SI21289A - Uporaba kvazienodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin in kvazienodimenzionalnih spojin halkogenidov prehodnih kovin kot emiterjev elektronov - Google Patents

Uporaba kvazienodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin in kvazienodimenzionalnih spojin halkogenidov prehodnih kovin kot emiterjev elektronov Download PDF

Info

Publication number
SI21289A
SI21289A SI200200189A SI200200189A SI21289A SI 21289 A SI21289 A SI 21289A SI 200200189 A SI200200189 A SI 200200189A SI 200200189 A SI200200189 A SI 200200189A SI 21289 A SI21289 A SI 21289A
Authority
SI
Slovenia
Prior art keywords
transition metal
compounds
doped
quasionedimensional
quasi
Prior art date
Application number
SI200200189A
Other languages
English (en)
Inventor
Vincenc Nemani�
Marko �umer
Ale� Mrzel
Maja Rem�kar
Dragan D. Mihailovi�
Original Assignee
Institut "Jo�Ef Stefan"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institut "Jo�Ef Stefan" filed Critical Institut "Jo�Ef Stefan"
Priority to SI200200189A priority Critical patent/SI21289A/sl
Priority to US10/522,740 priority patent/US20060231825A1/en
Priority to EP03766800A priority patent/EP1540687A1/en
Priority to AU2003252637A priority patent/AU2003252637A1/en
Priority to PCT/SI2003/000027 priority patent/WO2004013884A1/en
Publication of SI21289A publication Critical patent/SI21289A/sl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types
    • H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

Izum se nanaša na uporabo kvazi enodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin MxHyHaz(M je prehodna kovina Mo, W, Ta, Nb; H je žveplo(S), selen (Se) telur(Te); Ha je jod (J) in dopiranih kvazi enodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M=Ta, Ti, Nb; H je žveplo(S), selen (Se), telur(Te); Ha je jod (J)) s elementi skupine 1b (srebrom (Ag), zlatom(Au) ali bakrom (Cu)) kot emiterjev elektronov pod vplivom električnega polja. Delež kvazi enodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin dopiranih s elementi skupine 1b je v aktivnem materialu od 0.1-99.9 %, preostali delež so lahko dodatki v obliki prevodnih, neprevodnih ali polprevodnih spojin ali kompozitov. Emisija elektronov poteka pri tlaku, ki je manjši kot 1 mbar.ŕ

Description

Uporaba kvazienodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin in kvazienodimenzionalnih spojin halkogenidov prehodnih kovin kot emiterjev elektronov
Predmet izuma je uporaba kvazi enodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M je prehodna kovina Mo, W, Ta, Nb; H je žveplo(S), selen (Se), telur (Te); Ha je jod (J)) in dopiranih kvazi enodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M=Ta, Ti, Nb; H je žveplo(S), selen (Se), telur (Te); Ha je jod (J)) z elementi skupine lb (srebrom (Ag), zlatom(Au), bakrom (Cu)) kot emiterjev elektronov pod vplivom električnega polja, to je za hladno emisijo, oziroma hladno katodo.
Emiteiji elektronov se uporabljajo v različnih komercialnih napravah. Standardni emiterji, ki se uporabljajo v katodnih ceveh, so ponavadi narejeni iz volframove žice ali drugih materialov z nizkim izstopnim delom, ki s segrevanjem oddajajo elektrone (Shan I, Physics Word, 45 junij, (1997). V zadnjem času potekajo obširne raziskave t.i hladnih emitorjev elektronov, ki oddajajo elektrone pod vplivom električne poljske jakosti. V osnovi poznamo dve geometrijski obliki naprav na osnovi hladne emisije elektronov. Pri prvi obliki so zelo ostre konice, ki emitirajo elektrone, urejene med seboj, kar dosežemo z zapletenimi fotolitografskimi tehnikami. Konice so običajno iz silicija, molibdena ali volframa, v zadnjem času pa seje precej razvila uporaba diamantnega prahu s specifično kristalno urejenostjo ali pa nanos le tega ali ogljika s podobno strukturo na druge mikrokonice (Kumar N. et al, US patent št. 5,199,918, 6.4.1993). Poleg tega je možna uporaba mikrokonic izdelanih v obliki tankih žic in luskic iz različnih materialov vključno iz ogljika (Q. Wang et al, App. Phys. Lett. 70, 24, pp. 3308 (1997). V prvi metodi moramo uporabiti za izdelavi konic zelo zapletene litografske tehnike. Poleg tega imajo konice, ki niso izdelane iz diamanta, relativno kratek življenjski čas zaradi uporovnega gretja in s tem krhanja konice. Z uporabo diamantnih mikrokonic se izognemo obema problemoma, vendar potrebujemo za pravilno delovanje visoko anodno napetost.
Pri drugi metodi temelji izvedba naprave na osnovi emisije elektronov na nizki ali negativni elektronski privlačnosti površine, ki je običajno iz diamanta ali iz ogljika podobnega diamantu (Kumar N. et al, US patent št. 5,341,063, 23.8 1994; Valone S. N. et al, US patent št.
5,602,439, 11.2 1997). Tudi pri drugi metodi potrebujemo visoko anodno napetost, kar precej zaplete delovanje naprave. Za izboljšanje delovanja so uporabili diamant ali diamantu podoben ogljik z različnimi napakami v kristalni mreži (Jaskie J. E. et al, US patent št. 5,619,092, 08.4 1997) in še nekaj drugih izboljšav (Habermann T. et al, J. Vac. Sci. Tech. BI6, p. 693, 1998; Patterson D. E. et al, Mat. Res. Soc. Symp. Proč. 509, 1998).
Kot obetaven vir emisije elektronov so se v zadnjih nekaj letih izkazali novi nanomateriali, predvsem ogljikove in BxCyNz nanocevke (Zettl A. et al, US patent št. 6,057,637; 2.5 2000). Zaradi same oblike teh nanomaterialov je stabilnost katodnega toka za razliko od kovinskih konic, ki sčasoma izgubijo ostrino, dobra, pa tudi napetosti delovanja so nižje kot pri diamantem prahu. Še vedno pa obstaja kar nekaj problemov, ki omejujejo njihovo uporabo predvsem nehomogenost materiala kot posledica nekontrolirane sinteze in problem urejanja nanocevk glede na podlago (De Heer W.A. et al, Science 270, 1179 (1995), čeprav skušajo z novimi načini sinteze te pomankljivosti zmanjšati.
Obstoječi hladni emiterji elektronov imajo torej sledeče slabosti: obraba kovinske konice, zapleten in drag postopek izdelave konice z uporabo diamanta, visoka anodna napetost, pri nanomaterialih pa slaba definiranost oz. ponovljivost emiterjev.
Naloga in cilj izuma je odkritje in uporaba takšnih materialov za izdelavo hladnih emiterjev elektronov, ki bodo emiterjem omogočali stabilno in dolgotrajno delovanje, ki bodo enostavni za izdelavo in bodo delovali pri nizkih anodnih napetostih.
Po izumu je naloga rešena z uporabo kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin in kvazi enodimenzionalnih spojin halkogenidov prehodnih kovin kot emiteijev elektronov po neodvisnih patentnih zahtevkih.
Izum bo opisan z izvedbenima primeroma in predstavljen s slikami, ki kažejo:
Slika 1: Shematski prikaz merilne celice za izvedbo meritve hladne emisije,
Slika 2: Slika materiala sestavljenega iz svežnjev nanocevk MoS2.y Jx, uporabljenega kot vir emisije elektronov v električnem polju,
Slika 3: Značilna slika na zaslonu, ki so jo tvorili emitirani elektroni iz svežnjev nanocevk MoS2-y Jx ,
Slika 4: Diagram odvisnosti emisijskega toka iz MoS2.y Jx od napetosti,
Slika 5: Prikaz Časovne stabilnosti emisijskega toka svežnjev nanocevk MoS2-y Jx
Slika 6: Slika materiala sestavljenega iz iz Agx(NbS4)4ly uporabljenega kot vir emisije elektronov v električnem polju,
Slika 7: Značilna slika na zaslonu, ki sojo tvorili emitirani elektroni iz Agx(NbS4)4ly,
Slika 8: Diagram odvisnosti emisijskega toka iz Agx(NbS4)4ly od napetosti,
Slika 9: Prikaz časovne stabilnosti emisijskega toka iz Agx(NbS4)4ly.
Izum se nanaša na uporabo kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz(M je prehodna kovina Mo, W, Ta, Nb; H je žveplo(S), selen (Se) telur(Te); Ha je jod (J) in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M=Ta, Ti, Nb; H je žveplo(S), selen (Se), telur(Te); Ha je jod (J)) z elementi skupine lb (srebrom (Ag), zlatom(Au) ali bakrom (Cu) kot emiterjev elektronov pod vplivom električnega polja. Delež kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin dopiranih s elementi skupine lb je v aktivnem materialu od 0.01-99.9 %, preostali delež so lahko dodatki v obliki prevodnih, nepre vodnih ali polprevodnih spojin ali kompozitov.
Po izumu so navedeni materiali uporabljeni kot katodni emiterski material v napravah na osnovi emisije elektronov pod vplivom električnega polja. Emisija elektronov poteka pri tlaku, ki je manjši kot lmbar.
Izvedbeni primer 1
Uporaba svežnjev nanocevk MoS2_y Jx za emisijo elektronov
Kot hladni emiter uporabimo svežnje nanocevk MoS2.y Jx. Emisijsko karakteristiko svežnjev nanocevk MoS2.y Jx (to je emisijski tok I v odvisnosti od napetosti U) uporabljenih kot hladni emiter elektronov (katoda), merimo v visokem vakuumu. Shematski prikaz izvedbe meritev hladne emisije v merilni celici, kakršno smo uporabili za preiskavo, je na sliki 1. Njena osnova je steklena vakuumska posoda s kovinskima elektrodama. Merilno celico sestavljajo zaščitni upor 1, anoda 2 z zaslonom, ionsko-getrska črpalka 3, nanoemlter 4, izvor napetosti 5 in ampermeter 6. Zaščitni upor 1 je grafitno-keramični upor 33 Mohm. Anoda 2 je pozitivna elektroda in je v FEM hkrati tudi zaslon, kar omogoča opazovanje vzorca, ki ga povzročajo emitirani elektroni, pri čemer je zalon plast zrnatega luminofoija (srednja velikost zrn je 1.2 mikrometra) debeline 5 mikrometrov. Luminofor ima oznako P-43 s kemijsko sestavo Gd2O2 : Tb prekrit s plastjo napaij enega aluminija debeline 90 nm. Ionsko-getrska črpalka 3 je vakuumska črpalka, ki deluje na osnovi razelektritve v plinu in razprševanja. V meritvi je bila uporabljena črpalka Leybold Heraeus IZ30. Nanoemiter 4 je negativna elektroda, to je katoda v FEM. V tem izvedbenem primeru tvorijo nanoemiter svežnji nanocevk MoS2.y Jx. Tako nanoemiter 4 kot anoda 2 sta v visokem vakuumu. Kot izvor napetosti 5 je bil uporabljen natančnen stabilizirani usmernik Thorn EMI, model PM 28B. Anodno napetost smo spreminjali v obsegu od 600 do 2800 V. Tok smo merili s piko ampermetrom 5 Keithley, model 485. S simbolom oko 7 je nakazana smer opazovanja emitirane svetlobe.
Svežnje nanocevk M0S2-V T smo s srebrno pasto, ki zagotavlja dober električni kontakt na prevodno podlago, pritrdili na Ni folijo debeline 0,1 mm. Uporabili smo pasto, ki jo dobavlja firma SPI Supplies za pripravo vzorcev za vrstični elektronski mikroskop in ima oznako SPI Flash dry, 4999AB. Vzorec svežnjev nanocevk MoS2.y Jx mase približno 3 mg je prikazan na sliki 2. Z enako pasto smo ga nalepili na vrh kovinskega vodnika, na razdalji a od anode. Pred meritvijo emisije se je vzorec Črpal nekaj ur na sobni temperaturi, nato pri temperaturi 200 °C še 3 ure. Tako pripravljenemu vzorcu smo izmerili pri sobni temperaturi tokovno-napetostno karakteristiko in stabilnost emisije. Prve teste smo opravili na razdalji cf=20±1 mm, kjer je bilo mogoče pri visokih tokovih emisijski vzorec vizualno opazovati. S to meritvijo smo potrdili, da je merjeni tok nedvomno posledica hladne emisije skozi vakuum in ni posledica puščanja izolacije. Značilna slika na zaslonu, ki so jo tvorili emitirani elektroni iz svežnjev nanocevk MoS2-y Jx je na sliki 3. Napetost je bila 5 kV. Nadaljnje meritve odvisnosti toka od napetosti in toka od časa smo merili pri razdalji z?=5±l mm. Anodno napetost smo spreminjali v obsegu od 600 do 2800 V. Tok smo merili s pikoampermetrom 6.
Odčitek je bil zapisan z osebnim računalnikom 2,8 krat v sekundi. Pri maksimalni napetosti napajalnika 3000 V je bila napetost na emiterju 2770 V medtem ko je emisijski tok dosegel vrednost 1 μΑ., slika 4. Meritev časovne stabilnosti emisijskega toka v času 16 ur je pokazala, daje emisija elektronov iz materiala MoS?.v Jx relativno stabilna, slika 5.
Izvedbeni primer 2
Uporaba Agx(NbS4)4Iy za emisijo elektronov
Kot hladni emitor uporabimo Agx(NbS4)4Iy. Emisijsko karakteristiko Agx(NbS4)4ly (to je emisijski tok I v odvisnosti od napetosti U) uporabljenih kot hladni emiter elektronov, merimo v visokem vakuumu. Shematski prikaz izvedbe meritev hladne emisije, kakršno smo uporabili za preiskavo, je na sliki 1 in je enaka kot v izvedbenem primeru 1.
mg Agx(NbS4)4Iy kot prikazuje slika 6 smo s prevodnim vezivom (SPI, srebrna pasta za SEM) pritrdili najprej na 0.1 mm Ni folijo, ki smo jo nato z enakim vezivom nalepili na vrh kovinskega vodnika, na razdalji a od anode 2. Pred meritvijo emisije se je vzorec v FEM črpal nekaj ur na sobni temperaturi, nato pri temperaturi 200 °C še 3 ure. Tako pripravljenemu vzorcu smo izmerili pri sobni temperaturi tokovno-napetostno karakteristiko in stabilnost emisije. Prve teste smo opravili na razdalji o=20±l mm, kjer je bilo mogoče pri visokih tokovih emisijski vzorec vizualno opazovati. S to meritvijo smo potrdili, daje merjeni tok nedvomno posledica hladne emisije skozi vakuum in ni posledica puščanja izolacije. Značilna slika na zaslonu, ki sojo tvorili emitirani elektroni iz Agx(NbS4)4 Iyje na sliki 7.
Nadaljnje meritve toka od napetosti in toka od časa smo merili pri razdalji tf=5±lmm. Anodno napetost smo spreminjali v obsegu od 600 do 2800 V, kot kaže slika 8. Tok smo merili s pikoampermetrom 6. Odčitek je bil zapisan z osebnim računalnikom 2,8 krat v sekundi. Pri napetosti 2800 V je bila napetost na emiterju 1750 V, medtem ko je emisijski tok dosegel vrednost 30 μΑ. Meritev časovne stabilnosti emisijskega toka v času 330 ur je pokazala, daje emisija elektronov iz materiala Agx(NbS4)4Iy relativno stabilna.
Materiali na osnovi kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M je prehodna kovina Mo, W, Ta, Nb; H je žveplo(S), selen (Se) telur(Te); Ha je jod (J)) ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M=Ta, Ti, Nb; H je žveplo(S), selen (Se), telur(Te); Ha je jod (J)) dopiranih s elementi skupine lb (srebrom (Ag), zlatom(Au) ali bakrom (Cu)) so torej uporabljeni kot emiterji elektrononov pod vplivom električnega polja. Pri tem je delež kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin dopiranih s elementi skupine lb v aktivnem materialu od 0.01-99.9 %, preostali delež so dodatki v obliki prevodnih, neprevodnih ali polprevodnih spojin ali kompozitov. Emisija elektronov poteka pri tlaku, kije manjši kot Imbar.
Razume se, da so v okviru izuma tudi emiterji elektrononov pod vplivom električnega polja, ki so izdelani iz materialov na osnovi kvazienodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz(M je prehodna kovina Mo, W, Ta, Nb; H je žveplo(S), selen (Se) telur(Te); Ha je jod (J)) ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M=Ta, Ti, Nb; H je žveplo(S), selen (Se), telur (Te); Ha je jod (J)) dopiranih s elementi skupine lb (srebrom (Ag), zlatom(Au) ali bakrom (Cu), pri čemer je delež kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin dopiranih s elementi lb skupine v aktivnem materialu od 0.01-99.9 %, preostali delež so dodatki v obliki prevodnih, neprevodnih ali polprevodnih spojin ali kompozitov.

Claims (6)

  1. PATENTNI ZAHTEVKI
    1. Uporaba materialov na osnovi kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M je prehodna kovina Mo, W, Ta, Nb; H je žveplo(S), selen (Se) telur(Te); Ha je jod (J) ) ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M=Ta, Ti, Nb; H je žveplo(S), selen (Se), telur (Te); Ha je jod (J)) dopiranih s elementi lb skupine (srebrom (Ag), zlatom(Au) ali bakrom (Cu)) kot emiterjev elektrononov pod vplivom električnega polja.
  2. 2. Materiali po zahtevku 1, označeni s tem, daje delež kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin dopiranih s elementi lb skupine v aktivnem materialu od 0.01-99.9 %, preostali delež so dodatki v obliki prevodnih, neprevodnih ali polprevodnih spojin ali kompozitov.
  3. 3. Uporaba materialalov po zahtevkih 1 in 2, označena s tem, da emisija elektronov poteka pri tlaku, ki je manjši kot lmbar.
  4. 4. Emiterji elektrononov pod vplivom električnega polja, označeni s tem, da so izdelani iz materialov na osnovi kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M je prehodna kovina Mo, W, Ta, Nb; H je žveplo(S), selen (Se) telur(Te); Ha je jod (J) ) ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin MxHyHaz (M=Ta, Ti, Nb; H je žveplo(S), selen (Se), telur(Te); Ha je jod (J)) dopiranih s elementi lb skupine (srebrom (Ag), zlatom(Au) ali bakrom (Cu).
  5. 5. Emiteiji po zahtevku 4, označeni s tem, da je v materialih delež kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin ali/in dopiranih kvazi enodimenzionalnih temamih spojin prehodnih kovin dopiranih s elementi lb skupine v aktivnem materialu od 0.01-99.9 %, preostali delež so dodatki v obliki prevodnih, neprevodnih ali polprevodnih spojin ali kompozitov.
  6. 6. Emiteiji po zahtevkih 4 in 5, označeni s tem, da emisija elektronov poteka pri tlaku, ki je manjši kot lmbar.
SI200200189A 2002-08-02 2002-08-02 Uporaba kvazienodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin in kvazienodimenzionalnih spojin halkogenidov prehodnih kovin kot emiterjev elektronov SI21289A (sl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SI200200189A SI21289A (sl) 2002-08-02 2002-08-02 Uporaba kvazienodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin in kvazienodimenzionalnih spojin halkogenidov prehodnih kovin kot emiterjev elektronov
US10/522,740 US20060231825A1 (en) 2002-08-02 2003-07-23 Use of quasi-one-dimensional transition metal ternary compounds and quasi-one-dimensional transition metal chacogenide compounds as electron emitters
EP03766800A EP1540687A1 (en) 2002-08-02 2003-07-23 Use of quasi-one-dimensional transition metal ternary compounds and quasi-one-dimensional transition metal chalcogenide compounds as electron emitters
AU2003252637A AU2003252637A1 (en) 2002-08-02 2003-07-23 Use of quasi-one-dimensional transition metal ternary compounds and quasi-one-dimensional transition metal chalcogenide compounds as electron emitters
PCT/SI2003/000027 WO2004013884A1 (en) 2002-08-02 2003-07-23 Use of quasi-one-dimensional transition metal ternary compounds and quasi-one-dimensional transition metal chalcogenide compounds as electron emitters

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SI200200189A SI21289A (sl) 2002-08-02 2002-08-02 Uporaba kvazienodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin in kvazienodimenzionalnih spojin halkogenidov prehodnih kovin kot emiterjev elektronov

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SI21289A true SI21289A (sl) 2004-02-29

Family

ID=31493134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SI200200189A SI21289A (sl) 2002-08-02 2002-08-02 Uporaba kvazienodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin in kvazienodimenzionalnih spojin halkogenidov prehodnih kovin kot emiterjev elektronov

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20060231825A1 (sl)
EP (1) EP1540687A1 (sl)
AU (1) AU2003252637A1 (sl)
SI (1) SI21289A (sl)
WO (1) WO2004013884A1 (sl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1541528A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-15 Institut Jozef Stefan Quasi-one-dimensional polymers based on the metal-chalcogen-halogen system

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5199918A (en) * 1991-11-07 1993-04-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of forming field emitter device with diamond emission tips
US5602439A (en) * 1994-02-14 1997-02-11 The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer Diamond-graphite field emitters
US6057637A (en) * 1996-09-13 2000-05-02 The Regents Of The University Of California Field emission electron source

Also Published As

Publication number Publication date
US20060231825A1 (en) 2006-10-19
WO2004013884A1 (en) 2004-02-12
AU2003252637A1 (en) 2004-02-23
EP1540687A1 (en) 2005-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Nilsson et al. Collective emission degradation behavior of carbon nanotube thin-film electron emitters
US6057637A (en) Field emission electron source
Vancil et al. Scandate dispenser cathodes with sharp transition and their application in microwave tubes
Gröning et al. Properties and characterization of chemical vapor deposition diamond field emitters
JPH08241664A (ja) 電界効果電子源及び当該源を製造する方法、並びに陰極ルミネンスディスプレイ
Sun et al. The design and fabrication of carbon-nanotube-based field emission X-ray cathode with ballast resistor
Wang et al. On-chip thermionic electron emitter arrays based on horizontally aligned single-walled carbon nanotubes
Zhao et al. Pulsed voltage driving enhanced electron emission in ZnO nanowire cold cathode flat-panel X-ray source
Nose et al. Electron field emission from undoped polycrystalline diamond particles synthesized by microwave-plasma chemical vapor deposition
Cheng et al. Hydrogen plasma dry etching method for field emission application
TWI343591B (en) Field emission componet and method for making same
SI21289A (sl) Uporaba kvazienodimenzionalnih ternarnih spojin prehodnih kovin in kvazienodimenzionalnih spojin halkogenidov prehodnih kovin kot emiterjev elektronov
Paik Field emission characteristics of Diamond-like Carbon (DLC) films prepared using a Magnetron Sputter-type Negative Ion Source (MSNIS)
Scott et al. Robust CNT field emitters: patterning, growth, transfer, and in situ anchoring
Lee et al. Carrier transport and electron field-emission properties of a nonaligned carbon nanotube thick film mixed with conductive epoxy
Carey et al. Role of nanostructure on electron field emission from amorphous carbon thin films
Chen et al. Field emission characteristics of individual ZnO nanowire before vacuum breakdown
Joag et al. Field emission from nanowires
Tanaka et al. Barrier effect on field emission from stand-alone carbon nanotube
US6870309B2 (en) Cold emission film cathode and flat panel display with nanocrystalline carbon film emitter
Mousa et al. Field Electron Emission Characteristics of Single-Walled Carbon Nanotube on Tungsten Blunt Tip
RU151235U1 (ru) Острийный полевой эмиттер
Song et al. Field emission properties of carbon nanotube emitters dependent on electrode geometry
Hoffmann et al. Electron field emission of amorphous carbon films
Sun et al. High emission performance of carbon nanotube paste field emitters fabricated by graphite filler

Legal Events

Date Code Title Description
IF Valid on the event date
KO00 Lapse of patent

Effective date: 20090325