with digital readout. Kiev, Technique, 1970, p. 82-94.

2. USSR author's certificate 627411, class C 01 R 17/10, 25.05.76.

zb - //